用正电子素探测叶绿素三线激发态浓度的变化

测量了在不同光强下叶绿素环已烷溶液(77 K)和酒精溶液(296 K)的正电子湮没寿命谱。提出正电子素光磁湮没模型以解释实验事实。在77 K固化的叶绿素环已烷溶液中, 正电子湮没寿命谱长寿命组分的湮没参数I_2和Λ_2随光强变化而呈现规律性变化, 表明可利用正电子素光磁猝灭效应来追踪光敏剂分子三线激发态浓度的变化。     

聚对苯二甲酸乙二酯中正电子湮没寿命参数温度效应的研究

对聚对苯二甲酸乙二酯的非晶、低温热处理(54℃)、高温热处理(180℃)以及双轴拉伸等四种不同试样,测量了室温到180℃范围内不同温度在的正电子湮没寿命谱.根据最小二乘曲线拟合解谱结果,可知最长寿命成份的湮没参数τ和I的温度曲线分别灵敏地反映了聚对苯二甲酸乙二酯的玻璃转变过程和结晶过程.据此讨论了正电子湮没寿命参数与PET转变的关联以及PET玻璃转变的有关性质.     

正电子湮没技术（PAT）在高分子材料中的应用（上）

本文引用７０多篇文献，综述了正电子湮没技术（主要是正电子湮没寿命技术）近１０年来在高分子材料各个领域中的应用。     

正电子湮没与沸石内静电场

本文测定了不同类型沸石的正电子寿命谱。发现o-Ps的湮没寿命, 与沸石静电场之间有良好的对应关系, 静电场愈强, 湮没寿命愈短。根据正电子寿命谱结果。含不同阳离子的Y沸石的静电场强弱次序为KY相似文献   

α-Fe/Nd2Fe14B复合纳米晶的界面研究

采用正电子寿命谱和双探头Doppler展宽测量在原子尺度上研究了α-Fe/Nd2Fe14B复合纳米晶的界面结构.正电子寿命研究表明, α-Fe/Nd2Fe14B复合纳米晶存在两类界面.一类为非晶界面层, 正电子湮没寿命为155 ps; 另一类为具有原子空位的松懈界面, 含有空位尺寸大于1～2个铁原子空位的结构自由体积, 正电子湮没寿命为246 ps.电子-正电子湮没光子的共谐Doppler展宽测量表明这类松懈界面富集非磁性原子Nd和B, 这将削弱α-Fe/Nd2Fe14B复合纳米晶晶粒间的磁交换耦合.     

聚对苯二甲酸乙二酯的玻璃化转变和结晶化的正电子湮没研究

研究了聚对苯二甲酸乙二酯的玻璃化转变和结晶过程对正电子湮没寿命谱的影响.结果表明,结晶过程对正电子湮没的长寿命组份τ_3的寿命值不敏感,用这种方法测得的“T_g”不随结晶度而变化,而长寿命组份的相对强度则随结晶度的增加而减小.     

钆铁磁－顺磁相变的正电子寿命研究

通过测量金属钆在居里点附近的正电子湮没寿命谱随温度变化的关系，发现钆的正电子湮没寿命在居里点近邻Ｔ＜ＴＣ一侧随温度有显著变化，而在此温区以外几乎不随温度变化     

钆铁磁——顺磁相变的正电子寿命研究

通过测量金属钆在居里点附近的正电子湮没寿命谱随温度变化的关系，发现钆的正电子湮没寿命在居里点近邻Ｔ〈ＴＣ－侧随温度有显著变化，而在此温区以外几乎不随温度变化。     

硅胶表面键合物的正电子湮没谱研究

本文在多孔无定形硅胶的表面上键合了不同极性的化学基团, 制成一系列相同基体, 但表面基团不同的样品, 测定了其正电子湮没寿命谱, 发现寿命谱的最长寿命组份随表面键合基不同, 寿命值有明显差别。寿命值与基团的极性及基团的体积有关, 正电子湮没谱的最长寿命组份能灵敏地表征表面的极性和化学性, 可作为表面化学定性分析的有用技术。     

α-Fe／Nd2Fel4B复合纳米晶的界面研究

采用正电子寿命谱和双探头Doppler展宽测量在原子尺度上研究了α-Fe，Nd2Fel4B复合纳米晶的界面结构。正电子寿命研究表明，α-Fe/Nd2Fel4B复合纳米晶存在两类界面。一类为非晶界面层，正电子湮没寿命为155ps；另一类为具有原子空位的松懈界面，含有空位尺寸大于-2个铁原子空位的结构自由体积，正电子湮没寿命为246ps。电子-正电子湮没光子的共谐Doppler展宽测量表明这类松懈界面富集非磁性原子Nd和B，这将削弱α-Fe/Nd2Fel4B复合纳米晶晶粒间的磁交换耦合。     

正电子湮没技术（PAT）在高分子材料中的应用（下）

正电子湮没技术（ＰＡＴ）在高分子材料中的应用（下）李桂芝，施良和，叶美玲（中国科学院化学研究所高分子物理开放实验室，北京，１０００８０）３．４高分子导体高分子导体有两种：（１）靠共轭分子链导电的高分子；（２）因掺入小分子而具有导电作用的高分子。现在已...     

嵌段共聚物溶液胶束温度行为的郑电子湮没研究

用正电子寿命技术研究了聚苯乙烯—二甲基硅氧烷／正庚烷二嵌段共聚物溶液胶束的温度行为．结果表明正电子湮没参数对溶液中出现的结构和微观环境的变化十分灵敏．在一定的温度范围o-Ps寿命和强度的陡然变化反映了溶液中共聚物分子聚集态随温度经历不同阶段的变化，超过临界胶束温度o-Ps寿命随温度增高而迅速地增大，这一行为反映了分子聚集体解离成自由共聚物分子的过程．     

明胶/卤化银乳剂体系正电子湮没研究

长期以来,显影过程特别是银丝的生成机理一直是感光工作者关注和研究的焦点.但迄今为止,众说纷坛的各种假说尚未达到共识,本文用正电子湮没技术 (PAT)测定了乳剂的正电子湮没寿命谱,探讨了银丝在自由体积空穴中的生长机理,并采用透射电子显微镜观察除去明胶后的银丝形貌,验证了PAT实验中银丝生长的结论.同时本文根据明胶中蛋氨酸及其氧化产物的大致含量,首次采用正电子湮没技术 (PAT)研究将蛋氨酸及其氧化产物加到照相乳剂中,观察蛋氨酸及其氧化产物的还原性以及在水洗前加入蛋氨酸和在水洗后加入蛋氨酸的差别.     

用正电子研究CuCl2在NaY上的扩散

用正电子湮没谱学研究了机械混合CuCl₂与NaY中CuCl₂在NaY沸石中的扩散.分别测量了不同质量比的CuCl₂-NaY(0～0.03)沸石分子筛经140℃烘烤1h;CuCl₂-NaY(0～0.05)经450℃烘烤4h;CuCl₂-NaY(0.01)经不同温度烘烤1h以及经300℃下烘烤烘不同时间后的正电子寿命谱.所有谱中都出现了5(或4)个寿命分量,其第3,4,5寿命分量分别与β笼、超笼及沸石微粒界面空间的大小和数量相关.实验表明,正电子湮没谱学可敏感地探测出少量CuCl₂在NaY沸石中的扩散变化.而对于只含少量氯化铜(0.01)的情况,虽经高温长时间烘烤,但仍有相当数量的氯化铜存在于NaY外表面.     

用正电子湮没谱学研究氯化稀土在NaY沸石上的分散

用正电子湮没谱学研究氯化富铈稀土与NaY沸石机械混合形成的稀土NaY沸石(RE-NaY)中，氯化稀土在NaY中的分散．分别测量不同质量比的RE-NaY(1％-20％)经500℃烘烤1h，RE-NaY(5％)经过不同温度烘烤1h，以及RE-NaY(5％)经500℃烘烤不同时间后的正电子寿命谱．所有寿命谱都出现了5个寿命分量，其中第3，4，5寿命分别与β笼、超笼及沸石微粒界面空洞的大小和数量相关．实验表明了正电子湮没谱学能敏感地表征氯化稀土在NaY中的分散．     

LaFe1-xCuxO3的光催化性及正电子湮没研究

研究LaFeO3及微量掺铜LaFeO3的光催化活性,利用正电子湮没谱分析掺杂的影响,发现随着掺杂百分比的增加,正电子寿命逐渐下降达到一最小值,然后又上升;而光催化活性随掺杂百分比的增加逐渐上升达到最大值,然后下降。结果表明：LaFeO3掺杂后光催化活性得以提高;正电子湮没技术是研究点阵缺陷结构的有效方法之一。     

正电子湮没技术在纳米材料中的应

纳米材料在现实应用中表现出越来越优异的性能,其微结构往往对宏观性能有着重要影响。从正电子湮没技术基本原理出发,结合正电子湮没技术在材料微观结构领域的独特优势,介绍了其在纳米金属、合金以及纳米半导体等材料中的微结构研究工作,阐述了纳米材料微结构对基础学科和实际应用的重要意义。     

用正电子湮没寿命谱法研究电沉积镍结构缺陷

应用正电子湮没寿命谱研究了十二种典型镍镀层的结构缺陷。根据电沉积镍含有杂质的特点, 采用四态模型对寿命谱进行理论分析。利用寿命谱二组分拟合结果计算了未退火试样的类空位和类微洞的浓度。研究了第10号试样的退火行为, 根据有关的湮没参数与退火温度的关系曲线, 推断出镀层中的氢既以吸附态形式存在于微洞也以固溶态的形式存在于空位, 同时也观察到在退火过程中空位热迁移并入微洞和镀层杂质发生化学聚团作用的现象。     

SIS的正电子湮没寿命谱的研究

用正电子湮没技术,在-80°～100℃温度范围内,测量了苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯三嵌段聚合物(SIS)的正电子寿命谱。在长寿命成分的温度谱中,实验发现除了有和聚异戊二乙烯及聚苯乙烯的玻璃化温度相对应的温度转变区外,在37℃还存在一个温度转变区。这个中间转变温度可以解释为SIS嵌段共聚物的中间相的玻璃化转变温度。     

应用于聚合物中的正电子湮没寿命谱技术

正电子湮没寿命谱技术是一种新型聚合物结构探测与表征技术,针对此技术在聚合物自由体积研究中的应用,首先介绍了该技术的基本原理和应用理论,接着针对寿命谱数据的处理手段和计算方法,对国内外的研究进展进行了概述和总结,最后展示了该技术在聚合物材料研究中用于基本理论,实际运用和结构理论等三个方面的情况。