多巴胺在镍(Ⅱ)与水杨醛谷氨酸配合物修饰的碳黑微电极上的电化学行为

制备了水杨醛谷氨酸合镍修饰碳黑微电极,在JP-303极谱分析仪上研究了多巴胺(DA)在该修饰电极上的电化学行为,试验结果表明,在pH 7.0的磷酸盐缓冲介质中,多巴胺在该修饰电极上其峰电流增强达3倍之多.产生一灵敏的氧化峰,在0.14 V处峰电流与DA浓度在2.0×10-7～1.0×10-3mol L-1范围内呈线性关系,检出限(3σ)为1.0×10-7mol·.L-1,应用于盐酸多巴胺注射剂中多巴胺的测定,测定结果的RSD(n=7)值小于3.5%,回收率为96%～103%.     

多壁碳纳米管修饰碳黑微电极同时测定多巴胺和抗坏血酸

制备了多壁碳纳米管修饰碳黑微电极,研究了多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)在该修饰电极上的电化学行为.实验表明,在pH 7.0的PBS缓冲溶液中,该修饰电极对DA和从均具有显著的催化氧化作用,AA与DA的氧化电位分别为30 mV和280 mV(vs.SCE).利用二次导数线性扫描伏安法测定,DA与AA的线性范围分别为6.0×10-9～2.0×10-4 mol/L和2.0×10-7～1.0×10-3mol/L,检出限为2.0×10-9mol/L 和1.0×10-7mol/L.方法已用于人工合成样品的分析.     

多巴胺和抗坏血酸在十六烷基三甲基溴化铵/碳纳米管电极上的检测

研究了十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)/多壁碳纳米管修饰玻碳电极的制备以及多巴胺和抗坏血酸在该修饰电极上的电化学行为。在CTMAB和多壁碳纳米管的协同作用下,该修饰电极对多巴胺和抗坏血酸均具有显著的催化氧化作用,多巴胺和抗坏血酸的氧化峰电位分别为223mV和15mV,实现了在抗坏血酸共存时测定多巴胺。在pH7.0的磷酸盐缓冲溶液中,多巴胺和抗坏血酸的线性范围分别为2.0×10-6～2.0×10-3mol/L和4.0×10-5～1.0×10-2mol/L,检出限分别为6.0×10-7mol/L和1.0×10-5mol/L。     

间氨基苯酚修饰玻碳电极测定多巴胺

玻碳电极在含有2.0 mmol·L-1间氨基苯酚的0.1 mol·L-1的三水合高氯酸锂溶液中,于0～1.5 V的电位范围内进行电化学修饰,制备了间氨基苯酚修饰电极(m-AP/GCE).研究发现:间氨基苯酚修饰电极对多巴胺有良好的电催化作用,多巴胺在该电极上出现了一对氧化还原峰,相对于裸玻碳电极,氧化还原峰电位差为减至70 mV,提出了用循环伏安法测定多巴胺的方法.氧化峰电流与多巴胺的浓度在1.2×10-7～9.1×10-6和9.1×10-6～1.2×10-4mol·L-1范围内呈线生关系,检出限(3S/N)为3.2×10-8mol·L-1.     

普鲁士兰修饰碳黑微电极同时微分伏安法测定多巴胺和坑坏血酸

将含有1.0%普鲁士蓝的碳黑与固体石蜡按2.5∶1(质量比)混合后装入φ0.2mm的石英毛细管中,在其上端插入一铂丝并抛光后即制成普鲁士蓝修饰碳黑微电极.对多巴胺(DA)及抗坏血酸(VC)在此电极上的电化学行为及应用此电极测定两组分的最佳条件进行了研究,在定量测定中采用二次微分线性扫描伏安法.在最佳条件下,DA与VC的峰电流(i″p)分别与各自的浓度保持如下线性关系:DA为4.0×10-6～8.0×10-4mol·L-1,VC为6.0×10-5～1.0×10-3mol·L-1;检出限(3σ)依次为2.0×10-6mol·L-1及1.0×10-5mol·L-1.应用此方法分析了3种含DA及VC的混合溶液,测得结果的相对标准偏差(n=8)依次小于2.0%及3.0%,回收率范围依次为96.5%～101.0%及95.0%～102.5%.     

二茂铁修饰碳黑微电极同时测定多巴胺和抗坏血酸

研究了神经递质多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)在二茂铁修饰碳黑微电极上的电化学行为。实验结果表明,在pH4.5的磷酸盐中,DA在该电极上的线性范围为2.0×10-6～4.0×10-3mol/L,检出限(3σ)为1.0×10-6mol/L;AA在该电极上的线性范围为6.0×10-6～1.0×10-3mol/L,检出限(3σ)为2.0×10-6mol/L;用这种电极可以同时测定多巴胺,抗坏血酸。     

柠檬酸修饰电极对抗坏血酸、多巴胺和尿酸的同时检测

研究柠檬酸(CA)修饰玻碳电极(CA/GC)在抗坏血酸(AA)、多巴胺(DA)和尿酸(UA)混合体系中的循环伏安(CV)行为.结果表明,AA、DA和UA在CA/GC电极上氧化峰电流增大,且三者氧化峰电位明显分离(ΔEp(DA,AA)=170 mV,ΔEp(DA,UA)=130 mV,ΔEp(AA,UA)=300 mV).据此,可同时检测AA、DA和UA.在优化的实验条件下,AA、DA和UA的氧化峰电流与其浓度分别在2.0×10-6～1.5×10-3mol.L-1,6.0×10-7～1.0×10-3mol.L-1和6.0×10-7～1.0×10-3mol.L-1范围内呈线性关系.该电极重现性好,可用于盐酸多巴胺针剂DA、VC片剂AA及人体尿液UA的测定.     

应用锑膜修饰电极示差脉冲伏安法同时测定多巴胺和抗坏血酸

应用电化学还原法自制的锑膜修饰玻碳电极(GCE)研究了多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)在此修饰电极上的电化学性质.DA和AA在此修饰电极上的氧化电位依次为0.676 V和0.360 V,两者相差316 mV.此电位差值远大于两者在裸GCE电极上的差值(136 mV).据此,可用锑膜修饰的GCE,用示差脉冲伏安法同时测定DA和AA.测定DA和AA的线性范围分别为6.80×10-7～1.33×10-2,2.60×10-6～1.20×10-3mol·L-1,方法的检出限依次为1.50×10-7,6.70×10-7mol·L-1.应用所提出的方法分析了DA的针剂和AA的片剂样品,所得结果与标示值相符,并测得方法的回收率在97.9%～99.3%之间.     

聚L-组氨酸修饰碳黑微电极的制备及多巴胺的测定

用电聚合法制备了聚L-组氨酸修饰碳黑微电极,研究了多巴胺在该修饰电极上的电化学行为。实验表明:该修饰电极对神经递质多巴胺的电化学氧化有显著的催化作用,采用二次导数线性扫描伏安法对多巴胺进行测定,在pH 7.0的磷酸盐缓冲溶液中,多巴胺在0.15 V处产生一灵敏的氧化峰,多巴胺的氧化峰电流与浓度在4.0×10-8~1.0×10-4mol/L范围内呈线性关系,检出限(3σ)为1.0×10-8mol/L。该聚合物修饰电极具有良好的选择性,能有效地排除抗坏血酸对测定的影响,用于人工合成样品的分析。     

银掺杂聚L-天冬氨酸修饰电极的制备及对多巴胺的测定

利用循环伏安法将银与L-天冬氨酸聚合修饰在玻碳电极表面,制成银掺杂聚L-天冬氨酸修饰电极,研究了多巴胺在此电极上的电化学行为,建立了循环伏安法测定多巴胺的新方法.在磷酸盐缓冲溶液(PBS, pH 7.0)中,扫描速率为50 mV/s时,多巴胺在修饰电极上产生一对氧化还原峰,Epa=0.191 V,Epc=0.161 V.用循环伏安法进行测定时,峰电流与多巴胺浓度分别在3.0×10-7 ～1.0×10-5 mol/L和1.0×10-5 ～5.0×10-4 mol/L内呈良好的线性关系; 检出限为5.0×10-8 mol/L.用于药物和尿样中多巴胺的测定,结果满意.