ZnS：TbF3薄膜电致发光器件性能的研究

用射频磁控溅射和扫描电子束蒸发方法研究制备了ZnS:TbF3薄膜的交流电致发光器件。研究了制备ZnS:TbF3薄膜电致发光器件的几种因素对电致发光器件性能的影响,诸如,磁控溅射过程中衬底温度,发光层厚度,退火等。     

一种新结构ZnS∶Tm~(3 )薄膜电致发光器件的研究

采用电子束蒸发法制备了一种新结构 (ITO/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /Al)的薄膜电致发光器件 ,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明 ,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为这是由于SiO2 夹层起到了加速电子和提供界面的作用     

ZnS:Tm的薄膜电致发光及激发过程

用电子束蒸发的方法制备了传统的双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件，对其电致发光谱进行分析，在光致发光中，Tm离子受到基质ZnS的无辐射能量传递，而在电致发光中，Tm被过热电子碰撞激发而非能量传递，在所研制的电致发光器件中，稀土TmF3掺杂浓度不同，器件的发光性能也不同，在双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件的基础上，改变器件的结构，发现器件的蓝光发射与红光发射之比增加，并对Tm离子可能的发光机理进行了探讨。     

一种新结构ZnS：Tm^3＋薄膜电致发光器件的研究

采用电子束蒸发法制备了一种新结构（ITO／SiO2/ZnS:TmF3/SiO2/ZnS:TmF3/SiO2/Al)的薄膜电致发光器件,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为这是由于SiO2夹层起到了加速电子和提供界面的作用。     

CdS:Mn/ZnS核壳结构纳米晶体的场致发光性质

锰掺杂的核壳结构CdS:Mn/ZnS纳米晶体由胶体化学方法制备,并将该纳米晶体所形成的薄膜夹在两层Ta₂O₅薄膜中间,形成交流薄膜电致发光器件。该器件的电致发光强度随着环境温度的升高呈现先增强后减小的变化规律,并且Mn杂质的位置会影响其电致发光谱。     

CdS:Mn/ZnS核壳结构纳米晶体的场致发光性质

锰掺杂的核壳结构CdS:Mn/ZnS纳米晶体由胶体化学方法制备,并将该纳米晶体所形成的薄膜夹在两层Ta₂O₅薄膜中间,形成交流薄膜电致发光器件.该器件的电致发光强度随着环境温度的升高呈现先增强后减小的变化规律,并且Mn杂质的位置会影响其电致发光谱.     

ZnS：ErF3和ZnS：HoF3薄膜电致发光的亮度和色度

研究了ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3两种材料制备的交流驱动的绿色电致发光薄膜(ACELTF)的发光亮度和色度与ErF_3和HOF_3掺杂浓度的关系。对于ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3,其最佳掺杂浓度分别为7×10~(-3)和2×10~(-3)mol/mol基质;获得的最高发光亮度分别为900cd/m~2和550cd/m~2。当ErF_3的掺杂浓度由3×10~(-4)mol/mol基质增至3×10~(-1)mol/mol基质时,ZnS:ErF_3薄膜的色座标(x,y值)由0.251,0.664变为0.392,0.586;当HOF_3的掺杂浓度由3×10~(-4)mol/mol基质增至1×10~(-1)mol/mol基质时,ZnS:HoF_3薄膜的色座标值由0.315,0.615变为0.472,0.521。     

有机、聚合物薄膜电致发光器件的研究进展

有机、聚合物薄膜电致发光器件是近年来国际上的一个研究热点。与无机材料相比, 有机材料具有更高的发光效率和更宽的发光颜色选择范围, 并且具有容易大面积成膜的优越性。本文介绍了有机、聚合物薄膜电致发光器件的结构和制备、发光机理以及有关材料的选择, 并对该研究领域的最新动态、器件的稳定性问题以及应用前景进行了讨论。     

交叉驰豫对 ZnS:ErF_3薄膜交流电致发光衰减的影响

利用多极相互作用理论对具有不同 Er~(3+)浓度的 ZnS∶ErF_3交流电致发光薄膜中 Er~(3+)的~2H_(11/2)能级的电致发光衰减曲线进行了拟合。结果表明,Er~(3+)间的相互作用属于偶极—偶极相互作用。近似计算出离子间发生交叉弛豫的临界距离为8.5(?)。利用扩散限制的能量弛豫模型定性地解释了~4F_(9/2)能级电致发光衰减时间随 Er~(3+)浓度增加而延长的实验结果。     

含三苯胺的二苯乙烯化合物的合成及其电致发光性能

电致发光器件在光通讯、光信息处理、视频器件、测控仪器等光电子领域有着广泛而重要的应用价值.无机半导体二极管、半导体粉末、半导体薄膜等电致发光器件尽管已取得了令人注目的成就,但由于其复杂的器件制备工艺,高驱动电压、低发光效率,不能大面积平板显示,能耗较高以及难以解决短波长(如蓝光)等问题,使得无机电致发光材料的进一步发展受到一定的影响.相比之下,有机化合物可通过分子设计的方法合成数量巨大、种类繁多的有机化合物发光材料,使得有机材料构成的电致发光器件有着众多的优势,并成为目前电致发光领域的前沿研究课题之一.有关材料的制备^[1~3],发光机理^[4,5],电致发光器件的制备和性能^[6,7]的研究工作取得了相当大的进展.得到了各种发光颜色的器件,器件的发光亮度也较高.但由于电/光转换效率(量子效率)较低(小于10%),而且稳定性差,目前还只能制备出一些原型器件.     

新型稀土芳香羧酸类配合物的合成及其光致和电致发光性质

合成了新型可溶性稀土芳香羧酸类配合物，测定了有机配体的三重态能级，并考察了其光致发光相对强度、荧光寿命，发现该系列稀土配合物具有很高的光致发光效率。利用其优良的溶解性，采用高聚物掺杂、旋涂技术将其制成薄膜应用于电致发光研究中，成功地制备出具有高色纯度的稀土有机电致发光器件。对于ITO／PVK／PVK：Tb(AS)3Phen：PBD／PBD／Al电致发光器件，其最大亮度为32cd．m^-2。     

吡唑啉衍生物有机电致发光器件中激基复合物的发射

以两种吡唑啉衍生物为空穴传输材料(HTM)和BBOT为电子传输材料组成双层器件, 获得了相对于组成材料的荧光光谱红移和宽化的电致发光. 双层器件和HTM∶BBOT等摩尔混蒸薄膜的光致发光及电致发光测量表明, 该谱带来自HTM/BBOT界面激基复合物的发射, 根据器件的能级图, 激基复合物的类型为BBOT的激发态BBOT⁽与基态的HTM相互作用的复合物. 用HTM∶BBOT混合发光层增加器件中激基复合物的形成界面, 提高了器件的发射性能.     

高效溶液法小分子磷光电致发光器件研究

以小分子化合物CDBP[4,4′-bis(carbazol-9-yl)-9,9-dimethyl-fluorene]为主体材料,Ir(pppy)3[tris(5-phenyl-10,10-dimethyl-4-aza-tricycloundeca-2,4,6-triene)Iridium(III)]为磷光客体材料,采用溶液法和真空蒸镀法相结合的制备工艺,制作了小分子磷光电致发光器件.研究表明,通过器件结构的优化,Ir(pppy)3(重量百分比为2)掺杂的多层绿光电致发光器件效率达22.0 cd/A,最大亮度达到26600 cd/m²,这一结果可与当今基于真空蒸镀的小分子或基于溶液法的高分子磷光电致发光器件性能相媲美.本工作为降低有机电致发光器件的成本,扩展溶液法有机电致发光器件制备工艺中材料的选择范围提供了实验依据.     

稀土配合物Tb(3-metho)3phen掺杂的有机电致发光

合成了一种新型稀土配合物Tb(3-metho)3phen，将其掺杂到导电聚合物PVK中改善了配合物的成膜性和导电性，并对掺杂薄膜进行了荧光，电致发光和形貌的研究，实验表明，存在聚合物到稀土配合物的能量传递，利用能量传递我们得到了窄谱带的绿色有机薄膜电致发光器件。     

Sm(DBM)3phen的光致发光和电致发光性质

制备了一系列基于配合物Sm(DBM)3phen的电致发光器件. 研究了其光致发光(PL)和电致发光(EL)性质, 实验结果表明, Sm(DBM)3phen具有良好的电子注入和传输性能以及电致发光性能. 器件ITO/TPD(50 nm)/Sm(DBM)3phen(50 nm)/Alq3(30 nm)/LiF(1.0 nm)/Al的最大亮度和最大效率分别为150 cd/m2和0.72 cd/A, 器件表现为纯Sm3+离子的发光.     

沉积电位对电沉积ZnS薄膜的影响

采用电沉积方法,在不同沉积电位条件下,在氧化锡铟(ITO)导电玻璃上沉积制备了ZnS薄膜,利用XRD、SEM和UV-VIS测试技术对在不同沉积电位所制备薄膜的晶相结构、表面微观形貌和光学性能进行了表征.研究结果表明:沉积电位在1.5 V—1.7 V范围内制备的ZnS薄膜呈非晶态,其可见光透过率从60 %降低到20 %,薄膜的光学带隙约为3.97 eV.在沉积电位为2.0 V条件下所沉积薄膜为ZnS结晶相和金属Zn混合相,薄膜透过率显著降低.     

基于8-羟基喹啉及其衍生物的有机小分子电致发光材料

有机电致发光器件因驱动电压低、亮度和效率高等优点,已经成为最具潜力的平板显示技术。自以8-羟基喹啉铝为发光材料制备双层有机电致发光器件开始,科研人员在发光材料设计合成方面做了大量工作并取得了重大研究进展。在小分子荧光材料中,8-羟基喹啉及其衍生物为配体的有机金属配合物因合成方法简单、发光效率和亮度高、成膜性好等优点而被广泛应用。本文简述了有机电致发光器件的优点、结构及工作原理,重点介绍了基于8-羟基喹啉及其衍生物为配体的有机小分子电致发光材料的研究现状。从分子设计的角度出发,旨在总结8-羟基喹啉及其衍生物为配体的有机小分子电致发光材料对有机电致发光器件性能的影响,包括:以8-羟基喹啉为单一配体的有机金属配合物展示了良好的电子传输能力、亮度高且可作为基质材料等卓越的特性;通过对8-羟基喹啉的苯氧环或吡啶环进行修饰可以调节电致发光颜色;混合配体的使用可以增加玻璃化温度、改善薄膜形貌进而提高器件的效率和稳定性。最后,对该领域存在的问题和有机电致发光材料的应用前景作了评述。     

一种可溶性酞菁的合成、表征和近红外发光性能研究

以4-硝基邻苯二腈为起始原料合成了β-四-(4-甲氧基苯氧基)酞菁(简称MPPc),通过IR、UV-Vis、1H NMR、质谱和元素分析表征了其结构。分别用真空蒸镀和旋涂发光层的方法制备了3种器件,比较研究了它们的电致发光性能。结果表明,3种器件的电致发光波长大约在896 nm附近,器件B和C的发光强度都比器件A强,在掺杂器件C中,酞菁的质量分数为40(wt)%时其发光强度最强。     

铽配合物Tb(o-BBA)3(phen)有机电致发光研究

合成了一种新的稀土配合物邻苯甲酰苯甲酸-1，10-菲罗啉-铽（Tb（o-DDA）3（phen））并用于有机电致发光。研究了Tb（o-DDA）3（phen）与PVK混合薄膜的光敛发光特性，找出了PVK：Tb的最佳比例为3：1。制备了结构为ITO／PVK：Tb／Al的单层电致发光器件，得到了铽离子的特征光谱，其电流-电压特性（I-V）在一定电压范围内符合空间电荷限制电流机制。研究结果表明稀土铽配合物Tb（o-BBA）3（phert）掺杂PVK体系的光致发光是源于PVK到Tb配合物的能量传递及稀土Tb配合物的直接激发两种作用机制，而电致发光以载流子俘获为主。     

聚合物薄膜电致发光器件

综述了聚合物薄膜电致发光器件的材料、结构、发光机理、研究现状和目前存在的主要问题，同时对发展方向也进行了简单介绍。