有序CdS纳米线阵列的制备和光学特性

应用直流电沉积法在多孔氧化铝模板中制备了高度有序的CdS纳米线阵列,并由XRD、Raman、SEM、TEM和HRTEM等进行物理化学表征.结果表明,沉积在多孔氧化铝模板中的CdS呈六角结构,c轴沿孔长度方向定向生长.紫外吸收光谱研究表明,随着纳米线尺寸的减小,纳米线阵列的吸收边向短波长方向移动,荧光光谱测量显示,CdS纳米线阵列的荧光强度高于氧化铝模板,而且在可见光区的荧光特性与激发波长无关.     

模板法制备硫化物半导体纳米材料

本文以聚氧乙烯类表面活性剂AEO-7形成的六方相液晶为模板分别制备出了CdS 和ZnS 纳米线及中孔结构的CdS及PbS;以阳极氧化铝位模板制备除了一系列硫化物半导体纳米线阵列。     

硫化镉纳米线的电沉积制备及表征

以不同孔径的多孔阳极氧化铝为模板,采用直流电沉积的方法,在含CdCl2和S的DMSO溶液中制备出了CdS纳米线．SEM、TEM表征的结果表明,在不同孔径的多孔阳极氧化铝模板中,通过沉积时间等条件的控制,制得直径不同、长度可达5μm的平行结构、均匀而连续的CdS纳米线阵列．电子衍射和能谱结果显示所得的纳米线属于六方晶系CdS,线中Cd和S原子比接近1：1．     

两步电沉积法制备单晶Au纳米线阵列

以多孔阳极氧化铝为模板,采用两步交流电脉冲沉积法制备具有单晶结构的有序金纳米线阵列.实验表明:在氧化铝模板中由交流电沉积制备的金属纳米线,其成核电压直接影响模板内纳米线的填充率,而生长电压则控制纳米线的结构和形貌均一性.在最佳沉积条件下得到的金纳米线阵列,其填充率高达95%,且具有单晶结构.     

银-四氰基对苯二醌二甲烷纳米线阵列的制备及其场发射性能

采用多孔氧化铝模板法, 通过四氰基对苯二醌二甲烷(TCNQ)与金属Ag的化学反应, 制备了银-四氰基对苯二醌二甲烷(AgTCNQ)纳米线阵列. AgTCNQ的直径由多孔氧化铝模板的内孔直径决定, 而其长度则可由反应时间与多孔氧化铝膜模板的厚度来控制. 所制备的AgTCNQ纳米线阵列表面光滑, 直径均一, 具有良好的场发射特性.     

单晶Ni纳米线阵列的制备与磁性能

采用恒电流沉积方法, 在多孔阳极氧化铝(AAO)模板中制备出了具有单晶结构的Ni纳米线阵列. 采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)技术对制备的Ni纳米线阵列的形貌及结构进行了表征. 利用振动样品磁强计(VSM)对单晶Ni纳米线阵列的磁性能进行了研究. 结果表明, 单晶镍纳米线阵列的易磁化方向为纳米线轴向, 并且与多晶纳米线相比显示出了更高的矫顽力. 直径为30 nm的纳米线具有较高的矫顽力(8.236×104 A/m)和较高的剩磁比(Mr＝0.94Ms).     

金、铜金属纳米棒或纳米线的AFM和SERS的研究(英文)

通过电化学氧化法制备具有不同孔径氧化铝模板 ,利用交流电镀的方法在模板中沉积金属 ,再用酸溶解模板可以得到相应尺度的金属纳米线或纳米棒的阵列 .本文利用原子力显微镜和表面增强拉曼技术分别表征了金和铜两种金属纳米线阵列 .研究结果表明 ,作为探针分子的硫氰(SCN )在金属纳米线上的碳氮三键的振动频率随纳米线直径的增大而蓝移 .这一现象可能是因为尺寸效应对纳米线的费米能级造成影响 ,使不同直径的金属纳米线电子结构存在微小的差别 .     

用模板法制备TiO2纳米线阵列膜及光催化性能的研究

用溶胶-凝胶技术在多孔阳极氧化铝模板的有序微孔内制备了高度取向的TiO2纳米线阵列膜光催化剂.用XRD,AFM和SEM等手段对样品进行了表征.结果表明,TiO2纳米线阵列膜晶型为锐钛矿,从AFM图像中可以看出TiO2纳米线线径分布均匀一致,取向性极好,直径与AAO模板的孔径大小一致.以其对吖啶橙的降解效果作为评价光催化活性的标准,与相同条件下制备的TiO2/玻璃膜相比,TiO2纳米线阵列膜具有很好的催化活性.     

氧化铝模板中Ag纳米线阵列的选择性生长

利用Ag离子与Br离子之间的化学沉积作用在孔隙中充满明胶的阳极氧化铝(AAO)模板中制备了AgBr/AAO纳米介孔复合材料.材料选择性曝光后,利用原位显影液对其进行化学显影,在AAO模板中选择性得到Ag纳米线阵列.实验结果表明:Ag纳米线是连续的、致密的,且具有多晶结构,充满了曝光部分的模板孔隙.本文还对影响Ag纳米线选择性生长的因素进行了简单讨论.     

MnS纳米线阵列上MnS花状球的水热合成

通过水热处理的方法,在氧化铝模板表面生成的MnS纳米线阵列上合成了六方相MnS花状球。利用场发射扫描电镜,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和X射线衍射对制备的样品进行了分析与表征。结果表明MnS花状球是在MnS纳米线阵列上生长的,纳米线的直径为70～80nm,与氧化铝模板的孔径一致且结晶性较好。随着阳极氧化氧化铝模板(AAO)的孔洞长度的减少,MnS花状球的数量快速增加。提出了MnS复合纳米结构可能的生长机制:氧化铝模板和反应中硫脲分解产生的H2S气体对产物的最终形貌有很重要的影响。室温光致发光光谱显示在420nm处存在一个很强的MnS带边发射峰。     

在样模制备法中影响有序金属Ni纳米线尺寸的因素

以多孔氧化铝为样模,运用电沉积法向样模的微孔中沉积金属Ni,制备得到了有序排列的金属Ni纳米线阵列;以透射电镜为主要表征手段,系统地研究了多孔氧化铝样模的制备条件对金属Ni纳米线尺寸的影响;结果表明：制备多孔氧化铝样模过程中的氧化介质、氧化温度、氧化电压以及氧化后的扩孔时间影响Ni纳米线的直径和长度,而电沉金属镍时的沉积电压和沉积时间则主要影响纳米线的长度。     

Ordered nickel oxide nanowire arrays and their optical absorption properties

Ordered NiO nanowire arrays embedded in anodic alumina membranes have been prepared by using an electrochemical deposition method. After annealing at 300 °C, the NiO nanowire arrays were characterized using SEM, TEM, SAED, and XRD. SEM and TEM observations reveal that these nanowires are dense, continuous and arranged roughly parallel to one another. XRD and SAED analysis together indicate that these NiO nanowires crystallize with a polycrystalline structure. The optical absorption band gap of NiO nanowire arrays is 3.74 eV, and no obvious blue shift or red shift with respect of that of the bulk NiO can be observed.     

Fabrication and characterization of single-crystalline ZnTe nanowire arrays

Semiconductor ZnTe nanowire arrays have been synthesized by the pulsed electrochemical deposition from aqueous solutions into porous anodic alumina membranes. X-ray diffraction analyses show that the as-synthesized nanowires have a highly preferential orientation. Scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, and high-resolution transmission electron microscopy indicate that high-filling, ordered, and single-crystalline nanowire arrays have been obtained. The optical absorption spectra of the nanowire arrays show that the optical absorption band edge of the ZnTe nanowire array exhibits a blue shift compared with that of bulk ZnTe. The growth mechanism and the electrochemical deposition process are discussed together with the chemical compositions analysis.     

硅基多孔氧化铝模板非水电沉积CdS纳米线的研究

纳米材料,包括尺寸为纳米量级的超细微粒?线?薄膜?量子阱和超晶格等引起了人们广泛的重视 [1,2] ?其中 , 半导体纳米微粒和由其构成的纳米固体结构开辟了材料科学研究的新领域?硫化镉 (CdS) 作为一种重要的Ⅱ - Ⅵ族无机半导体材料 , 具有独特的光电性质 , 在光电化学电池和多相光催化反应中都有广泛应用?近年来 , 已有大量关于合成 CdS 纳米结构的文献报导 [3～12] , 所采用的方法如反胶束法?单分子膜法?自组装法以及电化学沉积法等 , 其中非水电解与模板技术相结合的制备方法引起了人们高度的重视并且被广泛的采用?自从 Baranski 等在上…     

Electroless Deposition of Nickel Nanowire and Nanotube Arrays as Supports for Pt-Pd Catalyst for Ethanol Electrooxidation

Nickel nanowire and nanotube arrays as supports for Pt-Pd catalyst were prepared by electroless deposition with anodic aluminum oxide template. Pt-Pd composite catalyst was deposited on the arrays by displacement reaction. SEM images show that the nickel nanowires have an average diameter of 100 nm and the nickel nanotubes have an average inner diameter of 200 nm. EDS scanning reveals that elemental Pt and Pd disperse uniformly on the arrays. Cyclic voltammetry study indicates that the nickel nanotube array loaded with Pt-Pd possesses a higher electrochemical activity for ethanol oxidation than the nickel nanowire array with Pt-Pd.     

Fe-Co-Ni合金纳米线有序阵列的模板合成与磁性

以二次阳极氧化的氧化铝膜为模板，用电化学沉积的方法成功地合成了Fe-Co-Ni三组份有序纳米线阵列.扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜(TEM)观察表明纳米线表面光滑、有序、高长径比；磁性测量表明,其矫顽力较同组份的膜材料有较大的提高.将样品在惰性气体氛围中不同温度下退火，随着退火温度增加，其纵向矫顽力有一个极值，而对应的横向矫顽力没有类似的变化，关于这一现象的机理,本文进行了初步的讨论. 图5参15     

Sb有序单晶纳米线阵列的制备

采用直流电沉积的方法在氧化铝模板（AAM）中成功地制备了Sb单晶纳米线阵列. X射线衍射（XRD）证明所制得的纳米线阵列为(110)取向的六方相Sb.透射电镜（TEM）显示Sb纳米线平滑而均匀,直径40～50 nm,长径比大于1000.选区电子衍射（SAED）结果表明,所制得的纳米丝为Sb单晶丝.场发射扫描电镜（FE-SEM）显示Sb纳米线阵列规则,填充率接近100％.     

糖葫芦状二氧化钛纳米线阵列的制备及其光催化性能

 采用溶胶-电泳技术,在多孔阳极氧化铝(PAA)模板的有序孔洞中制备了高度取向的糖葫芦状TiO2纳米线阵列光催化剂,通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射对样品进行了表征. 结果表明, TiO2纳米线为锐钛矿晶型,纳米线直径与PAA模板的孔径一致,且分布均匀. 纳米线取向性极好,每根纳米线都具有周期性凹凸,形似糖葫芦,因此命名为糖葫芦状TiO2纳米线阵列. 以甲基橙的降解反应评价了光催化剂的活性,与相同条件下制备的TiO2/玻璃膜相比, TiO2纳米线阵列在光照1 h时对甲基橙的降解率达到93.6%, 比前者提高了40.2%, 具有很好的光催化活性.     

吡啶在几种金属纳米线阵列上的表面增强喇曼光谱

近20多年来利用表面增强喇曼光谱（SERS）的研究还仅限于Ag,Au,Cu这三种具有强SERS效应的金属,最近,田中群等利用合适的表面处理方法和共焦曼光谱技术成功地获得了许多无机离子和有机小分子吸附在一系列的过渡金属（如Pt,Ni,Fe,Pd,Rh,Co,Ru等）上的SERS光谱,拓宽了SERS的应用范围,但这些表面处理方法对基底进行处理时存在着较大的随机性,从而导致对所得SERS信号的解释困难。近年来通过自组装膜、模板合成等技术可得比较有序具有强SERS效应的或表面,例如Nie等最近发现尺寸分布狭窄的Ag溶胶粒子（约80－100nm）能诱导出巨大的SERS增强;Freeman和C tffumj m jf rbutb uqf At A 体微粒组装在聚合物基底上,制得高活性的SERS基底,以上工作都表明制备有序纳米级金属颗粒表面将推动SERS的应用和机理研究,迄今,3半导体纳米线阵列上的喇曼光谱已有报道,而利用金属纳米线阵列作为SERS基底除半于样模合成法制备的Ag纳米线阵列上的SERS之外,尚未见其它相关报道,本文主要研究样模合成法制备金属纳米线的过程,并以此为基底研究吡啶吸附的SERS光谱。