光致变色液晶高分子研究（Ⅲ）──含胆甾介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷的液晶行为

用热台偏光显微镜、Ｘ射线衍射和ＤＳＣ研究了含胆甾介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷（ＰＳＩ）的液晶性．将非介晶基元并入液晶均聚物，所得共聚物的液晶态类型不变，仍显示近晶型织构，在ＰＳＩ共聚物中，保持液晶性的含介晶基元单体的最低极限组成为６０ｍｏｌ％．在液晶性存在的范围内，共聚物的清亮点由１３０℃升至１７０℃，液晶共聚物的热稳定性随非介晶组分含量的增加而增强．     

光致变色液晶高分子研究(Ⅳ)─含苯甲酸－4－甲氧基苯酯介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷的液晶行为

用热台偏光显微镜和DSC法研究了含苯甲酸-4-甲氧基苯酯介晶基元和偶氮苯光色基元侧链共聚硅氧烷(PSⅡ)的液晶性。将非介晶基元并入液晶均聚物PSⅡ-1,共聚物PSⅡ-2、PSⅡ-3的液晶态类型不变,PSⅡ-4仅存在近晶相,PSⅡ-5～8无双折射现象,保持共聚物液晶性的最低含介晶基元单体的极限摩尔含量为80%.在液晶共聚物中,非介晶基组分含量增加时,其T_m、ΔH_m和ΔS_m降低;非介晶组分在10mol%时,T_i、ΔH_i和ΔS_i具有最小值。     

液晶基元直接竖挂于主链上的液晶共聚物的研究

合成了含液晶基元的单体，４＋４＇－（对甲氧基－苯甲酰氧基）－苯甲酸氧基］－苯基－甲基丙烯酸酯，以及由此单体与苯乙烯，通过自由基共聚合反应合成了一系列含液晶性和非液晶性两种序列结构的共聚物．采用ＤＳＣ、偏光显微镜和Ｘ－衍射方法研究了共聚物的液晶行为，发现单体和所有的共聚物（除ＣＰ—９外）均有很好的热致液晶性及较宽的液晶态温度范围；随苯乙烯单体单元摩尔百分含量的增加，共聚物的分子量、相转变温度和热失重温度基本上呈下降趋势．通讯联系人０．ｓｇ／ｄｌ的溶液，于４０ｏＣ用乌氏粘度计测定．ｌ·２单体合成合成路线如下：化合物Ｉ、１１、Ｉｌｌ和ＩＶ的制备按文献ｌ’］的方法进行．化合物１、１１、Ｉｌｌ和ＩＶ经元素分析、‘Ｈ—ＮＭＲ和ＭＳ等表征，结果与其化学结构～致．１．３聚合物的合成聚合反应和共聚物结构式表示如下：按单体（ＩＶ）与苯乙烯不同摩尔比，以ＤＭＦ为溶剂，ＡＩＢＮ为引发剂（相当于单体摩尔数的０．５０）．通过封管聚合，在６０ｏＣ水浴中反应３６ｈ，升温至７０ｏＣ反应１２ｈ，抽滤，用ＤＭＦ和甲醇洗，真空干燥．２结果与讨论２．ｌ含液晶基元的单体（Ｉ）化合物１、１１、Ｉｌｌ和ＩＶ经测试分析结果与其化学结构一致．由表１可见，单体?     

光致变色液晶高分子的研究（Ⅰ）—含胆甾介晶基元侧链聚硅氧烷…

用ＰＯＭ、ＤＳＣ和ＷＡＸＤ研究了十一烯酸胆甾酯及含胆甾介晶基元侧链聚硅氧烷的液晶行为。单体呈现胆甾相的油条及螺旋织构，单致变近晶相的扇形织构和固－固相变。均聚物显示ＳＡ相的扇形织构。     

液晶基元直接横挂于主链上的液晶共聚物研究

以含有液晶基元的单体，２，５－双（４－甲氧基苯甲酰氧基）苯乙烯与丙烯醇，通过自由基共聚合反应，首次合成了一系列含液晶性单体和非液晶性单体两种结构的共聚物．采用ＤＳＣ、偏光显微镜和Ｘ－衍射方法研究了共聚物的液晶行为，发现单体和所有的共聚物均有明显的热致液晶性及较宽的液晶态温度范围；随共聚物中液晶性单体含量增加，共聚物玻璃化转变温度Ｔｇ和热分解温度Ｔｄ有所上升，但Ｔｇ的变化较小．     

含硝基偶氮苯侧基的丙烯酸酯液晶聚合物的合成,结构与性…

以含硝基偶氮苯侧基的丙烯酸酯液晶聚合物为研究对象，利用ＤＳＣ、ＷＡＸＤ、偏光显微镜等手段研究了分子结构对侧链液晶聚合物结晶行为的影响。结果表明：丙烯酸酯类液晶聚合物的晶区是由介晶基团的规整排列形成的，大分子主链和柔性间隔基不参与结晶。随着柔性间隔基长度的增加，晶区分子排列有序性提高，结果度增大；非晶共聚组分ＭＡ含量的增加，限制了介晶基团的有序排列，当ＭＡ含量超过８３％后，只得到非晶共聚物。     

含聚碳酸酯,4—羟基苯甲酸,己二醇和1,4—苯二甲酸结构的嵌段共聚物的…

以端酰氯基因的热致液晶共聚酯ＨＴＨ－６和端酚羟基的聚碳酸酯齐聚物为原料，通过溶液缩聚法制备了含ＰＣ和ＨＴＨ－６的嵌段共聚物，并用ＩＲ、ＰＯＭ、ＤＳＣ、ＷＡＸＤ等手段对共聚物结构，热行为和结晶行为进了表征。ＤＳＣ和ＰＯＭ结果证明这些嵌段共聚物都属向列型热致性液晶。在２８０℃以睛的温度范围内无相分离，而在较高温度为两相结构，共聚物的结晶结构与ＨＴＨ－６相同，结晶度随ＨＴＨ－６含量增加而增加，结晶速度也     

液晶共聚物与PSF原位复合的界面研究

合成了两种热致性液晶共聚酯ＢＰ—ＬＣＰ和ＳＤＰ—ＬＣＰ，对其熔融指数、取向性作了考察。选用基体聚砜（ＰＳＦ）与液晶共聚酯进行熔融共混，得原位复合材料。ＳＥＭ断口形态显示了两种液晶在基体中不同的成纤性，并显示出两相的不相容性。采用ＦＴ—ＩＲ方法分析了液晶共聚酯与ＰＳＦ界面间的分子相互作用。进一步研究发现在ＰＳＦ／ＢＰ－ＬＣＰ原位复合体系中加入含ＰＳＦ和ＢＰ－ＬＣＰ的嵌段共聚物，其相容性得以改善     

三代树状碳硅烷液晶研究——端基含丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的三代树状碳硅烷(D3) 液晶,并用元素分析,核磁共振,激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS),红外、 紫外、偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征，D3为向 列相与M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D3相行为；K79N1261116N，D3熔 点比M5降低33℃，D3清亮点比M5增加2℃，D3液晶态温区比M5加宽35℃。     

含聚碳酸酯、4-羟基苯甲酸、己二醇和1,4-苯二甲酸结构的嵌段共聚物的合成与表征

以端酰氯基团的热致液晶共聚酯ＨＴＨ ６和端酚羟基的聚碳酸酯（ＰＣ）齐聚物为原料，通过溶液缩聚法制备了含ＰＣ和ＨＴＨ ６的嵌段共聚物，并用ＩＲ、ＰＯＭ、ＤＳＣ、ＷＡＸＤ等手段对共聚物结构、热行为和结晶行为进了表征．ＤＳＣ和ＰＯＭ结果证明这些嵌段共聚物都属向列型热致性液晶．在２８０℃以下的温度范围内无相分离，而在较高温度（＞２８０℃）为两相结构．共聚物的结晶结构与ＨＴＨ ６相同，结晶度随ＨＴＨ ６含量增加而增加，结晶速度也受到ＰＣ含量的影响．     

一代树状碳硅烷液晶的光化学研究－－端基含12个4－丁氧基氮苯介晶基元

研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的五代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介 晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N，N－二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量 子产率、反－顺光异构化、光回复异构、反／顺异构组分比、热回复异构及活化能 。D1和M5的光致变色速率常数为10~(-1)s~(-1)，而含同一偶氮基元的光致变色液 晶聚硅氧烷的光致变色速率常数为10~(-8)s~(-1)，因此，液晶树状物D1的光响应 速度比后者快10~7倍。     

新型偶氮苯类树状液晶的合成及表征

采用酯化反应合成端基含8个甲氧基偶氮苯介晶基元的新型树状液晶分子，并用元素分析、核磁共振(NMR)、红外光谱(IR)、差示扫描量热(DSC)和偏光显微镜(POM)表征树状液晶分子的结构与液晶性。结果表明：树枝状液晶分子在76℃表现出近晶态(S)向向列态(N)转变；在137℃表现出向列态向各相同性态转变；通过偏光显微镜观察到近晶态典型的焦锥织构，向列态典型的丝状织构。     

一代树状碳硅烷液晶的光化学研究－－端基含12个4－丁氧基氮苯介晶基元

研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的五代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介 晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N，N－二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量 子产率、反－顺光异构化、光回复异构、反／顺异构组分比、热回复异构及活化能 。D1和M5的光致变色速率常数为10~(-1)s~(-1)，而含同一偶氮基元的光致变色液 晶聚硅氧烷的光致变色速率常数为10~(-8)s~(-1)，因此，液晶树状物D1的光响应 速度比后者快10~7倍。     

新型液晶基元——对烯丙氧基苯甲酸对氰基苯羟酯的合成及其液晶性能

以烯丙基溴,对羟基苯甲酸和对氰基苯酚为主要原料,通过Williamson和酯化反应合成了一种新型的具有反应活性的液晶基元——对烯丙氧基苯甲酸对氰基苯羟酯(1),产率60.1%,其结构经1H NMR和IR表征。DSC,热台偏光显微镜和X-射线衍射分析表明,1具有液晶性,介晶区间为81℃;在升温及降温过程中呈现出的扇形织构隶属于近晶C晶型,为互变双向性液晶基元。     

点击化学合成盘-棒-盘状液晶三聚体

本文设计并合成了一系列盘-棒-盘状液晶三聚体.此类三聚体由两个相同的苯并菲盘状介晶基元和一个联苯棒状介晶基元通过CuI-NEt3体系催化端基炔和端基叠氮化合物的点击反应连接形成.该三聚体结构通过核磁、红外和高分辨质谱表征;介晶性通过偏光显微镜(POM)、差示扫描量热法(DSC)和X射线衍射(XRD)进行了研究.结果显示:此类液晶三聚体均为室温液晶,呈现四方柱状相(Colr).连接3个介晶基元的柔性间隔基的长度对化合物的相转变温度具有明显影响.     

西佛碱型液晶聚氨酯的合成及表征

亚甲基二异氰酸酯（ＨＤＩ）,甲苯二异氰酸酯（ＴＤＩ）及４,４’－二苯基甲烷二异氰酸酯（ＭＤＩ）进行缩聚,得到晶液聚氨酯ＢＨＢＡＰ－ＨＤＩ,ＢＨＢＡＰ－ＴＤＩ及ＨＢＨＡＰ－ＭＤＩ,其液晶性质用ＤＳＣ,Ｘ－光射线衍射及热台偏光显微镜进行了表征。ＢＨＢＡＰ－ＨＤＩ,ＢＨＢＡＰ－ＴＤＩ分别在２００￣２３１℃,１６７￣２１１℃区域显示液晶行为,而ＢＨＢＡＰ－ＭＤＩ的熔融温度则高于２８０℃。并且利用ＤＳＣ对Ｂ     

聚吡咯衍生物的合成及液晶性能

系统论述了新型导电功能性液晶聚合物3-和N-液晶基元取代聚吡咯的合成和液晶行为。指出通过化学氧化聚合、电化学氧化聚合和脱卤缩合聚合可以获得液晶性聚吡咯衍生物。它们均显示热致液晶行为，且多数呈现近晶液晶相，少数呈现向列液晶相，有些具有2种近晶相，有些具有单变液晶性。N-液晶基元取代聚吡咯比3-位取代聚吡咯具有较高的液晶稳定性。较长的亚甲基间隔和极性的介晶基团能够使N-取代聚吡咯具有较大的液晶微区和稳定的液晶相。N-取代液晶聚吡咯在摩擦力的作用下还可以诱发单轴取向。这种热致液晶性聚吡咯衍生物的研究成功有希望克服聚吡咯难以成型加工的巨大障碍。     

一代树状碳硅烷液晶研究－端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含12个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的一代树状碳硅 烷（D1）。并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、 偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征。D1为向列相与 M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D1相行为：K82N133I132N67K，D1熔点 比M5降低30－43℃，D1清亮点比M5增加9－11℃，D1介晶相区比M5加宽39－54℃， 观察到8条黑刷的树状物的高强向错（S＝＋2），D1清亮焓值略低于通常液晶n-i相 变清亮焓值，原因是枝化的树状物核心不易完全变形为液晶态的各向异性结构。     

二代树状碳硅烷液晶研究——端基含36个己氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜,DSC和WAXD法进行表征.D2为向列相,与M3相同.D2液晶态相行为是K90N105I1l3N75K,D2熔点比M3降低2633℃,D2清亮点比M3降低315℃,D2液晶态温区比M3加宽1130℃.D2和一代树状物D1的相态由介晶基元相态决定.D2熔点比D1降低23℃.D2清亮点比D1降低1121℃,D2液晶态温区比D1减少819℃.     

侧链型丙烯酸酯共聚物相变的正电子湮没谱研究

利用正电子湮没技术对侧链型热致高分子液晶丙烯酸酯共聚物进行了变温相变研究．除实验标识出样品的相变温度点外，根据试样中自由体积随温度的变化关系，对高分子液晶材料内部立链、侧链以及介晶基元的相变行为特点进行了探讨，并就与小分子液晶变化特点的一些不同做了解释．