碱熔-电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)测定高碳高硅钢中的硅含量

研究了过氧化钠碱熔-电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)测定高碳高硅钢样品中的硅含量分析方法。样品经过氧化钠熔融和盐酸浸取后,以信号的稳定性为原则,优化了仪器最佳测定参数,选择了合适的分析谱线,实现了电感耦合等离子体发射光谱法对高碳高硅钢中硅含量的测定。通过实验探讨了钠离子、钢中基体元素铁等对硅含量测定干扰情况,测定结果的相对标准偏差不大于2%(n=6)。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定锰铁中锰含量

提出了电感耦合等离子体原子发射光谱法测定了锰铁中锰的含量。选择用氢氧化钠和过氧化钠熔融样品,然后用盐酸浸取;样品溶液稀释25倍后,在分析谱线293.306nm处进行测定。采用漂移校正技术和标准物质校正技术消除干扰。方法用于高碳锰铁、中碳锰铁、低碳锰铁等标准物质的分析,测定结果与标准值相一致,相对标准偏差(n=7)在0.16%~0.31%之间。     

碱熔-电感耦合等离子体发射光谱法测定锡矿石中锡

本文采用过氧化钠碱熔消解样品,电感耦合等离子体发射光谱( ICP-AES)法,对锡矿石中锡含量进行了测定。当样品称样量为0.2g时加入2g过氧化钠就能使样品消解完全。为避免水解对测定结果的影响,样品处理后应尽快进行测定。本方法测定锡的检出限为38.4mg/ kg,12次平行测定的相对标准偏差小于5%,对标准物质的测定结果也令人满意。     

碱熔-电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定锡矿石中锡

采用过氧化钠碱熔消解样品,电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法对锡矿石中锡含量进行了测定。当样品称样量为0.2g时,加入2g过氧化钠就能使样品消解完全。为避免水解对测定结果的影响,样品处理后应尽快进行测定。测定锡的检出限为38.4mg/kg,12次平行测定的相对标准偏差为小于5%,对标准物质的测定结果也令人满意。     

碱熔-电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法测定钨锡矿石中钨锡钼铜铅锌硫砷

钨锡矿石共生与伴生元素多,为克服常用的钨锡矿石中锡、钨、钼、铜、铅、锌、硫、砷等8种元素检测过程程序繁琐,效率低下问题,通过在刚玉坩埚中直接加入氢氟酸挥发掉样品中的二氧化硅,用过氧化钠熔融已除硅的样品,再以酒石酸+磷酸+盐酸提取,解决了碱熔酸化的样品溶液中硅胶的影响和钨、锡等元素的不稳定性问题,建立了电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法直接测定样品中的锡、钨、钼、铜、铅、锌、硫、砷的方法。系统研究了过氧化钠熔剂的用量对各元素的影响,考察了引入单一酒石酸的络合作用和酒石酸+磷酸的混酸对各元素的影响,结果表明,过氧化钠用量为1.0 g时样品可以完全分解;单一酒石酸的络合作用有限,钨含量高的样品容易发生沉淀,而酒石酸+磷酸的混酸可以使钨在溶液中长期稳定,而对其他元素没有影响。选用5个钨、锡矿石国家一级标准物质按照本方法进行处理,测定结果均在认定值的误差范围内;采用4个实际样品与标准方法进行比对实验,各元素检测结果无显著差异。各元素的光谱强度在0～200 μg/mL浓度范围内呈良好的线性关系,相关系数（r）均在0.999 9以上,方法检出限值为3.0μg/g～25.0 μg/g,相对标准偏差RSD（n=12）为0.33%～7.0%。方法测试过程操作简便,检测结果准确、可靠,在多元素大批量的样品检测中具有明显优势。     

电感耦合等离子体光谱法测定铜冶炼烟尘中锌

本实验介绍了电感耦合等离子体光谱法测定铜冶炼烟尘中锌含量的分析方法。针对样品碳,硅含量高的特点,有针对性的研究了样品的消解方法,确定采用盐酸、硝酸、氢氟酸、高氯酸对铜冶炼烟尘样品进行消解。同时进行了干扰试验,确定样品中高含量的铜,铅,砷等对样品测定结果没有影响。并对仪器的工作参数进行了优化。方法检出限为为0.011 mg/L,测定下限为0.019 mg/L,3个样品的相对标准偏差在0.54%~0.92%之间,加标回收率在96%~101.14%之间。该方法样品消解完全,流程短,操作简单,快速,测定准确度高,可以满足铜冶炼烟尘中锌含量的测定。     

固体进样石墨炉原子吸收光谱法测定船用燃料油中硅、铝含量

建立了固体进样石墨炉原子吸收光谱法测定船用燃料油中微量硅、铝元素含量的快速检测方法。通过选择谱线和背景校正模式,优化了石墨炉条件;根据待测样品及元素特点优化了升温程序。硅、铝的测定波长分别为251.6,394.4 nm,采用塞曼背景校正,样品无需前处理,直接通过石墨舟进样检测。燃料油中硅、铝元素的检出限分别为0.165,0.126 ng;3个浓度水平下,硅元素平均回收率为88%~92%,铝元素平均回收率为93%~95%,测定结果的相对标准偏差为4.2%~10.7%(n=6)。采用本法对实际燃料油样品进行测定,硅、铝元素的测定结果与IP 501方法测定结果基本一致。该方法取样量少、操作简便、快速,检验结果准确度高、稳定性好,适用于船用燃料油中微量硅、铝元素含量的定量检测。     

高碳铬铁中铬的快速分析方法

高碳铬铁试样较难溶解,是由于高碳铬铁试样中的碳和氮与铬形成稳定状态下的碳化铬和氮化铬等所致,所以高碳铬铁中铬的分析,一般采用过氧化钠熔融法分解试样,这样,需要高温设备和铁坩埚,温度不易控制,如操作不当,铁坩埚容易被击穿,造成损失。为此,本法选用快速溶样法替代过氧化钠熔融法,并进行了高碳铬铁试样在不同介质中的溶     

高压密闭消解-钼蓝分光光度法测定钴铬烤瓷合金中硅

在HNO3-HCl-HF混酸中高压密闭消解,采用钼蓝分光光度法测定钴铬烤瓷合金中的硅量。研究了酸体系、消解时间及共存离子对硅测定的影响。方法用于已知样品的测定,相对标准偏差小于3%(n=11),加标回收率为98.9%~101%。方法精密度高、准确度好,能够满足钴铬烤瓷合金中硅含量测定的要求。     

读者园地

问 :ＮａＦ ＳｎＣｌ2 光度法测定磷时 ,哪些元素的存在会干扰测定 ?如何消除 ?浙江读者———潘国华　　　　答 :该方法测定磷时 ,可能产生干扰的主要是那些也能形成杂多酸的元素 ,在研究分析方法时 ,已充分考虑了这些因素 ,因而 ,方法的选择性较好。硅一般含量不干扰测定 ,生铁中硅含量高时 ,可加酒石酸钾钠抑制 ;测定硅钢 (大于 1 % )时 ,可用高氯酸冒烟脱水除硅。锰无干扰 ,但在测定高锰钢试样时 ,必须用高氯酸冒烟 1 5～2 0ｍｉｎ(冒烟不要剧烈 ,以免酸蒸发影响显色酸度 )至有明显棕色二氧化锰沉淀析出 ,否则结果偏低。砷含量ｗ(Ａｓ) …     

化学转化-气相色谱法测定氮化硅中的游离硅

建立了用化学转化－气相色谱法测定氮化硅中游离硅的分析方法。游离硅和氮化硅与熔融的氢化钠反应,排出氢,氨和少量二氧化碳和水蒸汽。吸收除去氨、二氧化碳和水蒸汽后,用热导检测器检测氢。方法简便,准确,平均回收率为９６％,相对标准偏差〈５％。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES) 测定ZL101铸铝合金中硅的含量

采用氢氧化钠溶解样品,建立了电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定ZL101铸铝合金中硅含量的分析方法。实验过程中优化了仪器的工作条件,选择硅测定最佳分析谱线。用含被测元素的标准样品绘制工作曲线,代替常用的内标工作曲线来校正方法,以消除共存元素和基体物质的影响。实验表明,硅测定的相关系数大于0.999,相对标准偏差为0.92%(n=10)。方法准确快速、精密度高,分析结果完全能够满足工业化生产控制要求。     

等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量

针对分光光度法测定游离总硅含量受干扰因素多、测试数据不稳定的缺点,探讨了采用ICP-AES法测定碳化硅中游离总硅含量。采用行星球磨仪对碳化硅样品进行研磨,以硝酸钠、硝酸、氢氟酸作溶剂,采用微波消解法处理样品。选择212．412nm特征谱线并以其强度U）与对应的硅浓度（c）建立校准曲线,硅的质量浓度在10-100μg／mL范围内与特征谱线强度呈良好的线性关系,线性方程为I=233．76c＋86．94,线性相关系数间．997,检出限为0．027μg／mL。测定结果的相对标准偏差为1．35％～2．79%（n=6）。加标回收率为97．6％～108．0％。该法测定碳化硅中游离总硅含量是可行的。     

高碳铬铁中磷,硅,锰的电感耦合等离子体原子发射光谱测定方法的研究

采用过氧化钠在石墨坩埚中熔融分解样品，硝酸酸化后直接用ＩＣＰ测定。磷，硅，锰的测定范围分别为０．００５％－０．０７５％，０．３０％－６．００％，０．０３％－２．００％，相对标准偏差ＲＳＤ≤６．０％。     

石墨炉原子吸收法直接测定高温合金中硅

研究了混合基体改进剂，灰北、原子化温度以及共存元素的干扰，采用镧和钙作混合基体改进剂后，硅的灵敏度提高，抗干扰能力增强，可以用石墨炉原子吸收直接测定高温合多中硅。方法特征量为０．２ｎｇ，检出限为２．３μｇ／ｇ，对于含硅量为４００μｇ／ｇ左右的合金样品，相对标准偏差为５％左右，回收率在９０％－１１０％之间。     

高频红外碳硫分析仪测定含碳化硅耐火材料中碳化硅含量

采用对试样进行灼烧预处理的方法,除去游离碳,用锡粒、纯铁、钨粒作为助熔剂,并以钢铁标准样品校正仪器,高频燃烧红外吸收法测定含碳化硅耐火材料中的碳化硅含量,测定结果的相对标准偏差为1.07%(n=6),该法与化学法的测定结果较接近,精密度和准确度均满足化学分析的要求。     

电感耦合等离子体发射光谱法测定二氧化铀中痕量磷和硅元素

研究了电感偶合等离子体发射光谱法测定二氧化铀(UO2)中痕量磷和硅元素含量的方法。经过对HNO3,H2O等试剂的多级纯化,获得超低空白的高纯试剂。对样品溶解、待测杂质元素与铀基体分离等过程从机理方面进行了研究。在分离铀基体与硅元素时用磷酸三丁酯(TBP)作萃取剂,二甲苯作为稀释剂;在分离铀基体与磷元素时用三辛胺(TOA)作萃取剂,二甲苯作稀释剂。二氧化铀中磷、硅元素检出限分别为0.012,0.078μg/g,加标回收率分别为98%,96%,相对标准偏差小于4%(n=6)。该方法重现性好、检出限低,满足生产和科研检测要求。     

铜精矿中二氧化硅含量的快速测定

采用碱熔样硅钼蓝分光光度法测定铜精矿中二氧化硅的含量。讨论了熔融条件、吸收波长、溶液酸度、水浴加热时间、显色时间以及共存离子干扰等条件对测定结果的影响。确定以氢氧化钠为熔剂,在680℃熔融15 min,熔样效果最佳;根据样品中二氧化硅的含量选择波长,当二氧化硅含量小于1%时,选用810 nm为分析波长,二氧化硅含量为1%~15%时,选用650 nm为分析波长;在酸度为0.15~0.20 mol/L盐酸溶液中,水浴加热60 s,显色15min,显色效果为最佳。使用硫酸亚铁铵作为还原剂。方法的加标回收率在94.8%~98.8%之间,5个样品独立测定结果的相对标准偏差为0.26%~4.48%(n=11),标准样品测定结果与标准值吻合。该方法简单、快速、准确,适用于铜精矿中二氧化硅含量的测定。     

Silicon Oxycarbide Glasses

The first attempts to introduce carbon into glass date back to 1951. But up until recently, the use of carbon or carbide raw materials, and the oxidation, volatilization and decomposition that accompany high temperature melting, have limited the synthesis of true silicon oxycarbide glasses. Here, the term silicon-oxycarbide refers specifically to a carbon-containing silicate glass wherein oxygen and carbon atoms share bonds with silicon in the amorphous, network structure. Thus, there is a distinction between black glass, which contains only a second-phase dispersion of elemental carbon, and oxycarbide glasses which usually contain both network carbon and elemental carbon. In addition to exploring the unique properties and applications of these glasses, per se, they are also of interest for developing models of the residual amorphous phases in polymer-derived silicon-carbide and silicon-nitride ceramics.The application of sol/gel techniques to glass synthesis has significantly advanced the development and characterization of silicon oxycarbide glasses. In this approach, alkyl-substituted silicon alkoxides, which are molecular precursors containing oxygen and carbon functionalities on the silicon, can be hydrolyzed and condensed without decomposition or loss of the carbon functional group. A low-temperature (<1000°C) heat-treatment of the gel creates a glassy silicate material whose molecular structure consists of an oxygen/carbon anionic network. In addition, there is always a blackening of the material due to elemental carbon, which forms during pyrolysis and densification of the gel. The nature of the network carbon, and especially the distribution and form of the elemental carbon, are fundamental to the structure and properties of these novel materials. Their chemical and physical characteristics as revealed by NMR, Raman and TEM are discussed in the overview. In addition, the high temperature stability of these glasses (up to 1750°C), and the effect of hot-pressing, are described.It will be shown that the silicon oxycarbide network is stable up to 1000–1200°C. The network carbon is terminated with hydrogen (i.e., CH, =CH2 and –CH3), and with polyaromatic carbon (i.e., nC6Hx) wherein most of the elemental carbon resides. These glasses can be described as molecular composites of polyaromatic graphene-rings dispersed in a silicon oxycarbide network. After heating to temperatures in excess of 1000–1200°C, the oxycarbide network decomposes through the loss of hydrogen, and a two- or three-phase glass-ceramic consisting of nanocrystalline graphite, silicon carbide, and amorphous silica or cristobalite, is created. Some of the properties and applications of these glasses/glass-ceramics for coatings, composites and porous solids are summarized.     

基于浓硼扩散层的硅纳米线谐振子制备

纳机电系统(NMES)由于具有体积小、智能化、可靠性高等优点而被广泛研究。其中纳米线谐振子的本征频率能够达到MHz甚至GHz,可应用于各种高性能的质量传感器、谐振器、滤波器等。但是,要制备形貌规则可控的纳米线谐振子,对加工技术要求很高。目前急需一种工艺简单、重复性好、三维尺度可控的硅纳米线制备方法。本文重点研究了基于浓硼扩散层的可集成硅纳米线谐振子的制备方法。该方法采用电子束光刻定义可控尺度硅纳米线,并利用TMAH腐蚀自停止效应实现谐振子的释放。文中还采用SEM对所制备的纳米线谐振子进行了表征。实验结果表明,基于浓硼扩散层制备的硅纳米线谐振子形貌规则,结构可控可调。该方法能够实现可控制的大面积、高产率、低成本、可集成的硅纳米线谐振子制备。