用于液晶显示器的单片SOS矩阵的制造工艺

作者制造了一种在蓝宝石上生长硅(SOS)的单片矩阵,用于驱动一个视频速度的液晶电视显示器。在晶片上有10000个单元,按100×100单元排列成矩阵,复盖1吋×1吋见方的面积(包括结合片在内)。     

机载平视显示器数字像源背光组件设计

随着COB封装技术发展,采用LED芯片构建液晶显示器背光组件成为一种新的思路;提出了LED芯片COB板结合配光透镜阵列的透镜阵列型COB新颖背光组件;通过LIGHTTOOLS软件构建了3.8Inch机载平视显示器数字像源背光组件模型,仿真分析照度均匀性达到98%,空间亮度均匀性超过85%,光能利用率超过90%。与LED芯片COB板背光组件、及机载平视显示器正用数字像源LED灯珠阵列背光组件照度、空间亮度和强度视角分布进行了仿真对比,在同样输出3150Lumen情况下,透镜阵列型COB背光组件照度超过6.6×10~5 Lux、空间亮度接近2.0×10~6 Nit,远远超过其他两种背光形式,同时保持了与LED灯珠阵列背光基本相同的视角包络。     

磷化镓平面单片矩阵寻址显示器

体积小而需要发光单元密度高的显示器,可以用发光二极管来做。矩阵寻址可以减少显示器的内部联系。本文介绍了一种平面处理技术,可以把发光二极管之间的互连集成化,做成单片的半导体阵列。讨论并示出了一种5×7单片矩阵显示器的性能。     

全天时星敏感器视场选通成像系统的微开关阵列设计

针对全天时星敏感器视场选通成像系统的应用需求,设计了一种基于静电驱动的单元尺寸为4 mm、开口面积占空比为90%、响应时间为25 ms、单元数为7×7的微开关阵列。考虑到微开关阵列体硅加工工艺中材料的特性,首先确定电极宽度、支撑梁宽度和支撑梁厚度等参数,再根据微开关单元结构的数学模型对支撑梁数目及长度进行理论分析,优化设计了微开关阵列主要结构参数。利用电磁场仿真软件和有限元仿真软件对微开关单元的驱动特性进行仿真分析,结果表明,仿真计算的微开关单元驱动电压为106.4 V时可以开启微开关单元,与理论计算结果 114 V基本吻合,验证了微开关阵列设计参数的可行性。此外,利用杂光分析软件对微开关阵列引入系统内的杂散光进行仿真分析,结果表明,微开关阵列的表面反射率对系统杂散光的影响较小,即使80%的表面反射率也不会明显增加视场选通成像系统的杂散光。该研究为视场选通成像系统的微开关阵列提供了一种有效的设计方案,推动了视场选通成像系统的实际应用。     

基于二维多模干涉效应的N×N光开关模型

报道了由两个N×N三维多模干涉耦合器和一段阵列相移波导组成的三维光开关.首先利用导模传输法分析了三维多模干涉耦合器的一般成像原理,并推导出了其成像位置以及相位矩阵.在此基础上,通过场传输矩阵法建立了光开关的传输方程.利用该传输方程计算得到了光开关工作时,阵列相移波导的相位条件,并通过三维有限差分光束传输法进行仿真验证,...     

AN／VAS-5驾驶员视觉增强器（DVE）

AN／VAS-5 DVE是一种被动式非制冷热成像系统，供战斗或战术轮式车的驾驶员使用。它可以在有烟、雾和灰尘等天然或人为障碍物的情况下昼夜连续地工作。DVE的传感器包括第二代热像仪，热像仪可以为高质量的平板显示器和控制单元（商用有源矩阵液晶显示器）提供模拟视频信息。DVE的视频图像还可以传送给车辆其他显示器。显示器有一个显示地图和数字化战场信息的输入端口。     

七段式矩阵和“脉冲选通法”简化了发光二极管数字显示的外部电路

在数字显示中经常发生“信息通道拥挤”的问题。解决这个问题的一个办法是把显示器本身简单化。这就是在发光二极管数字显示中,有人采用七段式矩阵的原因。因为只用七个单元显示数字,使(?)销     

液晶矩阵寻址显示

对液晶的大部分兴趣在于用它有可能做成矩阵寻址的镶嵌式显示器[1]。最终目的是期待已久的平板电视。以这个为目标,设计了若干液晶显示系统。对较有希望的一些系统进行了试验,试验用的屏是由离散的显示单元组成的一个小镶嵌式陈列。把它放在模仿一般电视(由约500×500个单元组成)的电路里进行试验。     

本身具有存储性能时LED彩色显示器

这种显示器组合了由p-n-p-n结四层结构构成的两种可见(红色与绿色)LED。它具有动态存储性能和光敏性能,因而有可能用光笔“写入”与“擦除”。 如图1所示,在一个管座上边对边地放置两个不同类型的二极管而构成双色可见LED灯。一个二极管是GaAs红外LED,其表面涂敷了特殊的磷光材料,使红外光转变成绿色光(930mμ和540mμ)。另一个二极管是GaAlAs红色发光二极管(680mμ)。这种显示板是由14×15LED矩阵单元构成。     

显示36个字符的直流场致发光显示器

近来有人研制适用于大型更新式点阵显示的低占空系数电压脉冲驱动的直流场致发光屏[1]。这种屏用掺Cu,Mn的ZnS发射的5400A-6300A的黄光,在0.5％的占空系数下平均亮度为30～100呎朗伯,寿命性能良好(图1)。在本文中我们报道一种已研制成功的36个字符的更新式DCEL字符显示器,并进而探讨能显示1000个以上符号的大型更新式DCEL显示器的可能性。 36字符屏为层迭式结构,把一层40μm厚的ZnS磷光体涂在一排1 m m宽的SnO2平行电极上。SnO2的薄膜电阻为2Ω/每方,用光刻技术刻划成电极。在ZnS层上再蒸上一层铝膜,然后对这两层膜进行刻划,形成1 m m宽的Al-ZnS阵列,以实现显示器的X-Y寻址。最后将屏密封起来,以防止大气污染,用常规的形成工序使在ZnS-SnO2界面上产生光辐射势垒。     

显示动态

(1).美国陆军试验用发光二极管的雷达显示器 据美电子新闻(Electronics News. OcT. 27. 1969,P.32)报导,美帝陆军在69年10月底对一个固体雷达显示器进行了现场试验,这种显示器使用发光二极管阵列代替通常的阴极射线管,准备用在直升飞机上。     

基于光线追踪的实时可交互计算生成集成成像方法

为提高计算生成集成成像实时交互显示性能和灵活性,构建与集成成像再现系统结构一致的集成光场视见模型,通过该模型为单元图像阵列中每个像素生成一条逆向追踪的光线,使用光线追踪技术并行渲染光线为单元图像阵列像素着色.实验结果表明,顶点数为565 880的点云模型、面数为977 308的含纹理网格模型在透镜数为22×13、视点数为175×175的4K显示系统上显示帧率40fps以上,并实现了缩放、移动、旋转、显示微调等交互功能.该方法摆脱了虚拟相机模型,降低了算法复杂度,利于实现实时交互,能够应用于基于不同分布形式透镜阵列的集成成像显示系统.     

基于岛-桥结构的可拉伸发光器件研究进展EI北大核心CSCD

基于岛-桥结构的可拉伸发光器件阵列是当前实现可拉伸显示器的重要方案之一,受到广泛关注。本文汇总了过去十几年中关于岛-桥结构可拉伸发光器件阵列的相关研究内容,对各个器件的性能和特点进行综述。围绕器件的拉伸性、机械稳定性和显示质量等核心问题,重点介绍了发光单元之间可拉伸导线(互连桥)的形状设计与材料选择方案,并对已报道的高像素密度集成策略、阵列拉伸应变分布优化策略和阵列像素密度因拉伸度增大而降低问题的解决方案进行了总结。目前,基于岛-桥结构的可拉伸发光显示阵列研究还处于初级阶段,器件的设计、制备和实现高性能还面临许多挑战,本综述旨在通过对当前研究的总结,为推动可拉伸显示器的发展做出一些贡献。     

促进交互字幕投影技术发展的LCD

液晶显示板装在字慕投影仪上并与具有光学反馈功能的个人计算机连接。由于采用了激光指示器,这种显示板可能是字幕投影技术的最佳改进。 Proxima公司的全色显示器取代了幻灯片,它含有菜单和其它交互方案。用附加计算机的键盘和鼠标器可控制显示器,或用投影平面上的LED(或激光指示器)和安装在投影仪上的探测器阵列也可控制显示。平板LCD是采用有源矩阵薄膜晶体管技术显示各种IBM-PC兼容计算机(运转Windows3.0或苹果Macintosh计算机)的屏幕输出。全色VersacolorⅡ型的分辨率为720×480像素。Ovation型能投影视频信号,显示器的响应时间为40ms。     

基于图形化生长纳米氧化锌场致发射阴极阵列的研究

采用光刻技术在覆盖有氧化锌(ZnO)薄膜的ITO玻璃片衬底上实现图形化生长,结合水热法在衬底上制备出结构完整、排列一致的ZnO矩形和圆环型单元阵列。在图形化的基础上二次生长ZnO纳米锥阵列,锥长度最大可达到10μm,远大于一次生长的长度,并且发现锥顶有很多精细的类似针状的纳米量级微细结构。分析了非图形化、图形化一次以及图形化二次生长的ZnO纳米锥阵列的场致发射性能。使用图形化二次生长的ZnO纳米锥阴极阵列制作了12.7cm(5inch)的场发射显示器(FED),能实现全屏发光。实验结果表明,图形化二次生长的ZnO纳米锥阵列发射电流密度为最大,可达0.6mA/cm2,其开启场强为2.5V/μm。图形化生长ZnO纳米锥的方法是一种能较好改善材料场发射性能的好方法,为寻求良好场发射性能材料的制备提供了一条有效的实验途径。     

波形固体显示器所需的特殊驱动电路

目前,一股用阴极射线管模拟信号显示成波形,一旦改用分立的光学单元所组成的固体阵列,就需要进行模拟-数字转换;为此发展了一种矩阵驱动电路。     

自由曲面机载头盔显示器光学系统设计

为了解决传统头盔显示器大出瞳距、大视场与轻型化、小型化间的矛盾,采用径向基函数表征自由曲面设计了一款头盔显示器光学系统。详细论述了径向基函数表征自由曲面的原理,分析了光学系统像差校正方法。在设计中,尝试了一种方法来快速地确定优化起点,分析了该光学系统的成像质量。该光学系统的视场为45°×32°,出瞳大小为15mm,出瞳距为50mm。在奈奎斯特频率处,全视场的调制传输函数(MTF)值大于0.6。在(-22.5°,16°)视场处有最大畸变值-1.54%。系统尺寸56mm×128mm,重量136g。优化设计结果表明,该全息头盔显示光学系统像差小,可以较好地为使用者提供清晰的字符信息或者视频图像。该头盔显示光学系统成像质量好,体积小重量轻,可以应用于新一代机载头盔显示技术。     

一种智能光网络中的亚毫秒光开关阵列

设计研制了一种亚毫秒级微机械光开关阵列.该阵列驱动电压为5V,开关时间小于750μs, 插入损耗在0.6 dB～0.8 dB之间,串扰<－70 dB.具有结构简单、成本低廉、可大规模集成的优点,能很好地解决智能光网络节点连接设备OADM快速信号转换和串扰问题.详细介绍了该光开关阵列实现原理,报告了器件性能测试,并应用FEA软件分析了开关单元中磁场和开关驱动过程.     

一种基于聚合物材料的延迟线阵列与热光开关集成器件的设计

设计了一种基于聚合物材料的延迟线阵列与热光开关的集成器件.利用Rsoft软件设计并模拟了多模干涉热光开关的性能,可实现输出光场强度随电极加热温度变化.设计了螺旋结构的延迟线阵列,利用BPM软件对螺旋结构波导进行数值模拟,综合考虑器件尺寸和损耗参量设计出螺旋结构的弯曲半径.将延迟线阵列结构与热光开关进行集成,能够实现热光控制的聚合物延迟线阵列,该器件可实现的最大延迟时间为399.4ps,延迟间隔为9.2ps.以SiO2为下包层,SU-8紫外固化光刻胶为波导芯层,聚甲基丙烯酸甲脂为上包层,采用旋涂、光刻、湿法腐蚀等工艺制备了1×4延迟线阵列与MMI热光开关的集成器件,测试得到了延迟线阵列的近红外输出光斑,插入损耗为15~19dB.     

基于InP/ZnS核壳结构量子点的色转换层设计及制作

提出了采用环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料制备匹配蓝光Micro-LED阵列的量子点色转换层以实现Micro-LED阵列器件全彩化的技术方案。通过采用倒置式量子点色转换层方案,实现了InP/ZnS量子点材料和Micro-LED阵列的非直接接触,从而可以缓解LED中热量聚集导致的量子点材料发光主波长偏移、半峰宽展宽以及发光效率衰减等问题。量子点色转换层中内嵌PDMS聚合物柔性膜层,可以消除咖啡环效应,同时,色转换层中内嵌飞秒激光图案化处理的500 nm长波通滤光膜层,可以抑制蓝光从非蓝色像素单元出射。最后,实验制备了像素单元中心间距90μm的16×16 InP/ZnS量子点色转换层。该设计可以实现基于蓝光Micro-LED阵列的全彩色Micro-LED显示器件的制备,并且该制备方法可以降低全彩色Micro-LED阵列显示器件的制备成本。