双稀土氧化物LnEuO3的Mossbauer效应研究

 本文首次利用高温高压方法合成了双稀土氧化物LaEuO₃、PrEuO₃、NdEuO₃和SmEuO₃。此外，还合成了CeEuO_3.5。X射线衍射分析表明LaEuO₃属A型（六方）结构，PrEuO₃、NdEuO₃和SmEuO₃属B型（单斜）结构，CeEuO_3.5属F型（萤石）结构。室温下用¹⁵¹Eu的21.6 eV γ射线测量了它们的Mossbauer谱，观察到了¹⁵¹Eu同质异能移位和四极劈裂强烈地依赖于Eu离子配位体体积而呈线性关系。超精细相互作用的这种体积效应，主要原因是由于Eu离子5s壳层的重叠畸变所引起。     

高温高压下CeTbO3合成过程中电阻的动态测试研究

 在0.5 GPa、4.0 GPa的压力下，从室温到800 ℃的温度范围内测量了氧化物CeTbO₃、单稀土氧化物Tb₄O₇、CeO₂和摩尔比维4∶1配比的混合物CeO₂+Tb₄O₇等的电阻随温度变化关系。对这四种物质均反映出电阻随温度增加而减小的半导体特征。在压力维0.5 GPa，温度高于600 ℃时发现了混合物CeO₂+Tb₄O₇、氧化物Tb₄O₇中电阻变化的起伏。X射线衍射谱表明，对应这一电阻变化，在结构上出现了变化。结果分析表明，这一变化与Tb⁴⁺→Tb³⁺的价态变化密切相联。     

高温高压合成CeTbO3+δ的XPS研究

 经过高温高压合成的CeTbO_3+δ进行了XPS研究，发现在1.0 GPa下，Tb⁴⁺在~600 ℃开始转变成Tb³⁺，而Ce⁴⁺在~800 ℃开始向Ce³⁺转变。在1 000~1 200 ℃形成单相萤石结构化合物CeTbO_3+δ的Ce是以Ce³⁺、Ce⁴⁺混合价形式存在，Tb全部变成Tb³⁺。实验表明，用Ce_3d谱上~888 eV峰的峰位及其与882 eV峰的相对强度变化可以定性判断化合物中是否含有Ce³⁺。研究了高温高压合成的CeTbO_3+δ的稳定性随时间的变化问题。     

Ti1-xCexO2体系纳米粉体的制备及其结构表征

 采用溶胶凝胶法制备了纳米Ti_1-xCe_xO₂系列样品。利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、高分辨电子显微镜（HRTEM）对纳米Ti_1-xCe_xO₂系列样品颗粒尺寸、形貌以及固溶区范围和物相组成进行了研究；同时，采用Rietveld结构精修的方法研究了Ce的不同掺杂量对TiO₂晶体结构的影响。实验结果表明，Ce掺杂TiO₂能够形成Ti_1-xCe_xO₂固溶体，Ti_1-xCe_xO₂的固溶区范围在x=0～0.06之间，Ti_1-xCe_xO₂的晶粒度为5～10 nm，平均颗粒粒度约35 nm，且粒度均匀。     

高压下制备高密度的Bi系超导体

 首次直接用高压烧结而不必进行任何退火后处理获得超导Bi_0.8Pb_0.2SrCa₂O_x陶瓷样品。此样品是由名义组分为Bi_0.8Pb_0.2SrCa·Cu₂O_x的超导体在1.0 GPa、500 ℃处理2 h后制得的，其零电阻转变温度为97 K。以前未见报导过如此好的结果。高压下烧结的Bi_0.8Pb_0.2SrCa·Cu₂O_x超导体的密度可达6.23 g/cm³（约为理论密度的95%），这比常规法制得的样品的密度（大约4~5 g/cm³）高得多。     

高温高压合成电子型掺杂层状钙钛矿结构锰氧化物La2-2xCa1+2xMn2O7

 用高温高压法、在1 260 ℃和5.0 GPa条件下,成功制备出电子型掺杂层状钙钛矿结构锰氧化物La_2-2xCa_1+2xMn₂O₇（x=1.0～0.8）系列样品。样品的粉末X射线衍射实验和Rietveld精修结构分析表明,所制样品具有Sr₃Ti₂O₇型四方结构,空间群为I4/mmm。随着电子浓度的增加,MnO₆八面体畸变程度增大,晶胞体积增加。同时样品的磁化强度随La的掺入、x的增加而增强,反铁磁有序温度T_N提高。由于双交换作用减小,样品的电阻增加。在测量温度范围内,没有观测到磁电阻效应。     

氧化硅（Si3N4）—稀土氧化物陶瓷的超高压烧结研究

 在5~7 GPa，600~1 800 ℃的压力-温度范围内对组份为氧化硅-稀土氧化物微粉混合物（3α-Si₃N₄+0.5La₂O₃+0.5Pr₆O₁₁（mol.%））的烧结产物进行了研究。所得结果表明其成相规律与Sialon体系在高温高压下烧结时不同。在直到5 GPa的高压下，α-Si₃N₄表现出相当高的稳定性，并不转变成β相。当烧结温度低于1 600 ℃时，烧结体仍然由以α-Si₃N₄为基础的固溶体及稀土氧化物组成，而后者则表现出一系列相变化。当压力超过6 GPa、温度高于1 600 ℃时，物料烧结成一个新的单相高压结构ReSi₃O₂N₄。其衍射数据可以用一个正交点阵来拟合。其晶格参数为：a=1.298 3 nm，b=0.814 0 nm，c=0.428 5 nm。     

基于组分Ca2Pr2Cu5O10三元固溶区的范围和晶体结构

 利用X射线衍射分析和Rietveld结构精修方法研究了基于组分Ca₂Pr₂Cu₅O₁₀三元固溶区的范围和晶体结构。根据X射线分析结果和相消失法，为了保持Ca_2+xPr_2-xCu₅O₁₀结构单位晶胞中恒定的氧含量和电价平衡，基于组分Ca₂Pr₂Cu₅O₁₀的三元固溶区的范围可确定为：在Ca_2+xPr_2-xCu₅O₁₀固溶区的富Ca区（Ca/Pr>1），其表达式仍可以表示为一般的化学计量式Ca_2+xPr_2-xCu₅O₁₀（x=0.4, 0.2, 0）；在富Pr区（Ca/Pr<1），其表达式为Ca_1.7Pr_2.2·Cu₅O₁₀、Ca_1.4Pr_2.4Cu₅O₁₀，即：Ca_2+xPr_2-xCu₅O₁₀固溶区范围从Ca_2.4Pr_1.6Cu₅O₁₀至Ca_1.4Pr_2.4·Cu₅O₁₀。研究表明：基于组分Ca₂Pr₂Cu₅O₁₀的三元固溶体晶体结构可以看作是正交晶系NaCuO₂型亚晶胞的无公度相；Ca_2.4Pr_1.6Cu₅O₁₀亚晶胞的点阵常数为a₀=0.282 46(7) nm，b₀=0.636 93(1) nm，c₀=1.067 94(1) nm；其正交超结构的点阵常数为a=5a₀，b=b₀，c=5c₀。Ca_2.4Pr_1.6Cu₅O₁₀的结构也可以用单斜超晶胞来表述，该单斜超晶胞的空间群为P2₁/c，Z=4，a=5a₀，b=b₀，c=c₀/sin β，β=104.79°或136.60°，V=5a₀b₀c₀。在基于组分Ca₂Pr₂Cu₅O₁₀的三元固溶体晶体结构中，Ca和Pr之间在一定范围内是可以相互替代的，而且它们在结构中的占位是无序的。     

高温超导体低温、高压下的物理性质的研究

 在3~20 GPa压力范围内，测量了含氧量较低的YBa₂Cu₃O_7-δ（δ=0.46）单晶压力增强效应（dT_c/dp=4.9KGPa^-1）；YBa₂Cu₃O₇（T_c0=90 K）单晶在压力下临界电流密度随压力变化；外磁场H=30 kO_e时，T_c与磁场、压力关系；压力达16.5 GPa下，Bi₂Sr₂CaCu₂O_x单晶T_c(p)关系（dT_c/dp=-0.4 KGPa^-1）。发现Y系高温超导体的温度压力导数dT_c/dp与T_c0中间呈dT_c/dp=b-mT_c0线性关系（b、m为常数）。结合压力下Y系超导体结构相变和含氧量对T_c影响，分析这类超导体T_c有很强的正压力效应的原因。把实验结果同几种超导电性微观理论模型进行了分析和比较。     

固溶体60%NaAlSi2O6-40%CaMgSi2O6在高温高压下的相图的研究

 在1.0~5.0 GPa、700~1 750 ℃条件范围内，对固溶体0.6NaAlSi₂O₆-0.4CaMgSi₂O₆进行了研究，探讨了该固溶体在高温高压下的存在行为，研究了由非晶态玻璃向翡翠转化过程中p-T作用的相图，得到的透辉石翡翠的晶胞参数为a=0.943 9 nm，b=0.857 3 nm，c=0.523 3 nm，β=107.28°和V=0.417 02 nm³。本实验中合成的宝石级翡翠为色泽温润，具有玻璃光泽，半透明的极富观赏性的透辉石翡翠。     

Element Substitution Effect in Transition Metal Oxypnictide Re(O1-xFx)TAs (Re=rare earth, T=transition metal)

Different element substitution effects in transition metal oxypnictide Re(O_1-xF_x)TAs, with Re=La, Ce, Nd, Eu, Gd, Tm, T=Fe, Ni, Ru, are studied. Similarto the La- or Ce-based systems, we find that the pure NdOFeAs shows a strong resistivity anomaly near 145K, which is ascribed to the spin-density-wave instability. Electron doping by F increases T_c to about 50K. While in the case of Gd, Tc is reduced below 10K. The tetragonal ZrCuSiAs-type structure could not be formed for Eu or Tm substitution in our preparing process. For the Ni-based case, although both pure and F-doped LaONiAs are superconducting, no superconductivity is found when La is replaced by Ce in both the cases, instead a ferromagnetic ordering transition is likely to form at low temperature in the undoped sample. We also synthesize LaO_1-xF_xRuAs and CeO_1-xF_xRuAs compounds. The metallic behaviour is observed down to 4K.     

常压烧结和高压合成Nd2-xCexCuO4的结构特征与导电性质

 本文在常压高温和高压高温条件下合成出了Nd_2-xCe_xCuO₄（x=0~0.20）系列样品，对比研究了两种不同条件下合成产物的结构特征与室温至液氮温区的导电性质。测试分析结果表明，高温高压（1.7 GPa，800 ℃，10 min）合成的样品与常压高温（1 000 ℃，10 h）烧结的样品具有相同的四方结构，但晶格常数随掺杂量变化有所不同，高压合成产物的c轴随掺杂量基本不变，而常压烧结样品c轴随掺杂量增加呈下降趋势。两种条件合成的样品在液氮温区均呈现出不同程度的半导体特征，经过一次高温淬火后处理后，高压样品的导电性质明显优于常压样品。实验结果表明，高压可以降低固相反应的合成温度，缩短反应时间，特别是高压的还原作用有利于产物导电性质的改善。     

高温高压条件下三氧化二硼相变过程的研究

 详细考察了三氧化二硼在高温高压条件下的相变过程。研究结果表明，在高温高压条件下，三氧化二硼经历了从立方晶系向六方晶系、正交晶系和非晶相的相变。文中还比较详细地讨论了高温、高压两种因素对结构相变的影响，以及静高压熔态淬火方法在非晶态材料制备方面所具有的独到之处。     

铜氧化合物超导体Pr1-xCaxBa2Cu3O7-δ的高压合成

 高温高压下合成出了新块材超导体Pr_1-xCa_xBa₂Cu₃O_7-δ（0.4≤x≤0.6）,高压合成使Ca在Pr-123相中的溶解度有很大提高,从而有效地补偿了Pr对CuO₂面空穴的填充而使样品超导。     

镁橄榄石和顽辉石的高温高压合成

 用国产六面顶压机，在温度为1 000～1 500 ℃和压力为2～5 GPa的高温高压条件下，对氧化镁（MgO）和二氧化硅（SiO₂）混合粉末样品进行了处理。通过对所得产物的观察与X射线衍射分析结果表明，在较宽的压力范围内，可以得到镁橄榄石（Mg₂SiO₄）单晶体和顽辉石（MgSiO₃）单晶体。讨论了地幔物质镁橄榄石（Mg₂SiO₄）和顽辉石（MgSiO₃）的生成条件、生长特性及相变关系。     

冷压与热压处理对YBa2Cu3O7-δ的结构相变和超导电性的影响

 本文研究了冷压（2.2~5.2 GPa）与热压（2.2 GPa,2.50~950 ℃）对YBa₂Cu₃O_7-δ的正交→四方相转变区和超导电性的影响。冷压保持其正交结构,但破坏了超导性,在98 K（失超点）到室温呈半导体特性,再在空气中烧结,可恢复液氮温区的零电阻状态。以Cu锅密封样品,热压处理至950 ℃,不发生Cu的析出。热压处理后,98 K（失超点）到室温呈半导体特性,再经通氧烧结,于86 K出现零电阻。热压处理过程,从450~950 ℃为正交→四方转变区。950 ℃为转变结束温度,大大高于氧气、空气、氮气、真空状态的温度。400 ℃附近为起始转变温度,低于氮气、氧气气氛的温度。因此相变区加宽。T_0-t结束温度升高,与Cu锅的抑制还原作用有密切关系。如降低高压淬火速率（<<10² ℃/s）,或随后辅以氧气氛中的后处理,将有利于获得既有高密度又有高T_c的YBa₂Cu₃O_7-δ超导体。     

TC4、16Mn合金及Al2O3陶瓷的高温弹性模量

 用脉冲回波法测量了TC4、16Mn、Al₂O₃陶瓷从室温到1 000 ℃的纵波与横波声速，由声速得到绝热弹性模量。给出了E、G随温度变化的回归方程。对材料熔点做了估算。