劈裂环-盘二聚体结构的多重Fano共振

利用时域有限差分方法,理论研究了由劈裂环和圆盘构成的金二聚体结构的光学性质,分析了劈裂环的缺口取向和对称性破缺程度对其Fano共振特性的影响.结果表明,当缺口方向平行于二聚体中心连线时,劈裂环的奇数阶和偶数阶模式均能与圆盘的偶极模式作用产生Fano共振,且随着劈裂环的进一步破缺,更多的偶数阶Fano共振能被激发出来;但当垂直时,不管劈裂环的缺口背对圆盘还是面向圆盘,二聚体仅有偶数阶Fano共振能被激发出来,且随着劈裂环内层中心远离圆盘而增强,随着劈裂环的进一步破缺,缺口背对圆盘的二聚体还能激发出多个奇数阶Fano共振,但同时也引起偶数阶Fano共振的减弱,而缺口面向圆盘的二聚体则仅发生偶数阶Fano共振的略微增大.这些结果可望对基于多重Fano共振的多波段光子器件设计有一定的参考意义.     

通过嵌入铁磁电极之间 Aharonov-Bohm 干涉仪自旋极化输运性质的研究

使用非平衡态格林函数方法和运动方程近似,研究了嵌入铁磁电极之间Aharonov-Bohm 干涉仪的自旋极化输运性质.在左右铁磁电极平行和反平行两种磁组态下,结合Fano因子分析和讨论了Fano 和Kondo 共振对该系统电导的影响,以及电导随自旋极化强度和磁通的变化.结果表明,自旋极化强度和磁通能有效地调节和控制电导,但电导的线形主要由磁通决定;在适当的条件下能导致大的正磁阻和负磁阻的出现.因此,该系统是一个很好的自旋阀晶体管,在自旋电子学中有潜在的应用价值. 关键词： Fano和Kondo共振 自旋极化强度 Fano因子 隧道磁阻     

二维电子波导/量子点结构中第二激发态对Fano共振的影响

本文用解析理论研究电子波导管/量子点系统中Fano共振透射问题.在第一能量窗口中考虑高激发态影响,发现共振透射率和峰位基本保持不变,但是远离共振区的透射率明显低于只考虑第一激发态的情况.在第二能量窗口中,入射波有两个本征模,两个入射模产生的Fano共振基本在同一个位置.每一个入射本征模都可激发起两个传播模,其中的Fano共振是由与入射模波矢一致的传播模产生的.外电势会以线性关系影响共振峰位.     

Fano Resonance in Landau Fermi and Luttinger Liquids

With a two-channel model, we study the influence of temperature, external voltage and magnetic flux on the line shape of the Fano resonance, and show that in the Luttinger liquid case, the background transmittance and the asymmetric parameter depend strongly on the temperature and external voltage, while for the Landau Fermi liquid case they are nearly independent of these parameters in the low energy region. Moreover, we demonstrate that the asymmetric parameter changes periodically with an external magnetic flux, which is consistent with the recent experimental data.     

Fano-type resonances induced by a boson mode in Andreev conductance

We study spectroscopic signatures of a monochromatic boson mode interacting with a T-shape double quantum dot coupled between the metallic and superconducting leads.Focusing on a weak interdot coupling,we find that the proximity effect together with the bosonic mode are responsible for the series of Fano-type resonances appearing simultaneously at negative and positive energies.We investigate these interferometric features and discuss their influence on the subgap Andreev conductance taking into account the correlation effects driven by the Coulomb repulsion.     

等离子体纳米结构中的Fano共振效应及其应用

Fano共振效应是一种具有非对称线型的共振散射现象,起源于共振过程和非共振过程的量子干涉效应。近年来,在等离子体纳米结构中Fano共振现象也被发现,并成为纳米光子学的一个研究热点。等离子体Fano共振通常具有较窄的光谱线宽,且不能直接与入射光耦合,只能局域在近场,强的近场局域特性可以获得巨大的表面电磁场增强。由于等离子体Fano共振独特的光学特性,已经被应用到单分子探测、高灵敏度传感、增强光谱、完美吸收、电磁诱导透明和慢光光子学器件等众多领域当中。     

太赫兹场辅助的单量子阱自旋共振输运

在考虑自旋轨道耦合的情况下,研究了通过一非磁性半导体异质结的太赫兹光子驱动的电子输运,研究结果显示频率相关的电导谱出现不对称的Fano型共振的劈裂;随着振荡场幅度的增加,多光子辅助过程出现;通过改变外加场参数,可以实现自旋过滤目的,特别是在干涉相消Fano型共振的频率位置时,出现了100%纯的自旋极化流.这些属性有助于大范围可调的自旋过滤器的实现并且可以得到纯的自旋透射流.     

Perpendicular magnetic tunnel junction and its application in magnetic random access memory

Recent progresses in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy(PMA) are reviewed and summarized. At first, the concept and source of perpendicular magnetic anisotropy(PMA) are introduced. Next, a historical overview of PMA materials as magnetic electrodes, such as the RE–TM alloys TbFeCo and GdFeCo, novel tetragonal manganese alloys Mn–Ga, L10-ordered(Co, Fe)/Pt alloy, multilayer film [Co, Fe, CoFe/Pt, Pd, Ni, Au]N, and ultra-thin magnetic metal/oxidized barrier is offered. The other part of the article focuses on the optimization and fabrication of CoFeB/MgO/CoFeB p-MTJs, which is thought to have high potential to meet the main demands for non-volatile magnetic random access memory.     

量子阱吸收谱中的Fano效应

提出在一定的量子阱结构及掺杂浓度下,由于LO声子激发态与电子准连续扩展态的相互耦合,可导致子带跃迁吸收谱的不对称性(亦即Fano线形).推导出此Fano线形的不对称参量的解析表达式,并以GaAg/Al_3Ga_(1-x)As为例,给出几种掺杂浓度和阱结构下的Fano.线形. 关键词：     

磁性材料的磁结构、磁畴结构和拓扑磁结构

首先简要地介绍了磁性材料中磁结构、磁畴结构和拓扑磁结构以及相互之间的关系. 一方面, 磁畴结构由材料的磁结构、内禀磁性和微结构因素决定; 另一方面, 磁畴结构决定了材料磁化和退磁化过程以及技术磁性. 拓扑学与材料物理、材料性能的联系越来越紧密. 最近的研究兴趣集中在一些拓扑磁性组态, 如涡旋、磁泡、麦纫、斯格米子等. 研究发现这些拓扑磁结构的拓扑性质与磁性能密切相关. 然后从尺寸效应、缺陷、晶界三个方面介绍国际学术界在磁结构、磁畴结构和拓扑磁结构方面的进展. 最后介绍了在稀土永磁薄膜材料的微观结构、磁畴结构和磁性能关系、交换耦合纳米盘中的拓扑磁结构及其动力学行为方面的工作. 通过对文献的评述, 得到以下结论: 开展各向异性纳米复合稀土永磁材料的研究对更好地利用稀土资源具有重要的意义. 可以有目的地改变材料的微结构, 可控地进行磁性材料的磁畴工程, 最终获得优秀的磁性能. 拓扑学的概念正在应用于越来越多的学科领域, 在越来越多的材料中发现拓扑学的贡献. 研究磁畴结构、拓扑磁性基态或者激发态的形成规律以及动力学行为对理解量子拓扑相变以及其他与拓扑相关的物理效应是十分重要的. 也会帮助理解不同拓扑学态之间相互作用的物理机制及其与磁性能之间的关系, 同时拓展拓扑学在新型磁性材料中的应用.     

磁场对载流线圈的作用

讨论了磁场对于载流线圈的合作用力、合力矩、磁力作功公式和载流线圈在外磁场中的相互作用能，以及带电粒子在一对励磁线圈之间的往复运动。     

基于三维磁成像的近场磁性体探测

提出一种近场条件下未知磁源的三维磁成像方法.考虑到大多数磁性体不仅受背景磁场磁化，本身也带有较强剩磁，将观测面上的磁场转换为磁场矢量异常模量，并建立目标函数进行最优化求解，以得到符合观测磁场特征的磁性体磁化模型.仿真和实验表明：此方法可有效消除剩磁对反演结果的影响，能够实现对近场多个磁源磁化率分布的成像，验证了所提方法用于探测隐含磁体位置和形状的可行性.     

Magnetic correction to the anomalous magnetic moment of electrons

We investigate the leading order correction of anomalous magnetic moment (AMM) to electrons in a weak magnetic field and find that the magnetic correction is negative and magnetic field dependent, indicating a magnetic catalysis effect for the electron gas. In the laboratory, to measure the g − 2, the magnitude of the magnetic field B is several T, and correspondingly the magnetic correction to the AMM of electron/muon is around 10⁻³⁴/10⁻⁴², therefore the magnetic correction can be safely neglected in the current measurement. However, when the magnitude of the magnetic field strength is comparable with the electron mass, the magnetic correction of the electron's AMM will become considerable. This general magnetic correction to the charged fermion's AMM can be extended to study quantum chromodynamic matter under a strong magnetic field.     

Faraday相对法测定磁化率的原理和方法

介绍一种测量物质磁化率的实验原理和方法。     

磁场强度H与磁介质无关的充要条件及其应用

推导出磁场强度H与磁介质无关的充要条件，获得了一种计算有介质存在时磁感应强度B分布的简单方法．     

磁性材料进展

磁性材料大体上分为两类 :其一为铁磁有序的金属磁性材料 ;其二绝大多数为亚铁磁有序、具有半导体导电性质的非金属磁性材料 .5 0年代以前 ,金属磁性材料占绝对优势 ;5 0年代以后 ,非金属磁性材料发展成为磁性材料的主流 ,除电力工业用的高饱和磁化强度FeSi合金外 ,铁氧体几乎应用于各个领域 .历史似乎按螺旋形的方式发展 ,90年代后 ,金属磁性材料又以新的面貌出现 ,3d (4f,4d ,5d ,5f… )合金与化合物、非晶、纳米微晶磁性材料重领风骚 ,其性能远超越铁氧体 .纳米磁性材料将成为新的功能材料 .文章重点介绍了永磁材料与软磁材料 ,其他如磁记录材料、磁致冷材料、磁致伸缩材料等将作简单介绍 .     

非接触圆筒形推拉式磁偶合联轴器的磁力矩公式的推理及其分析

本文对圆筒形推拉式磁偶合器的磁力矩 ,进行了推导 ,对推导结果进行了分析。     

磁制冷工质材料的研究进展

本文简要叙述了磁制冷的基本原理和历史发展,详细地总结了国内外不同温区的磁制冷工质材料的研究成果,并展望了磁制冷工质材料的研究前景。     

用磁摆测量地磁场水平分量

用尽量简单的装置演示对地磁场水平分量的测量，在课堂上，只需将磁铁悬起观测其简谐振动周期，便可计算地磁场水平分量。