原子核电荷分布半径及结合能

从分析各方面实验结果(高能电子被核散射,μ—介原子的X谱)表明原子核电荷分布半径R_p很接近于和z^1/3成正比(R_p=r_opz^1/3。按照这看法修改了原子核结合能半经验公式(Bethe-Weizs?cker公式),把原来公式中库仑能项3/5 (z²e²)/r_pA^1/3)=a₃z²/A^1/3换成3/5 (z²e²)/r_opz^1/3) =a′₃z^5/3,结果改进了公式与实验符合的程度,并且按照新公式可以很正确地计算各元素中对β衰变最稳定的同位素的质量数。     

Cl(2P)+D2→DCl+D反应中波恩-奥本海默近似有效性的交叉分子束研究

本文利用高分辨的里德堡态氘原子标识-交叉分子束装置，研究了碰撞能为4.5∽6.5 kcal/mol范围内Cl(²P)[Cl(²P_3/2)和Cl^*(²P_1/2)]与D₂的反应. 虽然自旋轨道激发态反应Cl^*(²P_1/2)+D₂在波恩-奥本海默(B-O)近似下本应是禁阻的，但实验中观测到了该反应的贡献. 通过测量靠近后向的碰撞能相关的微分散射截面连线，发现低碰撞能下的产物主要来自于B-O近似禁阻的反应Cl^*+D₂. 随着碰撞能的提高，自旋轨道基态反应Cl+D₂的反应性增加明显要比自旋轨道激发态反应Cl^*+D₂更快，并且在高碰撞能下成为产物的主要来源. 实验结果表明：在低碰撞能下，Cl^*中自旋轨道激发态的额外能量，可以帮助B-O近似禁阻的反应Cl^*+D₂越过势垒；然而当碰撞能接近和高于反应势垒时，B-O近似允许的反应Cl+D₂占主导地位. Cl/Cl^*+D₂反应中B-O近似有效性的特征与其同位素反应Cl/Cl^*+H₂是一致的.     

类氖等电子系列离子基态的双电子复合速率系数研究

使用全相对论组态相互作用方法, 能级-能级细致计算了0.1 E_I ≤ kT_e≤ 10 E_I (E_I是类钠离子基态的第一电离能) 温度范围内类氖离子基态双电子复合(DR)速率系数, 双激发自电离能级考虑了(2s2p)⁷3ln'l', (2s2p)⁷4l4l' 以及(2s2p)⁷4l5l'组态. 对于(2s2p)⁷3ln'l'双激发自电离组态, 轨道角量子数l' >8 的(2s2p)⁷3ln'l'双激发自电离态对双电子复合速率系数的贡献可以忽略不计; (2s2p)⁷3ln'l'双激发自电离组态的高里德堡态对双电子复合速率系数的贡献满足 n'^-3组态-组态外推法, 并且核电荷数越大, 趋于n'^-3标度的n'值越小; 对细致能级计算得到的类氖离子基态的总DR速率系数进行了拟合, 得到类氖离子基态的总DR速率系数随核电荷数 Z和电子温度变化的经验公式, 该拟合公式与细致计算结果的偏差在2%以内, 能较准确的计算任意核电荷数Z的类氖离子在0.1E_I ≤ kT_e ≤ 10E_I电子温度范围的DR速率系数. Burgess-Merts(BM)近似公式不适用于估算低温(kT_e<0.3 E_I)类氖离子的DR速率系数, 在高温(kT_e>2E_I)时, 类氖离子的DR速率系数可以用BM近似公式表示.     

中子平面晶体谱仪的分辨宽度

本文分析了中子平面晶体谱仪的分辨宽度,给出它的近似表示式为:△θ=((α₁²α₂²+α₁²β²+α₂²β²)/(α₁²+4β²+α₂²))^1/2;同时对几种常见情况也作了简略的讨论。为了确定计算参量△θ,又给出了晶体摇动曲线半宽度的近似表示式为:△γ=1/2(α₁²+4β²+α₂²)^1/2。以上两式中的α₁,α₂是第一、第二准直器的散开角;β是晶体单色器嵌镶结构(mosaic)分布半宽度。最后,依据上述结果,计算了我们仪器的分辨宽度,另外从该仪器测量的中子共振截面估计了它的分辨宽度,并作了比较。     

有效玻色子数及其应用

本文用半经验方法给出了A≥70的偶偶核的有效玻色子数,收集了玻色子数饱和的有关证据,并采用有效玻色子数概念,处理了内禀电四极矩Q₀与N_πN_v(A≥70的偶偶核)系统关系,得到了Q₀的经验公式.本文采用所给的有效玻色子数对¹⁴²Ce和¹⁴⁴Nd进行了数值计算,结果较好.     

各向异性非线性介质平板波导中的TM波

本文讨论了在三层平板介质波导中TM₀模的传播问题.三层介质的芯区是一层各向异性的Kerr型介质,上下两层则是线性介质.本文将利用E_x² >> E_x²这一性质,求解非线性方程组,给出零级近似和1级近似的解析解.     

超核激发态的对称性分类

我们把维格纳处理超级多重态的方法,推广用来研究超核激发态的能谱。给出了近似不破坏SU₆=SU₃?SU₂分类的两体相互作用普遍形式,并利用现有的散射实验数据定出了其中的系数。导出了在SU₆分类下,计算能量矩阵元的公式。并以⁹_ΛBe^*,¹⁰_ΛBe^*和¹⁰_ΛΛBe^*为例,进行了具体计算。理论上计算的⁹_ΛBe^*的能量与实验定性符合。     

中能重离子碰撞中的各向异性流标度

用同位旋相关的量子分子动力学(IQMD)模型, 研究了25MeV/A的⁸⁶Kr+¹²⁴Sn碰撞系统在较大碰撞参数下的轻碎片的各向异性流(v₂和v₄), 发现横向动量依赖的椭圆流(v₂)存在对轻碎片核子数的标度律(number-of-nucleon scaling)现象, 以及不同轻碎片的v₄/v₂²比值都近似等于一个常数0.5. 这种标度律现象可以用核子层次碎片形成的组合(coalescence)模型来解释.     

在等离子体中镁离子谱线MgⅡλ4481?的宽度和位移

本工作测量了MgIIλ4481?(3²D—4²F)在电子数密度为7×10¹⁶—3.1×10¹⁷电子数/cm³范围内的谱线轮廓和位移。采用振荡型电容放电作为光谱光源。在光源中引入水汽,由测量H_β谱线宽度来定电子数密度。观测结果指出,H_β的实验轮廓和Griem-Kolb-Shen的计算结果符合颇好。实验发现MgIIλ4481?谱线向紫方位移,并正比于微观电场的平方;由此定出一个经验上的二级斯塔克效应常数C₄=5.0×10^-14cm⁴/sec。该谱线的轮廓宽度和标准微观电场之间也有平方正比的关系。发现在本实验条件范围内,宽度和位移的比值γ/△保持为常数,其值为γ/△=10.4±0.6。由于谱项4²D的二级斯塔克效应的干扰而产生上能级4²F位移的理论计算虽能说明谱线位移和微观电场间的平方正比关系,但数值偏小于实验结果,指出还有电子贡献的部分。把光谱线的宽度和Lindholm理论公式及Griem等的近似公式作了比较;简单的估计指出,实验结果和后者符合较好。     

J/ψ强子衰变过程的角分布螺旋度形式

本文给出了e⁺e^－→J/ψ→V+X,V→P₁P₂和e⁺e^－→J/ψ→V+X,X→P₄P₅过程的角分布螺旋度形式.为e⁺e^－实验数据分析提供了理论公式.     

低碰撞能3.03∽17.97 meV内F+HD→DF+H的反应微分截面

基于氢原子里德堡态飞行时间谱探测方法及多通道探测的优势,利用交叉分子束实验装置系统地研究了低碰撞能3.03∽17.97 meV内的F+HD→DF+H反应. 实验中清楚地观测到来自波恩-奥本海默近似禁阻的反应F^*(²P_1/2)+HD→DF+H和波恩-奥本海默近似允许的反应F(²P_3/2)+HD→DF+H的贡献. 在后向散射方向上,波恩-奥本海默近似禁阻的反应F^*(²P_1/2))+HD的贡献远远大于波恩-奥本海默近似允许的反应F(²P_3/2)+HD,表明非绝热效应在低碰撞能下F+HD→DF+H中扮演着重要角色. 并且,后向散射信号随着碰撞能的降低而单调降低,未出现反应共振的特征. 实验中还获得了低碰撞能3.03∽17.97 meV内波恩-奥本海默近似禁阻的和波恩-奥本海默近似允许的反应微分截面,其中最出乎意料的现象是：随着碰撞能的降低,产物的角分布由后向散射逐渐转变为侧向散射,这可能是在低碰撞下存在的某种未知反应机理引起的.     

正负电子对撞多粒子末态的动力学起伏

运用Jetset产生器分别在实验室系和冲度轴坐标系中对e⁺e^—对撞多粒子末态中阶乘矩的标度性质进行了研究.在这两种情况下,用各向同性的相空间分割得到的三维InF₂～InM都近似于直线,表明e⁺e^－对撞末态相空间中的动力学起伏近似各向同性.在实验室系中由p_x,p_y,p_z的F²～M拟合Ochs公式得到的三个γ值近似相等;在冲度轴系中,在φ方向上适当选取起始拟合点,三个γ值也比较相近,进一步肯定了这一论断.这一结果表明,软、硬过程动力学起伏的本质特征──各向异性或(近似)各向同性,可以通过碰撞过程中阶乘矩标度性质的研究而揭示出来.因此,深入研究各种碰撞过程中阶乘矩的标度性质,对于了解碰撞动力学的本质有重要意义.     

在强磁场中金属薄膜的超导电理论(Ⅰ)

本文研究了在接近转变温度T_c的区域内,超导薄膜在磁场中的性质。磁场是沿着超导膜的表面。在文章中,首先对Γорьков理论进行了分析,指出这个理论实际上是采用了局域近似,这个近似主要是隐含在他所采用的磁场中电子Green函数G_ω⁰(rr′)的表示式中。作者指出,Γорьков所采用的G_ω⁰(rr′)表示式对于本文研究的问题是不适用的,本文采用G_ω⁰(rr′)按矢势的微扰展开式。本文把Γорьков的补偿方程和电流方程推广到超导膜。对于d<δ₀(T)的膜,求出了这二个方程的解,得到超导薄膜的矢势、磁矩、能隙和临界电流的表达式,并研究了超导薄膜在磁场中的相变问题,求得超导薄膜的临界磁场。本文所得到的结果,对比较厚的膜(d?ξ₀)和ГЛ理论一致,而对比较薄的膜(d<ξ₀)和ГЛ理论有着显著不同(除了临界电流和超导膜在磁场中相变级数的判据外),二者的差异特别是表现在对厚度依赖关系上。由于本文所采用的近似,所得到的结果适用于δ₀(T)>d?d^*情形,其中2d^*=(1/(0.36)×ξ₀/p₀)^1/2,对于Sn,2d^*～10^-6cm。     

两格点两电子Hubbard-Holstein模型极化子的量子纠缠特性

本文利用相干态正交化展开方法, 对两格点两电子Hubbard-Holstein极化子模型的能谱以及动力学特性进行了精确求解. 讨论了耦合强度g、平均声子数n以及电子 初态对纠缠演化特性及系统冯诺依曼熵的影响. 数值计算结果表明: 1)纠缠度随时间的演化呈现出良好的周期性, 当其他的参数固定时, 演化周期随耦合强度g增大逐渐减小, 与平均声子数n无关; 2)系统冯诺依曼熵同电子状态占有率表现出严格的同步演化特性; (3) 在弱耦合强度和低平均声子数下, 初始电子态c_2↑⁺ c_2↓⁺|O>_e或c_1↑⁺ c_1↓⁺ |O>_e较c_1↑⁺c_2↓⁺—c_1↓⁺ c_2↑⁺具有更大的最大冯诺依曼熵, 并随耦合强度增大、平均声子数的增加而逐渐接近.     

相对论Thomas-Fermi近似下的核半径公式

使用QHD-I的相对论核场论模型,在Thomas-Fermi近似下讨论核力作用半径公式 R=R₀A^1/3,发现理论计算R₀的结果与高能α粒子与原子核散射的实验结果很好地符合.     

层子模型中的(1/2)+重子的电磁性质和△(1236)的光生电生现象

本文利用层子模型的计算方法和文献[2]中的重子波函数,对1/2⁺重子的电磁性质和△(1236)的光生电生现象进行了讨论。文中利用重子的Bethe-Salpeter(以下简写B-S)方程取标量耦合和梯形近似,得到重子波函数中的两个不变函数成正比的结果,在此基础上把G_M^p(q²),μ_p和μ_A作为输入,可以较好地解释μ_p G_E^p     

无序晶态合金的电阻率

基于Baym原则,将Ziman型液态金属电阻理论推广到晶态金属及替代式的无序合金系统,给出了电阻率的一般表达式,讨论了它们的低温和高温行为。低温下用德拜晶格振动模型,无序晶态系统的电阻率可表为ρ=ρ₀+ρ_d(T/Θ)²+ρ_i(T/Θ)⁵,与实验一致。高温下,考虑到Debye-Waller因子及多声子效应,电阻率趋向饱和。用独立原子振动近似得到的简单公式与实验资料的比较表明:类似Nb这种电阻率的高温非线性偏离可以在本文的模型中自然地得到说明。     

e++e－→J/ψ→V+X,X→3P过程的角分布螺旋度形式

本文给出了过程e⁺+e^－→J/ψ→V+X,X→P₁+P₂+P₃(V和P_i分别代表矢量介子和赝标介子)的角分布螺旋度形式,为确定上述过程中间态X的自旋和宇称提供了理论公式.     

关于复合发光效率的测定

研究了复合发光效率,即复合后发光的光子数与电子和离化中心复合次数的比值。本文在假设激发时期和衰减时期的发光效率不随时间而变和无外部猝灭的条件下,推导出用光和表示的衰减时期发光效率的公式为η_x=L_x/L_j A₂/A₁η_(jL)^C;并且在发光过程与双分子的反应规律相符合及满足上述假设的条件下,利用它测定了η_x。     

超导临界温度理论(Ⅰ)

本文求出了Eliashberg方程在T=T_c时的解,得到了下面的临界温度级数表示式:T_c=α₀(μ^*)(λ〈ω²〉)^1/2{1+1/λα₁(μ^*)〈ω⁴>/〈ω²>²+1/λ²(α₂₁(μ^*)〈ω⁶>/〈ω²>³+α₂₂(μ^*)〈ω⁴>²/〈ω²>⁴) +1/λ³(α₃₁(μ^*)〈ω⁸>/〈ω²>⁴+α₃₂(μ^*)(〈ω⁴>〈ω⁶>)/〈ω²>⁵)+α₃₃(μ^*)〈ω⁴>³/〈ω²>⁶+…},其中α₀(μ^*),α₁(μ^*)等仅是μ^*的函数。新的T_c公式表明了,T_c不仅依赖于λ、μ^*和〈ω²〉,而且依赖于有效声子谱α²F(ω)的各级矩〈ω²ⁿ〉。