VO分子2△3/2—12△3/2电子跃迁P线系发射谱线的研究

本文利用孙卫国课题组建立的能精确计算(预言)某双原子分子电子态P线系发射谱线的物理新公式,首次研究了VO分子从电子态~2△3/2跃迁到电子态1~2△3/2的(0,0)跃迁带中的P线系发射谱线.获得的研究结果不仅重复了实验上己知的低转动态谱线数据,而且还正确预言了该跃迁带在实验上难以精确测量的转动量子数J=80.5以内的高振转激发态的P线系发射光谱.为研究VO分子内部结构提供了重要的物理信息.     

VO分子2Δ3/2-12Δ3/2电子跃迁P线系发射谱线的研究

本文利用孙卫国课题组建立的能精确计算(预言)某双原子分子电子态P线系发射谱线的物理新公式, 首次研究了VO分子从电子态²Δ_3/2跃迁到电子态1²Δ_3/2的(0, 0)跃迁带中的P线系发射谱线. 获得的研究结果不仅重复了实验上已知的低转动态谱线数据,而且还正确预言了该跃迁带在 实验上难以精确测量的转动量子数J=80.5以内的高振转激发态的P线系发射光谱. 为研究VO分子内部结构提供了重要的物理信息.     

VN分子R线系跃迁结构的研究与分析

本文借助孙卫国课题组建立的能精确计算双原子分子R线系发射谱线的物理公式,利用实验上获得的低振动态跃迁谱线数据研究了电极材料VN分子电子态f¹Φ–a¹Δ以及电子态d¹∑⁺–X³Δ₁等跃迁体系的（0,0）跃迁带的R线系发射谱线. 从理论上预言了实验上难以获得的该跃迁带R线系高振转激发态的跃迁结构,为急需VN分子内部结构的其他研究领域提供了重要的结构信息. 从这些公式出发,我们定义了表征实验测定谱线对新谱线的贡献度C（contribution）参数,进一步分析了高激发振转跃迁谱线的相互依赖关系,结果表明该物理公式不仅很好地复现了已知的实验数据,正确地预言了实验未能测定的高激发振转跃迁谱线,而且还能了解不同实验谱线对新谱线的贡献程度,基于这些贡献度,实验学家可以将有限的资源更好地进行分配,重点研究那些贡献度大的振转跃迁谱线. 关键词： 双原子分子 跃迁谱线 贡献度 VN     

精确预言双原子分子Q线系高振转激发态的跃迁谱线

用多重差分的方法,从双原子分子跃迁谱线的普遍表达式出发,已经建立起了预言双原子分子P线系高激发振转跃迁谱线的解析物理公式。采用同样的方法,充分利用现有实验条件下测定的部分振转跃迁谱线数据,文章建立了预言双原子分子Q线系高激发振转跃迁谱线的物理公式。使用该公式和一组经过物理筛选的(15条)精确的实验跃迁谱线,研究了IrN分子A1Π—X1Σ+跃迁系统中(4,1),(3,1)跃迁带的Q支发射光谱。结果表明,该公式不仅很好地重复了所有已知的实验光谱数据,且正确预言了实验没有获得的很多高转动量子态的未知发射谱线,从而提供了一种新的预言高转动量子态的未知跃迁谱线的物理方法。     

精确研究NbN分子d~1∑~+—b~1∑~+电子态跃迁的P线系发射光谱

本文利用最近建立的能精确求解双原子分子P线系发射光谱的物理新公式,研究了NbN分子从电子态d~1∑~+向b~1∑~+电子态跃迁中(1,1)跃迁带的P支发射光谱.获得的计算结果不仅很好地重现了已知低转动态的实验谱线数据,同时也预言了该跃迁带包含转动量子数J=80在内的高振转激发态的精确P线系发射光谱.该方法在理论上为实验技术难以精确测量的双原子分子体系提供了一种获得精确的高激发态谱线数据的物理新方法.从而可以为那些需要NbN分子高激发态跃迁谱线的研究工作提供必要的数据.     

精确研究NbN分子d1Σ+—b1Σ+电子态跃迁的P线系发射光谱

本文利用最近建立的能精确求解双原子分子P线系发射光谱的物理新公式, 研究了NbN分子从电子态d¹Σ⁺向b¹Σ⁺电子态跃迁中(1,1)跃迁带的P支发射光谱. 获得的计算结果不仅很好地重现了已知低转动态的实验谱线数据, 同时也预言了该跃迁带包含转动量子数J=80在内的高振转激发态的精确P线系发射光谱. 该方法在理论上为实验技术难以精确测量的双原子分子体系提供了一种获得精确的高激发态谱线数据的物理新方法. 从而可以为那些需要NbN分子高激发态跃迁谱线的研究工作提供必要的数据.     

CO电子基态P线系跃迁谱线的理论研究

基于微分的思想,结合经典的双原子分子跃迁谱线表达式,提出了预言双原子分子P线系高激发振-转跃迁谱线的新解析物理公式.对于某分子电子体系的某一P支跃迁带,利用实验上获得的一组(15条)精确的跃迁谱线和该跃迁带对应的上下振动态的转动常数(B_υ',B_υ″)的精确数据,该公式不仅可以精确地重复已知的实验跃迁谱线,而且还能预测出实验上难以获得的更高激发态的跃迁谱线数据.利用该公式,研究了CO分子电子基态的(2,0)振-转跃迁带的< 关键词： 双原子分子 发射光谱 P线系')" href="#">P线系 CO     

Cl_2~+离子P支高激发振转态的跃迁谱线

基于描述双核分子体系包含转动光谱常数Lv所在高阶项在内的跃迁能谱的经典表达式,采用差分收敛法(DCM)的物理思想,推导获得了求解双核分子体系P支跃迁谱线的另一解析表达形式。对于某一双核分子体系的P支跃迁带,新的谱线表达式仅需要11条精确的实验跃迁谱线就可以正确预言高激发振转态的谱线结构,同时,利用谱线展开系数C还可以进一步给出计算谱线的不确定度以更可靠地预言高激发振转态的跃迁谱线。推导获得了相应的计算公式以正确获得对应跃迁带的转动光谱常数(B_(v′),B_(v″),D_(v′),D_(v″),H_(v′),H_(v″),L_(v′),L_(v″))。应用新的谱线表达式,对~(35) Cl_2~+和~(35) Cl ~(37) Cl~+离子电子态A~2Π_u-X~2Π_g(Ω=1/2)跃迁体系(3,7)跃迁带的P支跃迁谱线进行了详细研究,获得的计算结果不但能完全重复已知的实验数据,还获得了实验上未能获得的包含高激发振转态在内的跃迁谱线。另外,通过计算同时也得到了各跃迁带的高阶转动光谱常数。该研究方法和计算结果为人们进一步正确认识Cl_2~+离子电子态的内部能级结构及物理化学的相关性质提供了更完整的参考数据。     

CCl自由基A 2Δ←X 2Ⅱ跃迁REMPI光谱研究

在271～279 nm波长范围内采用REMPI技术研究CCl自由基的A 2Δ光谱.实验观察到12C35Cl以及同位素分子12C37Cl 的A 2Δ←X 2Ⅱ1/2,0-0,1-0和2-1跃迁谱带,其中2-1的跃迁为新观察到谱带.获得了A 2Δ←X 2Ⅱ1/2电子跃迁0-0,1-0,2-1谱带的同位素位移.     

Cl2+离子R支跃迁光谱的理论研究

从双原子分子能级的物理表达式出发进行多次微分,建立了预测双原子分子体系R支高振转跃迁谱线的新解析公式. 使用新解析公式预测双原子体系R支高阶跃迁谱线的数据时,最多只需15条精确的实验跃迁谱线和该跃迁带中对应的上下 振动态的转动光谱常数B′_v 和 B″_v.将该解析公式用于预测Cl₂⁺ 离子 A²∏_u---X²∏_g跃迁系(3,7)带和(4,8)带的跃迁谱线,不仅精确的重复了实验给出的较低阶的跃迁光谱数据值, 而且正确预言了所研究体系中缺失的振转跃迁谱线,尤其是高阶的跃迁谱线数据.     

差分收敛法对双原子分子高J值转动谱线的预言

为了更精确地预言转动量子数J ≥ 100时双原子分子R支和Q支的振转跃迁谱线, 本文在考虑了转动能级展开式中高阶小项H_v的前提下重新推导出能更好地预言R支和Q支跃迁谱线的物理解析公式. 另一方面, 通过对差分收敛法计算过程的细致分析, 从物理误差的角度提出了一个在没有实验数据作为参照时仍然能有效收敛的重要物理判据. 应用这些新公式和新判据对TiF和CO分子R支振转跃迁谱线和TiF分子Q支振转跃迁谱线进行了研究. 结果表明: 包含高阶小项H_v的新公式的预言结果精度比原有不含H_v的公式的结果提高了一个数量级; 新判据的使用能更有效地减小预言谱线的可能误差, 提高预言结果精度. 最后通过与最小二乘法计算结果的对比, 进一步说明新公式和新判据在预言R支和Q支振转跃迁谱线数据方面的有效性和准确性.     

用预言振转跃迁谱线的新公式研究AuO分子电子跃迁P支的高激发态发射谱线

本文在孙卫国等建立的预测双原子分子高转动激发态的 振转跃迁能谱的解析物理公式的基础上, 增加了该公式推导时被省略的高阶转动项H_v对能级的贡献, 获得了包含此高阶小项的预测双核体系高转动激发态的振转跃迁谱线的新表达式. 使用该新公式对AuO分子P支发射跃迁光谱的研究表明: 加入高阶转动常数H_v后的新公式所预言的振转跃迁 谱线的精度比不包含H_v 的公式给出的结果提高了约一个数量级. 因此, 更加有力地表明了使用多重差分法建立的这类物理公式在预言实 验未给出的物理数据方面的正确性和有效性. 关键词： AuO H_v')" href="#">转动常数H_v P支谱线')" href="#">P支谱线 多重差分法     

CCl自由基A 2Δ←X 2Π跃迁REMPI光谱研究

在271-279 nm波长范围内采用REMPI技术研究CCl自由基的A 2Δ光谱。实验观察到12C35Cl以及同位素分子12C37Cl 的A 2Δ←X 2Π1/2,0-0,1-0和2-1跃迁谱带,其中2-1的跃迁为新观察到谱带。A 2Δ同三个排斥态2Π,2Σ-和4Π交叉,自旋轨道相互作用使得A 2Δ为预解离态。实验结果揭示υ"＝0态预解离要快于υ"＝1,2振动态。     

N2价轨道的精细电子动量谱学研究

在高分辨率（ΔE=08?eV,Δp≈01a.u.）高效率的第三代电子动量谱仪上获得了N₂价轨道的电离能谱和动量谱.通过对伴线结构的电子动量谱学（EMS）研究,得到了不同伴线结构的电子动量谱,另一方面也得到了伴线结构的强度.由伴线的电子动量分布形状判断出其跃迁的主要来源,并由实验测量的伴线结构强度确定了谱因子（极强度）的大小,通过对谱因子实验值与理论计算结果的比较检验了各种理论模型的精确度. 关键词： 氮分子 价轨道 电子动量谱 电子关联效应     

氮分子A3Σu+、B3Пg、C3Пu电子态的高温高振转光谱研究

采用态平均（CASSCF）/高度相关多参考组（MRCI）方法，对N2分子A3Σu+、B3Пg、C3Пu电子态的势能、跃迁偶极矩进行了高度相关的精确计算．计算的势能在平衡位置附近与RKR拟合的势能曲线非常一致，获得的跃迁偶极矩与已有实验值符合很好。首次对A3Σu+、B3Пg、C3Пu电子态的振转光谱常数随振动量子数v的变化进行系统定量计算，其结果与已有的实验观测数据相符．同时，获得了N2分子第一正带系的0-1、0-2、1-0、1-2、1-3、2-0、2-1、2-3、3-0、3-1和3-2光谱带分别在300，3000，6000，10000K时的谱线强度，如1-0带在3000，6000，10000K时的高温谱线带强度分别为1.58543×10-16 cm-1/(分子 cm-2)、6.07889×10-17 cm-1/(分子 cm-2)和2.3781×10-17 cm-1/(分子 cm-2)．这些结果对N2分子进一步的理论研究、实际应用和高温大气的建模与研究具都有一定的参考价值．     

Ar（^3P0,2）与SO2反应产生SO（A＂^3∑^＋）的光谱

在流动余辉装置上，研究了亚稳态Ar（^3P0,2）与SO2的传能反应．在位于流动管不同位置的两个窗口处，观察到了320～600nm的不同的两组光谱序列．其中，下游窗口所测光谱与之前作者在Ar与SO2混合气体空心阴极放电实验中得到的光谱一致，确定为SO（c ^1∑^-→X ^3∑^-）的发射谱；根据基于最小二乘法编写的光谱模拟程序模拟的光谱结果，上游窗口所测光谱中位于SO（c ^1∑^-→X ^3∑^-）发射谱线长波方向上的光谱序列被归属为SO（A”^3∑^＋→X ^3∑^-），并得到SO（A＂ ^3∑^＋）的光谱常数为：T00=（30460&#177;18．0）cm^-1，ωe＇Xe＇=（7．7&#177;0．8）cm^-1，ωe＇=（685&#177;8．0）cm^-1．     

127)I2在633nm波段的超精细强谱线及稳频半导体激光器

报道了观察到的碘分子（¹²⁷I₂）在633nm波段的5组超精细强谱线,并对每组谱线的频率间距及相应振转能级的跃迁强度作出了计算,结果和实验吻合得很好．利用计算结果,对这5组谱线对应的振转能带作出了甄别．由于这些新谱线比用于氦氖激光器稳频的R（127）11.5跃迁强几百倍,因此利用这些新谱线作为半导体激光稳频的参考谱线,得到了功率为3mW的激光输出,这种半导体激光可成为新型光频标． 关键词：     

纳米晶ZrO2：Pr^3＋与ZrO2：Pr^3＋，Sm^3＋发光研究

采用化学共沉淀法制备了纳米晶ZrO2：pr^3＋粉体，所制备的纳米晶ZrO2：Pr^3＋粉体中Pr^3＋的强室温特征发射的两个主发射带为^1D2-^2H4和^3P0-^3H4跃迁。不同热处理温度下纳米晶ZrO2：Pr^3＋晶体结构不同，因此它们的发光不同；ZrO2基质向Pr^3＋有能量传递，在高温煅烧得到的单斜相配位场中能量传递较好。荧光强度与Pr^3＋浓度的关系研究表明：^3P0和^1D2功能级有不同的猝灭规律，由于[^1D2,^3H4]→[^1G4,^3F4]的交叉弛豫，使得^1D2-^3H4跃迁的猝灭浓度很低，在我们的实验中，掺0．1mol％Pr^3＋时^1D2-^3H4地跃迁发射最强，掺2mol％Pr^3＋时^3R0-^3H4跃迁发射最强。文章制备的纳米晶ZrO2：Pr^3＋，Sm^3＋中Sm^3＋的^4G（5-2）～^6H（7／2）跃迁荧光峰因Pr^3＋加入而增强，这除了两种离子某些能级相近产生荧光发射的叠加效应外，还存在Pr^3＋→Sm^3＋的能量传递。     

钠双原子分子2^3Πu→1^3Σ^＋g跃迁近红外发射光谱

用紫外激光泵浦Ｎａ２分子高位电子态，观察到了位于０．９８－１．０４μｍ谱区峰值为１．０μｍ附近的近红外发射谱，判断基来源于单三重态分子间能量转移后的２＾３Πｕ→＾Σ＾＋ｇ跃迁。，     

SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构红外光发射的起源

我们借助傅立叶变换红外光谱（FT－IR）以及光致激发谱（PLE）,研究SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构红外光发射的起源。谱分析表明,该红外光发射并非起源于纳米锗、硅的量子限制效应以及锗、硅的中性氧空位,而与锗的氧化物紧密相关。PLE的结果证实它们来源于GeO色心TⅡ‘→S0的光学跃迁,给出的GeO电子态模型描述了载流子激发和复合的过程。