半导体超微粒的光电化学

介绍了近十年来半导体超微粒在光电化学方面的研究动态，与半导体块对照，描述了半导体超微粒悬浮体系产生光电流的化学过程，说明了二者的区别以及后者的优越性，同时介绍了半导体超超粒复合体系的光电化学研究工作。     

半导体中的相干控制

本文综述了近年来相干控制这个新兴领域发展的动态，特别是在半导体方面的研究进展。主要介绍了ＴＨｚ辐射的产生和控制，载流子布居的相干控制，光电流大小和方向的控制等的原理和实验技术。     

有机体异质结太阳能电池的数值分析

介绍了一种有机体异质结太阳能电池的数值模拟方法,模型使用Onsager提出的成对复合理论,并结合了完善的无机半导体理论而提出来的,其结果与实验结果符合较好,证明了模型的正确性.在此基础上分析了器件的内建电场与工作温度对器件性能的影响,以及影响器件光电流的主要因素. 关键词： 有机太阳能电池 体异质结 数值分析     

F-P半导体激光放大器弱信号机制下的增益特性研究

利用直接耦合的激光器放大器对,观察了弱信号机制下Fabry-Perot的半导体激光放大器的光放大.测量了放大器增益随放大器注入电流的变化关系,并将实验结果同理论模型相比较,发现理论和实验是一致的.把F-P放大器看作是一个光电探测器,通过测量放大器的短路光电流,得到了激光器同放大器之间的耦合效率.     

激光技术在集成电路测试中的应用

基于半导体光电导的基本物理现象，利用激光束在集成电路器件表面的扫掠，可测出诱导的光电流变化．通过微机信息处理系统可研究器件表面沟道或反型层、Ｐ－Ｎ结的局部击穿，ＣＭＯＳ（互补金属氧化物半导体器件）随机存贮器的锁位现象，还可进行运算放大器可靠性和超大规模集成电路逻辑状态的分析等．     

空气中尘土的浓度测量及其应用

当一定频率的光照到特定的金属表面时，金属会产生光电子并产生光电流，其光电流的大小与光强成正比，而光强与发射光的光强和光在传播过程中的煤质有关。当射光强一定时，其光电流大小与媒质有关。当光线穿过一定浓度尘土的空气时，其光电流大小与媒质浓度成反比，根据这一原理，我们可以通过测量光电流的大小来测量尘土的浓度。     

新型全光纤弹速测量系统

探索了一种新型低成本的基于激光光束反射原理的全光纤速度传感器，并组成了弹丸速度测量系统。AFOBR测速系统的工作原理如图l所示。半导体激光器发出的激光通过光纤引导照射在被测物体的表面并经物体表面反射，部分反射光反射回同一根光纤并传送到光电探测器上产生光电流，光电流的大小与反射光的强度基本成正比，而反射光强是光纤端面到物体表面距离和物体表面反射率的函数。当子弹到达测量区域时，子弹外径尺寸和弹体材料反射率变化引起光电探测器输出信号的变化，在不同的位置布置同样的光纤传感器，即可进行速度测量。     

半导体中的相干控制

本文综述了近年来相干控制这个新兴领域发展的动态,特别是在半导体方面的研究进展。主要介绍了ＴＨｚ辐射的产生和控制,载流子布居的相干控制,光电流大小和方向的控制等的原理和实验技术。     

半导体激光器混沌光电延时负反馈控制方法研究

提出半导体激光器混沌光电延时反馈控制方法.通过附加一个光电延时电路控制系统,建立了三个有光电延时反馈条件下的注入激光混沌控制物理模型.进行了有控制时的最大Lyapunov指数分析.数字仿真发现,当调节延时时间和反馈光电流时,能控制激光混沌到3周期态、5周期态等;当周期键控光电流时,能控制激光混沌到8周期态、9周期态等;最后,通过组合应用光电延时反馈控制电路系统与附加周期调制驱动电流时,能有效地控制激光混沌到单周期态以及其他周期态. 关键词： 混沌 控制 激光器 光电转换     

光强一定时饱和光电流随入射光频率的变化关系辨析

对光电效应实验中饱和光电流随入射光频率变化关系的几种谬误进行了辨析，给出了光强一定时饱和光电流随入射光频率变化的正确规律并作了解释。     

双金属/TiO2纳米管复合结构中增强的光电流

将传统半导体材料与金属微纳结构相结合,利用其表面等离激元共振效应,可有效地增强复合结构的光电转换效率,使其广泛地被用于光电化学和光电探测等领域.本文以氧化铝纳米管为模板,采用原子层沉积技术制备出高有序的TiO2纳米管,并通过电子束热蒸发技术在大孔径的纳米管薄膜中分别负载金、铝和双金属金/铝纳米颗粒,形成金属纳米颗粒/TiO2纳米管复合结构.研究结果表明,相对于纯TiO2纳米管,Au/TiO2复合纳米管在568 nm的可见光照射下,其光电流密度约有400%的提高;在365 nm紫外光照射下,Al/TiO2复合纳米管的光电流提高约50%;同时负载双金属Au和Al纳米颗粒的TiO2纳米管在整个紫外-可见光区域光电流均显著增强.     

用光电脉冲法测量高速摄影机快门的开启时间

本文描述以光电脉冲的原理,构成测量快门开启时间的装置。装置由一个光源、一个光栏、两个聚光镜和一个光电倍增管组成,所有元器件均安装在一个屏蔽的暗箱中。当快门开启时,通过光栏的光通量随快门开启孔径的增大而增大,同时光电倍增管产生的光电流也随着增大。快门全开启时,光通量达最大,光电倍增管产生的光电流脉冲也达最大此。光电流脉冲在检测电阻上形成电压脉冲,用快速脉冲示波器测量此电压脉冲幅度的上升时间,即为被检测快门开启时间的度量。     

砷化镓负电子亲合势光电阴极激活灵敏度在线检测与分析

模拟光电阴极灵敏度测试仪对GaAs阴极激活光源进行校准，并对透、反射阴极光电流比值对灵敏度的影响进行了讨论，实验结果证明，P^ 衬底和阴极组件激活灵敏度的差别主要来源于台外工艺质量的影响。     

由阴、阳极电压及入射光强及频率确定光电流

根据费米-狄拉克统计,本文推导出了一个光电效应中光电流作为阴、阳极电压的函数关系.应用本文所提供的函数所得计算结果同实验结果非常好地符合.其次,建立了入射光强对光电流贡献的数学表现,最后,从数学上得到了入射光频率与光电流的关系,从而能够预测光电流.     

量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性

通过测量1．55Mm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电流随反向电压和光功率的变化关系,以及模拟能带结构、电场分布等特性,研究了量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性．分析了光电流的产生机制,测量了1．064μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应,模拟了具有不同势垒高度的量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应．从实验和模拟两方面证明了量子阱的势垒高度是影响量子阱共振腔增强型光电探测器高功率特性的最主要因素．     

量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性

通过测量1.55 μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电流随反向电压和光功率的变化关系,以及模拟能带结构、电场分布等特性,研究了量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性.分析了光电流的产生机制,测量了1.064 μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应,模拟了具有不同势垒高度的量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应.从实验和模拟两方面证明了量子阱的势垒高度是影响量子阱共振腔增强型光电探测器高功率特性的最主要因素.     

外腔任意反馈半导体激光器的频率调谐特性

根据半导体激光器外腔反射率的不同，系统地研究了外腔任意反馈半导体激光器的频率调谐特性，理论分析及数值模拟与实验结果基本一致。     

基于相关光子多模式相关性的InSb模拟探测器定标方法

利用基于参量下转换产生的相关光子可以实现“无溯源”的绝对定标. 将该方法推广应用于模拟探测器定标的过程中, 获取两路模拟光电流信号的有效相关信息是主要难点. 在相关光子的多模式相关性理论模型的基础上, 提出了一种新的光电流处理方案. 通过将某一时刻采集到的光电流所包含的电荷量转换为等效光子计数, 采用双光路平衡探测和双通道数据波动校正的技术思路, 开展了红外模拟探测器量子效率定标验证实验研究. 利用532 nm单波长激光器为抽运源、PPLN晶体为非线性晶体, 在25 ℃工作温度下获取了631和3390 nm的相关光子对, 定标了InSb红外模拟探测器在3390 nm处的绝对功率响应度. 结果表明, 对InSb模拟探测器的合成不确定度为7.785%. 根据量子效率与绝对功率响应度之间的函数关系, 定标结果与国内计量单位的校准结果的相对偏差为3.6%. 利用多模式相关性在模拟信号下实现红外模拟探测器的绝对功率响应度定标在国际上暂无此方面的报道, 该方法验证了应用多模式相关性理论开展模拟探测器定标方法的可行性, 对于探索基于相关光子的定标技术和拓宽辐射定标应用领域具有重要意义.     

光学相干控制中脉冲光束等相面的实时测控

描述了飞秒脉冲基频光、倍频光光束位相差对相干控制光电流注入的控制作用，提出一种控制基频光、倍频光在全光孔径干涉光场内的等相面保持一致的实验方案，制作了一套相位差稳定自动控制系统，并应用于光学相干控制光电流实验中，获得较好的实时控制结果.     

HCD中氩离子的光电流效应

本文报道了利用Ar~+激光器和HCD灯进行的ArⅡ光电流效应的实验研究。给出了496.5nm,476.5nm,514.5nm光电流效应的实验数据。考虑到离子的电离和复合等过程的竞争效应,提出了一个简化的模型,很好地解释了实验结果。提出了利用离子光电流效应研究某些气体放电等离子体参数的可能性。