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相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
本文利用正电子湮没技术(PAT)对不同密度的MgB2样品分别进行了测定,结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间(本征寿命τ1)和在捕获态的湮没时间(缺陷寿命τ2)比其他高温超导体都明显要高,这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低,可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成,MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷,而且与样品的密度或孔隙度有关.  相似文献   

2.
研究了光辐照对MgB2超导体电子结构的影响。对MgB2超导体进行不同时间的激光照射后,利用正电子湮没技术对光照样品进行了研究,根据正电子寿命谱参数的变化情况,对光辐照后MgB2超导体样品中缺陷及电子结构的变化进行了讨论。实验表明:MgB2超导体中的平均电子浓度对激光的照射十分敏感,并随光照时间的增加而增加。  相似文献   

3.
Hg1-xCdxTe晶体缺陷的正电子湮没寿命   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
利用正电子(e+)湮没寿命谱实验研究了Hg1-xCdxTe晶体样品的空位缺陷.碲溶剂法生长的样品,不论是n型导电还是p型导电都存在大量的Hg空位.经过合适的退火工艺,p型材料转为n型,同时对正电子的俘获效应减小,表现为正电子湮没平均寿命值减小14—17ps.若退火温度高于350℃,正电子湮没寿命值又增大,表明Hg空位浓度增加.得到HgCdTe中正电子的体寿命为τb=272ps.根据正电子湮没寿命和电参数的测量结果,得出 关键词:  相似文献   

4.
我们在室温下对La2-xBaxCuO4(x=0.05,0.1,0.125,0.15,0.2)超导系列样品的正电子寿命谱(PAT)进行了测量,分析了正电子湮没机制与超导转变温度之间的关联,并从电子密度转移方面对La2-xBaxCuO4超导样品的转变温度被抑制的原因进行了解释.  相似文献   

5.
用正电子湮没和差示扫描量热(DSC)变温测量液晶(EBBA)样品的正电子湮没寿命谱及DSC曲线,结果表明正电子湮没的短寿命(τs)基本不变,而长寿命(τ1)和强度(I1)明显地有两次跳变,其跳变的温度范围与DSC所测定的相转变温度范围基本一致,在加热和冷却过程中样品在晶体相←→向列相之间的相互转变的相转变温度范围显著不同。用正电子湮没的ORE模型讨论了由于液晶相转变所引起的微结构变化,从而提出正电子是研究液晶(EBBA)相变的探针。 关键词:  相似文献   

6.
提出了一种新的在热平衡状态下实时测量碲镉汞(MCT)中特征正电子湮没寿命的方法,用该方法测得HgCdTe中基体正电子湮没寿命τb为277±1Ps,汞空位缺陷捕获态寿命τd为306±2ps,并与用其它方法测量的结果进行了比较与讨论.  相似文献   

7.
本文报道了在室温下对La2-xBaxCuO4超导系列样品的正电子寿命谱(PAT)测量,讨论了正电子湮没机制与超导转变温度的关联,并从电子密度转移方面解释了La2-xBaxCuO4超导样品在1/8处的转变温度受抑制的原因.  相似文献   

8.
本文介绍应用正电子湮没寿命和多普勒加宽方法研究60%形变铁等时退火各阶段中缺陷的恢复行为,实验结果说明正电子湮没平均寿命τ及多普勒加宽的S参数都是退火温度的函数,完整晶体中湮没寿命τf=111±lPS,缺陷中湮没寿命τd=162±lps,本文还根据捕获模型计算了正电子的捕获速率及τ1,结果证明与理论预期的完全一致,经计算得出捕获正电于的相对缺陷浓度的范围为10-7-10-4数量级。 关键词:  相似文献   

9.
金红石型Ti O2是一种非常好的稀磁半导体材料,其自身的本征缺陷与室温铁磁性起源密切相关.本文利用Doppler程序在广义梯度理论(GGA)的基础上,计算了正电子在金红石型Ti O2块材中不同缺陷处的湮没寿命.主要包括自由态正电子的湮没寿命,单空位和双空位处束缚态正电子的湮没寿命.并从理论上给出了含有空位缺陷时金红石型Ti O2的符合多普勒展宽能谱.  相似文献   

10.
用固态反应法制备了YBa2Cu3-xFexOy(x=0—0.5)一系列样品,反应在空气中进行.运用正电子湮没技术、扫描电子显微镜和X射线衍射进行了研究,并测定了氧含量.正电子湮没结果发现,x=0.12时短寿命分量τ1和长寿命分量τ2都存在一异常变化.X射线衍射和扫描电子显微镜研究分别表明,材料在x=0.12—0.15区间内发生正交四方相变,晶粒尺寸突然由小变大.通过对上述实验结果的分析可以得到,在该类材料中,正电子对结构相变十分敏感;另外,当Fe掺杂量增大到一定程度时,Fe原子由随机分布变为成簇分布 关键词: Fe掺杂YBCO 高温超导电性 正电子湮没 结构相变  相似文献   

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