| MgB2超导体的正电子湮没研究 |
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| 引用本文： | 葛永霞,常方高,李涛,路庆凤,李喜贵.MgB2超导体的正电子湮没研究[J].低温物理学报,2005,27(2):908-913. |
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| 作者姓名： | 葛永霞 常方高 李涛 路庆凤 李喜贵 |
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| 作者单位： | 河南师范大学物理与信息工程学院,新乡453007 |
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| 摘 要： | 本文利用正电子湮没技术（PAT）对不同密度的MgB2样品分别进行了测定，结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间（本征寿命τ1）和在捕获态的湮没时间（缺陷寿命τ2）比其他高温超导体都明显要高，这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低，可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成，MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷，而且与样品的密度或孔隙度有关．
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| 关 键 词： | MgB2超导体 正电子湮没 结构缺陷 |
| 收稿时间： | 03 27 2005 12:00AM |
THE POSITRON ANNIHILATION RESEARCH OF THEMgB2 SUPERCONDUCTOR |
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| GE YONG-XIA,CHANG FANG-GAO,LI TAO,LU QING-FENG,LI XI-GUI.THE POSITRON ANNIHILATION RESEARCH OF THEMgB2 SUPERCONDUCTOR[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2005,27(2):908-913. |
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| Authors: | GE YONG-XIA CHANG FANG-GAO LI TAO LU QING-FENG LI XI-GUI |
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| Institution: | College of Physics and Information Engineering, Henan Nomal University, Xinxiang 453007 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MgB2 Superconductor Positron Annihilation The construct defect |
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