用热场动力学理论研究介观电路的Wigner函数

利用热场动力学及相干热态表象理论,重构了有限温度下介观RLC电路的Wigner函数,研究了有限温度下介观RLC电路的量子涨落.借助于Weyl-Wigner理论讨论了有限温度下介观RLC电路Wigner函数的边缘分布,并进一步阐明了Wigner函数边缘分布统计平均的物理意义.结果表明: 有限温度下介观RLC电路中电荷和电流的量子涨落随着温度和电阻值的增加而增加,回路中的电荷和电流之间存在着压缩效应,这种量子效应是由于系统零点振动的涨落而引起的; 有限温度下介观RLC电路Wigner函数边缘分布的统计平均正好是储存在介观RLC电路中电容和电感上的能量.     

用热场动力学理论研究介观电路的Wigner函数

利用热场动力学及相干热态表象理论,重构了有限温度下介观RLC电路的Wigner函数,研究了有限温度下介观RLC电路的量子涨落.借助于Weyl-Wigner理论讨论了有限温度下介观RLC电路Wigner函数的边缘分布,并进一步阐明了Wigner函数边缘分布统计平均的物理意义.结果表明:有限温度下介观RLC电路中电荷和电流的量子涨落随着温度和电阻值的增加而增加,回路中的电荷和电流之间存在着压缩效应,这种量子效应是由于系统零点振动的涨落而引起的;有限温度下介观RLC电路Wigner函数边缘分布的统计平均正好是储存在介观RLC电路中电容和电感上的能量.     

介观RLC电路中电荷和电流的量子涨落

发展了一种将有源RLC电路量子化的方法,在此基础上,研究了真空态下介观RLC电路中电荷、电流的量子涨落,特别是研究了电阻对量子涨落的影响.     

用Weyl-Wigner理论研究有限温度下介观电路的量子特性

利用相于热态表象理论,研究有限温度下RLC电路的Wigner函数及量子涨落.借助于Weyl-Wigner理论讨论了介观RLC电路Wigner函数的边缘分布.结果表明:Wigner函数边缘分布的统计平均正好是储存在介观RLC电路中电容和电感上的能量.     

压缩真空态下介观RLC电路中电荷和电流的量子涨落

发展了一种有源RLC电路的量子力学处理方案,在此基础上研究了压缩真空态下介观RLC电路中电荷和电流的量子涨落,着重研究了电阻和压缩参数对量子涨落的影响. 关键词：     

介观串并联RLC电路的量子涨落

借鉴阻尼谐振子的量子力学处理的研究思想,将介观RLC串并联电路量子化．在此基础上,研究了真空态下各支路电流和电压的量子涨落．结果表明,各支路电流电压的量子涨落均与电路器件的参数有关,且随时间衰减．     

介观二阶并联电路的量子涨落

从有源RLC并联电路的经典运动方程出发,通过引入复正则变量,提出了RLC并联电路的量子化方案.作为应用,研究了压缩真空态下介观并联RLC电路中电压,电流的量子涨落,并对结果进行了讨论.     

介观无损耗传输线中电流的量子涨落

在将介观无损耗传输线量子化的基础上, 研究了真空态和压缩真空态下传输线中电流和电流梯度的量子涨落. 着重分析了传输线与一般LC电路量子涨落的差异. 关键词： 介观无损耗传输线 真空态 压缩真空态 量子涨落     

介观RLC电路的量子效应

将介观电容器看作介观隧道结,对介观RLC电路作了相应的量子力学处理.研究了介观RLC电路系统的量子态演化.研究表明:考虑介观电容耦合效应的影响,介观RLC电路系统将由初始的Fock态演化到压缩Fock态,并讨论了电荷及磁通在压缩Fock态下的量子涨落.     

介观二阶电路量子涨落的对偶性

讨论了阻尼对介观耗散电路中电荷和电流量子涨落的影响，在能量本征态下比较了介观RLC串、并联电路中电荷和电流的量子涨落，发现它们之间具有对偶性。     

核磁共振碳谱研究:烷烃化学位移和(CSS)与分子路径指数矢量(VPM)

系统研究了核磁共振碳谱和化学位移规律及其定量构谱关系(QSSR).本文研究了一组十元素分子路径指数矢量VPM,并发现它与烷烃化学位移和CCS有良好线性相关性.采用多元线性回归进行准确估计与预测,结果优良.     

Interrelations of discrete Painlevé equations through limiting procedures

We study the discrete Painlevé equations associated to the affine Weyl group which can be obtained by the implementation of a special limits of -associated equations. This study is motivated by the existence of two -associated discrete both having a double ternary dependence in their coefficients and which have not been related before. We show here that two equations correspond to two different limits of a -associated discrete Painlevé equation. Applying the same limiting procedures to other -associated equations we obtained several -related equations most of which have not been previously derived.     

反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究

研究了反向衬底偏压V_B下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生(GMG)电流I_GMG特性, 发现I_GMG曲线的上升沿与下降沿随着|V_B|的增大向右漂移. 基于实验和理论模型分析, 得出了V_B与这种漂移之间的物理作用机制, 漂移现象的产生归因于衬底偏压V_B 调节了表面电势φ_s在栅电压V_G 中的占有比重: |V_B|增大时相同V_G下φ_s会变小, φ_s 的变化继而引发上升沿产生率因子g_r减小以及下降沿产生率因子g_f增大. 进一步发现I_GMG 上升沿与下降沿的最大跨导G_MR, G_MF 在对数坐标系下与V_B成线性关系, 并且随着|V_B|增加而增大. 由于漏电压V_D在I_GMG 上升沿与下降沿中的作用不同, 三种V_D下G_MR-V_B曲线重合而G_MF-V_B曲线则产生差异. 增大V_D 会增强g_f 随V_G的变化, 因此使得给定V_B 下的G_MF变大. 同时这却导致了更大V_D下G_MF-V_B 曲线变化的趋势减缓, 随着V_D从0.2 V变为0.6 V, 曲线的斜率s从0.09减小到0.03. 关键词： 产生电流 表面势 衬底偏压 N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管     

Universal enveloping algebra and differential calculi on inhomogeneous orthogonal q-groups

We review the construction of the multiparametric quantum group ISO_q,r(N) as a projection from SO_q,r (N + 2) and show that it is a bicovariant bimodule over SO_q,r(N). The universal enveloping algebra U_q,r(iso(N)), characterized as the Hopf algebra of regular functionals on ISO_q,r(N), is found as a Hopf subalgebra of U_q,r(so(N + 2)) and is shown to be a bicovariant bimodule over U_q,r(so(N)).

An R-matrix formulation of U_q,r(iso(N)) is given and we prove the pairing U_q,r(iso(N)) — ISO_q,r(N)). We analyze the subspaces of U_q,r(iso(N)) that define bicovariant differential calculi on ISO_q,r(N).