Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）四元半导体合金的拉曼散射光谱研究

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ四元半导体合金薄膜．用Ｘ－射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数．测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模：类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模以及类ＺｎＳ和类ＭｇＳ的ＬＯ模，实验发现：在ＺｎＳｅ和ＺｎＳＳｅ中加入Ｍｇ使得类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模的振动频率下降；同时，也使类ＺｎＳ模的频率随Ｓ的增加率减小。     

Sol-Gel法和微波辐射法合成亚纳米级Zn_2SiO_4∶Mn~(2+),Er~(3+)高效绿色荧光体

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法和微波法合成了亚纳米级Ｚｎ２ＳｉＯ４∶Ｍｎ２＋ ， Ｅｒ３＋ 高效绿色荧光体， 考察了Ｍｎ２＋ 单掺和Ｅｒ３＋ 敏化的荧光体的发光， 探讨了掺杂浓度对发光性质的影响， 发现Ｅｒ３＋ 可有效敏化Ｍｎ２＋ 的发光． ＳＥＭ 表明Ｚｎ２ＳｉＯ４∶Ｍｎ２＋ ， Ｅｒ３＋ 的粒度约为１５０～３５０ｎｍ ．     

ZnO－Bi＿（2）O＿（3）－Sb＿（2）O＿（3）－BaO系陶瓷的晶界相与抗退降性能

在通常的ＺｎＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－Ｓｂ＿２Ｏ＿３系电压敏陶瓷中，加入能构成压敏特性的钡添加剂，发现除已知的Ｂｉ＿２Ｏ＿３和Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４晶界相以外，还出现新的晶界相，分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡（ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６）晶相。同时还发现，ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６相是热稳定的，它对改善压敏陶瓷的退降性能起重要作用。通过控制各种添加剂的含量，使晶界相Ｂｉ＿２Ｏ＿３，Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４和ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６之间的数量有适当比例时，压敏陶瓷在长期电负荷作用下和脉冲大电流作用下的抗退降能力都有显著的提高，特别可贵的是反向Ｖ—Ｉ特性的退阵有很大的改善。     

Bi2Sr1.8La0.2Cu1—xMxOy（M=Ni,Zn）体系的微结构研究

本利用Ｘ射线衍射、电子衍射和拉曼散射对Ｂｉ２Ｓｒ１．８Ｌａ０．２Ｃｕ１－ｘＭｘＯｙ（Ｍ＝Ｎｉ，Ｚｎ）体系的微结构进行了研究。实验表明，随着掺杂量的增加，掺Ｚｎ体系的结构畸变明显大于掺Ｎｉ体系的结构畸变。由此看来，非磁性杂质Ｚｎ之所以比磁性杂质Ｎｉ对Ｔｃ具有更大的抑制作用，应该归因于Ｚｎ掺杂造成材料严重的结构畸变。     

Bi_2Sr_（1．8）La_（0．2）Cu_（1－x）MxOy（M＝Ni，Z

本文利用Ｘ射线衍射、电子衍射和拉曼散射对Ｂｉ２Ｓｒ１．８Ｌａ０．２ＣＵ１－ｘＭｘＯｙ（Ｍ＝Ｎｉ，Ｚｎ）体系的微结构进行了研究．实验表明，随着掺杂量的增加，掺Ｚｎ体系的结构畸变明显大于掺Ｎｉ体系的结构畸变．由此看来，非磁性杂质Ｚｎ之所以比磁性杂质Ｎｉ对Ｔｃ具有更大的抑制作用，应该归因于Ｚｎ掺杂造成材料中严重的结构畸变．     

ZnO-Bi2O3-Sb2O3-BaO系陶瓷的晶界相与抗退降性能

在通常的ＺｎＯ－Ｂｉ₂Ｏ₃－Ｓｂ₂Ｏ₃系电压敏陶瓷中，加入能构成压敏特性的钡添加剂，发现除已知的Ｂｉ₂Ｏ₃和Ｚｎ_2．３３Ｓｂ_０．６７Ｏ₄晶界相以外，还出现新的晶界相，分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡（ＢａＳｂ₂Ｏ₆）晶相。同时还发现，ＢａＳｂ_{2关键词：}     

结合重金属前后浮萍的红外光谱比较

对结合ＺｎＳＯ４前后浮萍的红外光谱图进行了比较。结构Ｚｎ＾２＋后,３４００ｃｍ＾－１附近的羟基峰发生了位移（△υ＝８３ｃｍ＾－１）,且吸光度下降,１６５０和１５４０ｃｍ＾－１处的蛋白质特征峰的吸光度也下降,而６２０ｃｍ＾－１处峰的吸光度随ＺｎＳＯ４浓度的升高显著增大。因此羟基在结合Ｚｎ＾２＋时起重要作用,结合ＺｎＳＯ４后细胞壁的结构发生了变化,结合ＺｎＳＯ４时物理吸附与化学吸附共同起作用。     

在硅酸盐矿物,玻璃和熔体中Si和Al的配位与局部结构：K—边 …

本文采用步辐射的ＳｉＫ－边Ｘ－射线吸收近边结构（ＸＡＮＥＳ）谱研究了Ｓｉ在ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５和Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５的低压磷硅酸盐玻璃中结构与配位,以及Ｓｉ的配位几何随玻璃中Ｐ２Ｏ５含量而变化：同步辐射的Ａｌ Ｋ－边ＸＡＮＥＳ谱研究了Ａｌ在铝硅酸盐成分为ＮａＡｌＳｉ２Ｏ６－ＮａＡｌＳｉ３Ｏ８的玻璃和熔体中的配位和局部结构,并提供了直接的实验证据该成分的玻璃体系中由于压力的变化所诱导Ａｌ配位的     

ZnSe－ZnS应变超晶格光学振动模的研究

本文给出了ＣａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格的室温Ｒａｍａｎ分析，观测了该超晶格中ＺｎＳｅ子层和ＺｎＳ子层的纵光学振动模（ＬＯ），首次发现在一些样品中ＺｎＳｅ子层的纵光学声子模ＬＯＺｎＳ出现红移，另一些样品中ＬＯＺｎＳｅ出现蓝移，而ＺｎＳ子层的ＬＯＺｎＳ总是向低波数方向移动，并利用限制效应和应变效应给出了解释。     

ZnSe—ZnS应变超晶格光学振动模的研究

本文给出了ＣａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格的室温Ｒａｍａｎ分析，观测了该超晶格中ＺｎＳｅ子层和ＺｎＳ子层的纵光学振动模（ＬＯ），首次发现在一些样品中ＺｎＳｅ子层的纵光学声子模ＬＯＺｎＳ出现蓝移，而ＺｎＳ子层的ＬＯＺｎＳ总是向低波数方向移动，并利用限制效应和应变效应给出了解释。     

ZnO薄膜/金刚石在不同激励条件下声表面波特性的计算与分析

本文首先以刚度矩阵法为基础, 给出了ZnO薄膜/金刚石在四种不同激励条件下的有效介电常数计算公式. 然后以此为工具, 分别计算了多晶ZnO(002) 薄膜/多晶金刚石和单晶ZnO(002) 薄膜/多晶金刚石的声表面波特性, 并根据计算结果及设计制作声表面波器件的要求, 对ZnO膜厚的选择进行了详细地分析. 最后讨论了ZnO/金刚石/Si复合晶片可以忽略Si衬底对声表面特性影响时对金刚石膜厚的要求. 关键词： 声表面波 压电多层结构 有效介电常数 刚度矩阵法     

Surface Acoustic Wave Characteristics with a Layered Structure of IDT/θ° YX-LiTaO3/SiO2/AlN/diamond

Acoustical Physics - A new layered surface acoustic wave (SAW) structure was proposed by Murata Co., Ltd recently. It was reported that such structure could achieve an incredible high performance...     

Anomalous acoustoelectric effect in La0.67Ca0.33MnO3 films

We have studied the acoustoelectric (AE) effect produced by surface acoustic waves (SAW) in a monolithic layered structure, composed of a piezodielectric LiNbO3 substrate and a La0.67Ca0.33MnO3 film. The experiments unexpectedly revealed in the longitudinal AE effect an anomalous contribution, invariant upon reversal of SAW propagation, which coexists with the ordinary (odd in wave vector) effect. The anomalous effect dominates near the metal-insulator transition, while the ordinary effect prevails at high and low temperatures. We show that the anomalous effect is caused by strong modulation of the film conductivity produced by the SAW elastic deformations.     

表征超大规模集成电路互连纳米薄膜硬度特性的声表面波的频散特性

利用声表面波(SAW)的频散特性来表征超大规模集成电路(ULSI)互连系统中低介电常数(k)薄膜的物性具有准确、快速、对材料无损伤等突出优点.研究了Si(100)衬底上淀积低k薄膜的分层结构中，SAW沿任意方向传播的色散关系.引入坐标变换后，单层薄膜特征矩阵从9阶降到6阶，双层薄膜特征矩阵从15阶降到10阶，大幅度提高了计算速度，有利于生产ULSI过程中的在线监测. 关键词： 超大规模集成电路 声表面波 传输方向 频散特性     

压电基片与金属点阵厚度对行波模式声表面波陀螺仪检测灵敏度的影响

过低的灵敏度性能一直是声表面波(SAW)陀螺仪的瓶颈问题,对此,提出了一种结合金属点阵用以改善陀螺效应的新型行波模式SAW陀螺仪,并对其性能进行了评价。该结构由双延迟线型振荡器构成,两延迟线平行且反向制作于同一压电基片上,在延迟线的声传播路径上分布铜点阵。结合层状介质中声波传输特性的研究方法分析了两种压电晶体材料、不同金属点阵膜厚对传感器响应的影响,从而为确定陀螺仪的设计奠定理论基础。基于理论计算结果,研制了以128°YX LiNbO3及X-112°Y LiTaO₃为压电基片,铜点阵厚度分别为33000 Å,6000 Å,9000 Å的95 MHz声表面波陀螺仪。为改善振荡器的频率稳定性,延迟线采用了具有梳状结构的单相单向换能器结构。振荡器的测试频率稳定度达到了±5 Hz/h。利用精确速率转台对所研制的SAW陀螺仪性能进行了测试。测试结果表明:采用机电耦合系数较高的128°YX LiNbO₃基片并增加金属点阵厚度均能有效提高陀螺仪的检测灵敏度,所获得的最大检测灵敏度为2.7 Hz/(deg/s)。      

新型声表面波电流传感器*

将声表面波技术的快速响应特点与磁致伸缩薄膜的高磁敏特点相结合,可实现一种快速、高灵敏、稳定可靠的新型电流检测技术。传感器由双通道差分式振荡器与沉积在传感通道器件表面的声传播路径上的磁致伸缩薄膜组成。该文基于分层介质中声传播理论及磁致伸缩效应,对声表面波电流传感机理进行了分析,以实现对传感器结构的优化设计。实验研制了采用铁钴(FeCo)薄膜的声表面波电流传感器,测试结果表明,该传感器具有快速响应和高灵敏特点。为抑制磁致伸缩薄膜自身的剩磁效应所带来的高磁滞误差,采用的有效途径是将沉积的磁致伸缩薄膜进行图形化设计。实验结果表明,采用栅阵化FeCo薄膜结构的传感器表现出更高检测灵敏度、更好线性及更低的磁滞误差。     

High frequency SAW devices based on third harmonic generation

We demonstrate the third harmonic generation in a ZnO/Si layered structure to obtain high frequency SAW devices. This configuration eliminates the need of high lithography resolution and allows easy integration of such devices and electronics on the same wafer. A theoretical study was carried out for the determination of the phase velocity and the electromechanical coupling coefficient (K²) dispersion curves of the surface acoustic waves. These results are also in agreement with those measured on a SAW filter designed for the third harmonic generation and the operating frequency is up to 2468 MHz.     

Bleustein-Gulyaev waves in a functionally graded piezoelectric material layered structure

This work presents a theoretical study of the propagation behavior of Bleustein-Gulyaev waves in a layered structure consisting of a functionally graded piezoelectric material (FGPM) layer and a transversely isotropic piezoelectric substrate. The influence of the graded variation of FGPM coefficients on the dispersion relations of Bleustein-Gulyaev waves in the layered structure is investigated. It is demonstrated that, for a certain frequency range of Bleustein-Gulyaev waves, the mechanical perturbations of the particles are restricted in the FPGM layer and the phase velocity is independent of the electrical boundary conditions at the free surface. Results presented in this study can not only provide further insight on the electromechanical coupling behavior of surface waves in FGPM layered structures, but also lend a theoretical basis for the design of high-performance surface acoustic wave (SAW) devices. Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 10632060), the National Basic Research Program of China (Grant No. 2006CB601202), the National 111 Project of China (Grant No. B06024), and the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (Grant No. 20070698064)     

一种高灵敏度的桥型声表面波应变传感器*

为了提高声表面波传感器应变灵敏度,该文提出了一种桥型声表面波应变传感器。首先根据受压弯曲构件中应变分布特点设计了桥型声表面波应变传感器,并建立有限元模型,结合微扰法分析了桥型结构几何参数与声表面波应变传感器灵敏度的关系。根据分析结果确定桥型声表面波应变传感器几何结构参数,并与传统声表面波应变传感器的应变灵敏度进行了对比研究,在此基础上搭建受压弯曲微动平台开展实验研究,结果表明:在直梁构件受压弯曲应变测量时,Y34°切向的桥型声表面波应变传感器的应变灵敏度为1692 Hz/με,传统声表面波传感器应变灵敏度为1328 Hz/με,桥型声表面波应变传感器的应变灵敏度较传统声表面波应变传感器有明显提高。     

Development of a SAW duplexer with one-chip isolation circuits

We propose new structures of one-chip type SAW duplexers where Tx and Rx SAW ladder filters as well as isolation networks are fabricated together on a single 36 degrees LiTaO(3) piezoelectric substrate. The new SAW duplexer can overcome the difficulty in fabrication of conventional SAW duplexers while providing the performance matching that of conventional duplexers. Validity of the structure is verified through numerical simulation and experiments.