溶胶-凝胶法制备MgO/(Ba0.8Sr0.2)TiO3多层薄膜及其介电和漏电特性研究

采用改进的溶胶-凝胶方法在LaNiO₃/Si(100)衬底上制备了MgO/(Ba_{0.8Sr0.2)TiO3多层薄膜.实验结果表明，MgO层的引入改变了(Ba0.8}Sr_0.2)TiO₃的介电特性和漏电流行为，使薄膜的漏电 流降低了3个数量级，但介电常数也有相应降低.漏电流的显著降低是由MgO子层的高阻特性 以及微量Mg向(Ba_0.8关键词： 0.8Sr_0.2)TiO₃多层薄膜')" href="#">MgO/(Ba_0.8Sr_0.2)TiO₃多层薄膜 漏电流 介电常 数     

择优取向MgO缓冲层上制备的硅基Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的结构和性能研究

分别采用sol-gel法和磁控溅射法在Si(001)单晶衬底上制备出(111)和(001)取向的MgO缓冲层薄膜,随后在其上生长Ba0.7Sr0.3TiO3(BST30)铁电薄膜.通过X射线衍射,扫描电子显微镜,原子力显微镜等方法研究了薄膜的微结构.实验结果发现,在较厚的MgO(001)缓冲层上可长出(101)取向的BST30薄膜,而在较薄的MgO(111) 缓冲层上则表现出(101)和(111)取向相互竞争的现象,随着MgO(111)缓冲层厚度的增加,BST30薄膜的(101)取向被抑制,而(001)取向逐渐增强.利用反射率测定仪、阻抗分析仪研究了BST30薄膜的光学和电学性能. 通过改进的单纯形法拟合反射率曲线,得到了BST30及其MgO缓冲层薄膜的光学常数, 由BST30薄膜的电压-电流特性(I-V曲线),发现MgO缓冲层对BST30薄膜的漏电流有明显的阻隔作用,可以有效消除BST30膜层的p-n结效应.     

溶胶-凝胶法制备(Ba0.7Sr0.3)TiO3/LaNiO3异质薄膜及其结构和介电性质研究

采用改进的溶胶-凝胶方法在单晶Si(100)衬底上制备了介电性能优异的(Ba0.7Sr0.3)TiO3/LaNiO3 异质薄膜.实验发现,在750 ℃下、O2气氛中晶化的LaNiO3薄膜的电阻率最小.C-V与I-V特性测量表明(Ba0.7Sr0.3)TiO3薄膜具有优异的介电性能,在频率为50 kHz、零偏压下的相对介电常数εr>300,偏压为6 V时漏电流密度JL<1.2×10-6 A/cm2.     

钛酸锶钡精细结构的理论计算

在广义梯度近似(GGA)下,利用超软赝势平面波方法计算了不同Ba/Sr摩尔比BaxSr1-xTiO3(BST)的总能量,确定了BST的精细结构.结果表明,在钛酸锶晶体中,随着Ba的掺入,晶胞体积膨胀,c/a比值增大,有利于晶体结构中正负离子的分离和自发极化的产生.如在四方相Ba0.8Sr0.2TiO3中,Ti离子沿[001]方向发生了0.008 nm的偏心位移,从而表现出BST的铁电性.     

薄膜光学 薄膜光学理论与膜系设计

O484.1 2005010406 R.F.溅射Ba0．5Se0．5TiO3／RuO2薄膜及其介电特性研究= Dielectric propertics of sputtered Ba0.5 Sr0.5 TiO3 thin film on RuO2 bottom electrode[刊,中]／张柏顺(湖北大学物理学与电子技术学院．湖北．武汉(430062)),章天金…∥光电子技术与信息,-2004,17(2).-19-22 用R.F．磁控溅射法在p-Si(100)衬底上沉积Ba0.5 Sr0.5TiO3／RuO2异质结,BST薄膜的晶相和表面形貌用 XRD和SEM分析,表明在衬底温度为550℃时。薄膜的结晶度高、表面粗糙、晶粒较大。电容器InGa／BST／RuO2的     

稀土Pr掺杂纳米发光材料Sr_(0.2)Ca_(0.8)TiO_3的结构及光学性质

采用溶胶-凝胶法制备了Pr掺杂Sr0.2Ca0.8TiO3纳米粉体,用紫外可见光吸收光谱、X射线衍射、透射电镜进行结构表征,分析了不同温度下Sr0.2Ca0.8TiO3∶Pr的粒径大小以及结构变化,分析了其发光特性,并总结出最佳的合成温度为600℃.     

纳米粉末Ba_(0.2)Ca_(0.8)TiO_3∶Pr的合成及XRD研究

文章采用溶胶-凝胶法合成Ba0.2Ca0.8TiO3Pr纳米粉体,分析了溶胶-凝胶法合成稀土发光材料Ba0.2Ca0.8TiO3Pr的反应原理,应用X射线衍射进行结构表征,分析了不同温度下Ba0.2Ca0.8TiO3:Pr的粒径大小以及结构变化。     

Dielectric Enhancement and Maxwell—Wagner Effect in Polycrystalline BaTiO3／Ba0.2Sr0.8TiO3 Multilayered Thin Films

Polycrystalline BaTiO3/Ba0.2Sr0.8TiO3 multilayer thin films were fabricated by pulsed laser deposition onto Pt/Ti/SiO2/Si substrates with various stacking periodicities.The dielectric constant of the films was obviously enhanced with the decrease of the individual layer thickness,while the dielectric loss was kept at a low level comparable to that of the pure Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films.The Maxwell-Wagner model is used to explain the experimental data.     

YBa2Cu3O7-δ薄膜厚度在多层异质结构(Ag/Ba0.1Sr0.9TiO3/YBa2Cu3O7-δ/LaAlO3)中对Ba0.1Sr0.9TiO3介电性能的影响研究

铁电/超导(Ba, Sr)TiO3/YBa2Cu3O7-δ异质结在可调谐微波器件方面具有非常好的应用前景.我们采用1.2°斜切LaAlO3基片,以脉冲激光沉积法(PLD)制备出性能较好的Ba0.1Sr0.9TiO3/YBa2Cu3O7-δ (BST/YBCO)异质薄膜.并进一步研究了YBCO薄膜厚度对BST性能的影响.研究发现当YBCO薄膜厚度增加到180nm附近时,其生长模式由二维step-flow转变为三维岛状模式,严重损害了在YBCO上面生长的BST薄膜的介电性能.具体表现在:BST薄膜的介电常数和可调谐率明显降低,介电损耗和漏电流却大幅度上升.通过测量电容与温度的关系,以应力效应模型对这一实验现象作出解释,认为YBCO薄膜厚度超过临界值,生长模式的转变促使晶格失配应力在YBCO和BST薄膜中得到释放,这导致BST/YBCO界面粗糙,以及BST薄膜中产生了大量的位错和缺陷,BST薄膜的性能因而大为降低.此外,通过对完全相同条件生长的单层YBCO薄膜的表面形貌进行了AFM研究,测试结果进一步验证了YBCO薄膜厚度增加到180nm时,其表面变得异常粗糙,均方根粗糙度(RMS)从120nm厚度时的3nm增加到180nm厚度时的9nm.因此,我们提出:通过严格控制底层YBCO薄膜的厚度,进而控制它的生长模式,能够非常有效地提高BST薄膜的介电性能.     

电子型高温超导体/铁电体/巨磁阻材料异质结的生长及其电输运性质的研究

本文中采用脉冲激光沉积的方法原位制备了结构完整的La1.89Ce0.11CuO4(LCCO)/Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)/La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)三层膜,并在此基础上制得了类似P-I-N型的全钙钛矿结构材料异质结.在不同的温度区间对其电输运性质进行了测量.测量结果表明随着充当绝缘层的Ba0.7Sr0.3TiO3的厚度的变化,异质结的电输运机制也在变化.当其厚度到达25纳米时,整个结在低温区呈现良好的整流特性.