具有纯Tb^3＋发光光谱的有机电致发光二极管

制成了用三价Ｔｂ配合物作为发射层的有机电致发光二极管，并获得纯Ｔｂ３＋的发光光谱。二层结构为玻璃衬底／Ｉｎ－ＳｎＯ（ＩＴＯ）／ｐｏｌｙ（Ｎ－ｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）（ＰＶＫ）／Ｔｂ配合物／Ａｌ，在正向直流偏压下发出明亮的绿光。器件的电致发光（ＥＬ）光谱与Ｔｂ配合物薄膜的光致发光（ＰＬ）光谱完全一致，含有一个尖锐的发射带，系典型的Ｔｂ配合物的发光谱。在驱动电压为５Ｖ下，发光清晰可见，当驱动电压达到１５．４Ｖ时，获得２１０ｃｄ／ｍ２的发光，据知这是用Ｔｂ配合物做发射层的电致发光元件的最亮的发光。同时，通过对器件光谱及电学特性的测量、比较和分析，探讨了有关稀土电致发光机理等问题     

苯甲酰水杨酸铽的合成与发光特性研究

合成了一类以苯甲酰水杨酸(Benzoyl Salicylic Acid,BSA)为配体的稀土铽配合物,将导电高分子材料PVK引入到配合物中,制成了结构为ITO／PVK：Tb(BSA)4／LiF／Al的电致发光器件。并对该配合物的吸收特性及电致发光和光致发光性能进行了研究,实验数据表明,在PVK与Tb(BSA)4之间存在着能量传递,在电致发光中,PVK的发光完全被抑制,这与光致发光的表现不同,这是由于两种发光(光致和电致)机理不同造成的。章同时比较了几种不同PVK掺杂浓度对于器件性能的影响。     

三价铽离子高分子配合物的光致发光和电致发光

对接枝在高分子链上的铽离子的发光行为进行了研究，得到了其在溶液和薄膜状态下的光致发光光谱，研究发现，聚乙烯基唑（ＰＶＫ）对铽离子的发光有影响，氯仿溶液中对铽离子的发光起猝灭作用，而在薄膜状态下却使其发光增强了对此现象的机理进行了初步探讨，把此种材料做成电致发光器件，可以观察到铽离子的绿色特征发光。     

一种新型的稀土有机电致发光材料：Tb（asprion）3phen

文报道了乙酰水杨酸为第一配体,邻菲罗啉为第二配体的铽配合物这种新型电致发光材料,并通过引入导电高分子材料PVK来改善配合物的成膜性和导电性,使其可应用于电致发光器件的发光层。我们制备了单层电致发光器件ITO／PVK：Tb(asprion)3phen／AI,并对其电致发光性能进行了研究。结果表明该配合物具有很好的光致发光性能和电致发光性能。通过测量材料的激发谱和发射谱,我们初步探讨了器件的电致发光机理,认为是PVK及Tb(asprion)3phen激发态的载充子被Tb^3 俘获并与符号相反的载流子在Tb^3 中心上复合,发出Tb^3 的特征发光。     

几种芳香胺类有机EL材料性质的最子化学研究

几种芳香胺类化合物Ｅ－１２、Ｅ－１３、Ｅ－１４和Ｅ１５均为性能良好的有机电致发光（ＥＬ）和光致发光（ＰＬ）材料。采用最子化学计算方法,用ＲＨＦ／ＡＭ１方法优化其构型,用ＲＨＦ／ＣＩＳ方法计算其电子光谱,计算结果与实验值基本吻合。     

聚（2，5－二丁氧基对苯乙炔）电致发光性能的研究

本文对以聚（２，５－二丁氧基对苯乙炔）为发光层的聚合物电致发光二极管的电致发光性能和影响其性能的因素进行了研究．其发光峰值波长为５９０ｕｍ，起亮电压为１２Ｖ，最大亮度可达１１２ｃｄ／ｍ２．热处理温度和时间影响其发光强度和峰值波长，一般以２００℃，真空处理３．５ｈ为宜．还原气氛（Ｎ２＋Ｈ２）下的热处理有利于电致发光性能的提高．器件在空气中具有一定的使用寿命．其量子效率可达０．１６％光子／电子．并研究了器件制备工艺对性能的影响，初步探讨了聚合物电致发光机理．     

新型蓝绿色磷光配合物二(1-苯基吡唑)铱(吡啶三唑)的发光性能

利用1-苯基吡唑、吡啶三唑与水合三氯化铱反应合成了一种新型铱配合物Ir(2N)₂(PZ),研究了配合物的吸收光谱、光致发光光谱以及光致发光效率。利用该材料作为磷光客体,掺杂到高分子主体材料中制作了电致发光器件,研究了其电致发光光谱。结果表明,该配合物在228,250,328nm处存在自旋允许的¹π-π^*跃迁;荧光光谱结果显示在470nm处有较强的磷光发射;电致发光光谱与光致发光光谱相比却发生较大程度的红移。     

稀土发光配合物和高分子PVK之间的能量传递及其在高分子中的分散状态研究

我们使用乙酰水杨酸（aspirin)作为第一配体、邻菲罗琳（phen)为第二配体,在乙醇溶液中合成了稀土发光配合物。元素分析和红外光谱证明它的分子组成的TbC27N2O12H28、分子式就为Tb(aspirin)3phen。光致发光研究表明导电高分子（PVK）和稀土配合物之间存在Foerster能量传递现象。这种能量传递的一个必要条件应该是稀土配合物的激发谱和高分子PVK的发射谱有重叠。稀土配合物掺杂高分子PVK的透射电镜照片表明稀土配合物在高分子PVK中分散比较均匀,分散尺度在20-30nm之间。同时,我们发现高分子PVK和稀土配合物混合后不能均匀分散,这可能是影响电致发光器件寿命的一个因素。     

掺杂PVK光电特性研究

将磷光材料三-（2-苯基吡啶）-铱[Ir（ppy）3]掺杂在聚乙烯基咔唑（PVK）中作为发光层,制作了多层有机电致发光器件。采用常规的光电测量方法,研究其光致发光及电致发光特性,得到了激子形成截面随电压的变换关系。     

掺杂有机电致发光中电压调制变色两种机制的探讨

研究两种掺杂电致发光器件聚乙烯基咔唑（PVK）：Rubrene和Alq3:MN-PPV。通过其光致发光及电致发光特性的研究，发现两种器件的光致发光与电致发光有较大差别。分析认为这是能量传递及电致发光中陷阱对载流子吸引的共同作用使得PVK激子在光致发光和电致发光中的复合速率不同造成的；同时发现对于不同浓度的PVK：Rubrene及Alq3:MN-PPV电致发光随电压增加都发生变色现象，但是它们分别是由两种不同的机制造成的：前者作为染料分子Rubrene，不能形成类似Alq3那样的分相体系，Rubrene发光主要来自PVK的能量传递及陷阱电子对PVK空穴的吸引；后者是由于分相造成载流子在两相中的迁移不平衡。     

在有机电致发光中Tb（Ⅲ）对Eu（Ⅲ）的发光增强现象

１引言稀土有机配合物，特别是铕和铽的配合物，以其独特的荧光性能在生物免疫荧光分析、痕量元素分析、临床医学等方面有着广泛的应用价值［１］．而在近年研究热点之一的有机电致发光研究中，铕和铽的窄带发射特性也吸引了人们的注意，多种配合物被用于这一领域［２］．...     

稀土配合物Eu(asprin)3phen发光特性的研究

将稀土配合物Eu(asprin)3phen掺杂到导电聚合物PVK中，制成结构分别为ITO/PVK：RE配合物／LiF／Al(1)，ITO／PVK：RE配合物／PBD/LiF/Al(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别：在器件(1)中，来自Eu^3 的位于594nm(^5D0→^7F1)和614nm(^5D0→^7F2)处的发光强度大致相当，而在器件(2)中，EL主要来自Eu^3 位于614nm的发光，594nm处的发光很弱，与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。     

稀土配合物Eu(asprin)_3phen发光特性的研究

将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu~(3 )的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu~(3 )位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。     

一种新型稀土有机电致发光材料：Eu(NO3)3phen

稀土离子的窄谱带发射能够很好地满足彩色显示的要求,寻找新的具有更高荧光量子效率的稀土有机材料作为发光层,以做出更高发光亮度的有机电致发光器件是非常有意义的。     

稀土有机聚合物EL进展及其若干问题

描述近年来稀土有机聚合物EL研究进展状况，如稀土Dy－和双核稀土配合物的白光发射EL器件的探索，高效窄带发射长寿命Eu－的红色EL特性研究以及新型Tm－蓝色EL器件的研究，新型Er,Tm等红外发射EL器件的研究等等。结合国内外的研究，提出了有关稀土有机聚合物EL存在的若干问题，发大电流下工作易于老化的瓿，发光亮度仍然不太高和驱动寿命短的问题等。     

Two peaks observed in the electroluminescence spectra of Alq3-based OLEDs

Tris(8-hydroxyquinolato) aluminum (Alq₃)-based organic light-emitting diodes were fabricated with or without using a hole transport layer (HTL). As a conventional device, the ITO/Alq₃/Mg-Ag device yielded a green-light emission with a single peak at 525 nm in the electroluminescence (EL) spectrum. In contrast, two sub-peaks were observed in the EL spectrum of some ITO/HTL/Alq₃/Mg-Ag devices. This difference was tentatively explained by comparing EL with the photoluminescence (PL) spectrum reported in the literature.     

Tb3+－有机配合物作为发射层的有机薄膜电致发光

有机薄膜电致发光(OEL)自从Tang[1,2]发表了高效、高亮度双层结构器件以来,因其驱动电压低,可制成大面积的平板显示而成为当前显示器件研究的热点.     

2(3)-四-(2-异丙基-5-甲基苯氧基)钛氧酞菁的合成及其近红外发光特性

通过分步合成的方法,在钛氧酞菁的外围引入了四个苯氧基团,合成了一种2(3)-四-(2-异丙基-5-甲基苯氧基)钛氧酞菁.通过质谱、核磁、元素分析、紫外可见吸收光谱、近红外光荧光谱和循环伏安法对其结构和性质进行了表征,并利用旋涂加真空热蒸发的方法制得了该材料的电致发光器件(ITO/PVK:TiOPc/BCP/LiF/Al).结果表明,四取代的钛氧酞菁固态的近红外光荧光峰值在1080nm左右;其近红外电致发光的峰值波长落在1050nm左右.在PVK掺杂的器件中,钛氧酞菁的质量分数为30%时有较强的发光强度.     

SnO2 ∶ Eu3+ 纳米晶的水热法制备及发光性能

采用水热法制备了Eu³⁺掺杂SnO₂纳米发光粉,样品在不同温度下热处理得到不同粒径尺寸的纳米颗粒。利用X射线衍射(XRD)与光致发光(PL)谱对样品进行表征。XRD分析表明:SnO₂ ∶ Eu³⁺样品均为纯相 金红石结构。PL测量表明:水热法直接制备的样品的激发谱由Eu³⁺的f-f本征激发峰组成,而经过热处理后样品的激发谱由O^2--Eu³⁺电荷迁移带和Eu³⁺的f-f本征激发组成;样品的发光强度与颗粒大小有密切关系。     

Photoluminescence and electroluminescence investigations at Ge-rich SiO2 layers

Strong blue and violet photo (PL) and electroluminescence (EL) at room temperature was obtained from SiO₂-films grown on crystalline Si, which were either single (SI) or double implanted (DI) with Ge ions and annealed at different temperatures. The PL spectra of Ge-rich layers reach a maximum after annealing at 500–700°C for DI layers or 900–1000°C for SI layers, respectively. Both, PL and EL of 500 nm thick Ge-rich layers are easily visible by the naked eye at ambient light due to their high intensity. Based on excitation spectra we tentatively interpret the blue PL as due to the oxygen vacancy in silicon dioxide.

The EL spectrum of the Ge-implanted oxide correlates very well with the PL one and shows a linear dependence on the injected current over three orders of magnitude. For DI layers much higher injection currents than for SI layers can be achieved. An EL efficiency in the order of 10⁻⁴ for Ge⁺-implanted silicon dioxide was determined.