精确计算p重整化链图传播下p→2π~0反应微分截面(英文)

采用中性介子π0与核子N-反核子N-强相互作用的Lorentz不变耦合模型,对质子反质子重整化链图传播下p→2π0反应微分截面作了严格解析计算,获得精确理论结果;并通过将该计算结果与质子反质子树图和重整化单圈图传播下p→2π0反应微分截面作对比分析,讨论了相关辐射修正.此研究结果对于Lorentz不变耦合模型理论的深入研究与核物理的深入探索,都将提供理论计算研究方面一定的学术参考价值.     

ψ＇→p角分布测量中的效率修正

利用参考衰变道J／ψ→p的高统计量通过判选条件转换实现对ψ’→p过程角分布测量中Monte Carlo效率的修正,并对该方法可能带来的系统误差进行估计,这些结果被用于ψ’→p角分布的测量．     

精确计算在π~0重整化链图传播下p→p′微分截面

本文采用中性介子π0与核子N-反核子U-强相互作用的Lorentz不变耦合模型,对质子反质子在中性介子π0重整化链图传播下的散射微分截面,作了严格解析计算后获得了"精确"理论结果;进而,又对该计算结果与π0树图传播下的微分截面作了对比分析,获得了相关辐射修正的重要结果.这对于深入研究质子摊贩质子在高、中、低能区中的弹性碰撞及其描述强相互作用的Lorentz不变耦合模型理论,都将提供某些值得借鉴与参考的理论研究价值.     

pp反应过程强子产生的不对称性

计算与分析了pp与p反应过程中轻味uds夸克的平均产生几率,得到它们与反应类型和反应能量的关系.进一步得出各种强子的相对产率,发现平均粒子产率,同位旋对称性,正反粒子多重数比例以及奇异抑制因子等,都与具体反应类型以及反应能量有关,特别得出pp反应中正反重子比率大于1 这与重离子碰撞实验结果非常吻合.     

复方位阱的本征解

为了研究p系统的束缚态结构,严格求解了有限深复方位阱的薛定谔方程。计算了能级宽度Γ随位阱虚部深度ξ及其力程α₁的变化。得到:（ⅰ）束缚态的窄宽度结构;（ⅱ）对于一个复方位阱,当位阱虚部的深度比其实部大得多时微扰方法不能用于计算能级宽度;（ⅲ）利用吸收位描写（?）p系统的湮灭不仅依赖于ξ,而且依赖于α₁。     

基于传输线技术的零平均折射率(zero-)带隙的实验研究

基于传输线方法,制备了含左手材料和右手材料的一维光子晶体.通过仿真软件ADS的模拟和矢量网络分析仪的测量,研究了光子晶体的传输特性.实验结果表明:由左手材料和右手材料构成的一维光子晶体具有零平均折射率(zero-)带隙,这一带隙处于左手通带和右手通带之间.zero-带隙分别由零平均介电常量和零平均磁导率决定,进而对晶格尺度不敏感.     

通过J/Ψ→NM衰变研究N~*时的核子极点效应(英文)

研究了J/Ψ→p pπ衰变过程中核子极点图的贡献 ,特别是由离壳效应带来的贡献 .发现衰变宽度对形状因子是敏感的 .在通过用J/Ψ→ p pπ衰变研究N 时 ,核子极点图作为背景道的贡献是非常重要的 ;在通过J/Ψ→ p pη和 p pη研究N 时 ,核子极点图的贡献可忽略不计 ;在通过J/Ψ→p pω研究N 时 ,核子极点图有明显的贡献 .     

强子对撞机上中性top-pion介子产生过程pp(p)→(П_t~0П_t~0),b(П_t~0)的研究

在TC2模型框架下研究了强子对撞机Tevatron和LHC上中性top-pion介子Пt0的产生过程pp(p)→Пt0Пt0和pp(p)→bПt0．研究结果表明,在Tevatron上,这两个过程的产生截面都很小,通过这两个过程我们无法探测到中性top-pion介子．在LHC上,产生截面会大大增加,但通过Пt0Пt0的产生仍无法探测到中性top-pion介子．bПt0在LHC上的产生截面能达到几百个fb甚至pb的量级,LHC每年能产生104-105个bПt0事例．另外,味改变耦合Пt0tc的存在,使得实验能通过背景非常干净的衰变道Пt0→tc来探测Пt0．因此,通过bПt0这一产生机制,未来的LHC实验应能获得足够多的可鉴别的Пt0事例．我们的研究结果,可为LHC上寻找中性top-pions介子检验TC2模型提供有价值的理论指导．     

质子-12C弹性散射中的N-N振幅的相改变

Franco和Yin应用Glauber多次散射理论研究α—4He、3He、2H、1H弹性散射时,在N—N散射振幅中引入一个简单的随动量转移而改变的相因子,使Glauber理论的计算结果与实验数据的符合程度得到很大改善;其后Lombard和Maillet也是用Glauber理论,又研究了这一相位变化对p—4He弹性散射的影响,得到同样的结论;最近,Wang Shilai和Deng Yibing等又在KMT理论框架下,计算了p—4He微分散射截面和自旋观测量,发现这个相改变使得KMT理论框架下所计算的p—4He结果与实验数据符合的情况得到改善.本文紧随Wang Shilai和Deng Yibing等人的工作,也是在KMT理论框架下进一步对p—12C弹性散射进行研究,检验了在KMT理论框架下N—N振幅相位对p—12C弹性散射的作用.本文应用动量空间一级光学势,包括库仑修正,计算出微分散射截面与自旋观测量.其结果表明,在N—N散射振幅中引入一个由Franco和Yin建议的简单的随动量转移而改变的相因子后,使得KMT理论计算的p—12C弹性散射微分散射截面和自旋观测量与实验符合的程度得到改善.这个结果充分说明N—N振幅的相位对KMT类型的理论计算也起重要作用.     

NⅡ离子2p4f—2p3d辐射跃迁概率的理论研究

在全相对论理论框架下，利用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法，系统计算了NⅡ离子2p4f—2p3d的辐射跃迁概率，得到的结果与已有实验值符合很好.具体计算中，详细分析了相对论效应、电子关联、弛豫效应、Breit相互作用和量子电动力学(QED)效应对能级精细结构及辐射跃迁概率的影响.结果表明：相对论效应、电子关联和弛豫效应对NⅡ 2p4f-2p3d辐射跃迁概率有很重要的影响,考虑了这些效应后计算值得到明显改善.     

p型透明导电材料BaSnO3的第一性原理研究

基于密度泛函理论,从头计算了N以及N和Sb共掺BaSnO₃的电子结构和光学性质.结果表明N单掺BaSnO₃与N和Sb共掺BaSnO₃均为p型透明导电材料,在可见光区透过率均在80%以上,且N和Sb共掺具有更高的电导率.计算结果为实验上制备p型钙钛矿结构透明导电材料提供了强有力的理论指导. 关键词： p型透明导电材料 电子结构 光学性质     

pp和p碰撞中J/ψ的光生过程（英文）

计算了pp和p碰撞中J/ψ的领头阶光生过程的产额。运用非相对论量子色动力学回顾了重夸克偶素产生的色单态机制与色八重态机制,并将它们分别用于处理直接光子过程和分解光子过程。通过与J/ψ产生的领头阶结果的对比可以看出,光生过程对J/ψ产额的修正在大横动量区域变得明显。     

J/Ψ衰变的Roper共振态结构的研究

通过J/Ψ→p, p*, N**衰变,研究了Roper共振态的混杂态结构对衰变角分布和分支比的影响. 计算结果表明,如果Roper共振态为纯混杂态,那么J/Ψ→p*, N**的角分布几乎相等, 而J/Ψ衰变到混杂态的衰变宽度还不到J/Ψ→p 的1%, 给出了Γ(J/Ψ→ N* )/Γ(J/Ψ→p)和Γ(J/Ψ→ N**)/Γ(J/Ψ→ p)随混合参数的变化关系, 并讨论了在J/Ψ衰变中研究Roper混杂态结构的可能性.The structure of Roper resonance is studied as hybrid states through decays J/Ψ→p*, N** by calculating the angular distributions and decay widths. The results show that the angular distribution parameters for decays J/Ψ→p*, N** are almost equal if the Roper is identified as a pure hybrid state, while their decay width are less the 1% of that for the decay J/Ψ→p, and the variance of the ratio Γ(J/Ψ→N*p)/Γ(J/Ψ→p) and Γ(J/Ψ→N**)/ Γ(J/Ψ→p) with the mixing parameter are presented,and also the scheme to identify the Roper structure in J/Ψ decays is discussed.     

氮掺杂（1120）ZnO薄膜磁性质研究

采用基于密度泛函理论（DFT）和局域密度近似（LDA）的第一性原理分析了氮掺杂（1120）ZnO薄膜的磁性质.首先,研究了一个N原子掺杂ZnO薄膜的磁性质,结果表明N2p,O2p和Zn3d发生自发自旋极化.其次,研究了二个N原子掺杂ZnO薄膜的磁性质,9个不同几何结构的计算结果表明N原子之间具有FM耦合稳定性,而且具体分析了N掺杂ZnO铁磁稳定性的产生原因.最后,讨论了氮掺杂ZnO磁交换系数和居里温度.计算结果表明N掺杂（1120）ZnO薄膜具有弱铁磁性.     

氮等离子体辅助脉冲激光沉积生长p型ZnO:N薄膜的光学和电学性质

通过氮气等离子体辅助脉冲激光沉积(PLD)技术制备了氮掺杂氧化锌(ZnO:N)薄膜.经过低温快速热退火(RTA)处理后,ZnO:N薄膜呈现p型导电特性.利用X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)和霍尔测量对ZnO:N薄膜中N的化学状态及其光学和电学性质进行了系列的研究.结果表明:所制得的p型ZnO:N薄膜为高度补...     

N II离子禁戒跃迁几率的理论计算

用多组态Dirac-Fock方法, 系统考虑了相对论效应、电子关联、延迟效应等重要贡献, 计算了N II离子2p3d-2p2以及2p3d-2p3p (ΔL＝±2, ΔS＝±1)禁戒跃迁的几率. 与已有的理论相比, 目前计算的精度有了明显提高.     

Mn-N共掺p型ZnO的第一性原理计算

基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法对ZnO(Mn,N)体系的晶格结构、形成能、态密度以及电荷密度进行了计算和理论研究.研究结果表明,Mn和N共掺杂ZnO体系具有更低的杂质形成能和更高的化学稳定性,更加适合p型掺杂.Mn和N以1:2的比例掺杂时,体系的形成能降低,体系更稳定;同时,体系中形成双受主能级缺陷,使得杂质固溶度增大,体系中载流子数增多,p型化特征更明显.此外,研究发现相比于N单掺杂ZnO体系,Mn和N原子共掺杂ZnO体系有更多的杂质态密度穿越费米能级,在导带与价带之间形成更宽的受主N 2p的杂质态,同时空穴有效质量变小.与Mn-N共掺杂体系相比,Mn-2N共掺杂体系的受主杂质在费米能级附近的态密度更加弥散,非局域化特征明显.因此,Mn-N共掺杂有望成为p型掺杂的更有效的手段.     

Observation of a p mass threshold enhancement in ψ′→π+π-J/ψ(J/ψ→γp) decay

The decay channel ψ→π+π-J/ψ(J/ψ→γp) is studied using a sample of 1.06×108 ψ events collected by the BESIII experiment at BEPCII. A strong enhancement at threshold is observed in the p invariant mass spectrum. The enhancement can be fitted with an S-wave Breit-Wigner resonance function with a resulting peak mass of M =1861+6-13 (stat)+7-26 (syst) MeV/c2 and a narrow width that is Γ <38 MeV/c2 at the 90% confidence level. These results are consistent with published BESII results. These mass and width values...     

氮掺杂(1120) ZnO 薄膜磁性质研究

采用基于密度泛函理论(DFT)和局域密度近似(LDA)的第一性原理分析了氮掺杂(1120) ZnO 薄膜的磁性质.首先,研究了一个N原子掺杂ZnO薄膜的磁性质,结果表明N 2p,O 2p和Zn 3d 发生自发自旋极化.其次,研究了二个N原子掺杂ZnO薄膜的磁性质,9个不同几何结构的计算结果表明N原子之间具有FM耦合稳定性,而且具体分析了N掺杂ZnO铁磁稳定性的产生原因.最后,讨论了氮 关键词： 第一性原理 半导体 铁磁性     

大气压空气脉冲流光放电等离子体发射光谱分析

在大气压条件下采用尖-尖电极放电系统得到了稳定的放电等离子体, 并应用发射光谱方法对放电等离子体进行了实验研究。等离子体发射光谱呈现连续谱背景迭加分立谱的形式。连续谱背景来源于放电等离子体内轫致辐射和复合辐射过程; 分立谱归属为N2 C3∏u →B3∏g , N+, N, O的荧光辐射。N+荧光辐射对应的上能级电子组态为2s22p(2P0)3p和2s22p(2P0)3d, 能级高度介于20 eV和23.6 eV之间。实验还结合时间分辨光谱技术, 对放电等离子体中N2(336.8 nm)、N+(500.5 nm)、N+(399.7 nm)荧光信号进行时间分辨测量。结果表明, N2(336.8 nm)荧光首先出现, N+(500.5 nm、399.7 nm)荧光同时产生, 且滞后N2(336.8 nm)荧光约25 ns。根据时间分辨测量结果和相关参考文献, 文章对放电等离子体中N+的生成通道进行了分析。