| 氮等离子体辅助脉冲激光沉积生长p型ZnO:N薄膜的光学和电学性质 |
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| 引用本文： | 王雷,徐海阳,李兴华,刘益春.氮等离子体辅助脉冲激光沉积生长p型ZnO:N薄膜的光学和电学性质[J].发光学报,2011,32(10):977-982. |
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| 作者姓名： | 王雷 徐海阳 李兴华 刘益春 |
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| 作者单位： | 东北师范大学 先进光电子功能材料研究中心 紫外光发射材料与技术教育部重点实验室, 吉林 长春 130024 |
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| 基金项目： | Project supported by National Natural Science Foundation of China(50725205,60907016);Science Foundation for Young Scholars of Jilin Province,China(20080102);Cultivation Fund of NENU(NENU-STC08001)~~ |
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| 摘 要： | 通过氮气等离子体辅助脉冲激光沉积(PLD)技术制备了氮掺杂氧化锌(ZnO:N)薄膜.经过低温快速热退火(RTA)处理后,ZnO:N薄膜呈现p型导电特性.利用X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)和霍尔测量对ZnO:N薄膜中N的化学状态及其光学和电学性质进行了系列的研究.结果表明:所制得的p型ZnO:N薄膜为高度补...
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| 关 键 词： | p型 ZnO:N薄膜 PLD 光学和电学性质 |
| 收稿时间： | 2011-04-02 |
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