非晶态Fe_(87-x)Si_xB_(13)合金的磁化强度、电阻与温度的关系

本文研究了非晶态Fe_(87-x)Si_xB_(13)(x=0,9.6,14.5)合金的饱和磁化强度、电阻率与温度的关系。得到样品的居里温度T_C和晶化温度T_(cr)随Si含量的增加而明显提高。低温下的热磁关系符合布洛赫的T~(3/2)定律,计算出自旋波劲度系数D从x=0时的62meV·A~2增加到x=14.5时的111meV·A~2。从D值和Handrich理论分别推算出表示交换积分涨落的δ=<△J>~(1/2)/值相近。三个样品在低温区都出现电阻率的极小值,电阻率极小值的温度T_(min)从x=0时的10.5K增加到x=14.5时的24.6K。在T_(min)≤T≤130K和室温附近,电阻率分别与T~2和T成线性关系。用推广的Ziman理论讨论样品的电阻率与温度的关系。     

超导金属玻璃Zr_(66.7)Ni_(33.3)的结构弛豫、结晶化和上临界磁场

测量了一系列作等时热处理的超导金属玻璃Zr(66.7)Ni_(33.33)的上临界磁场H_(c_2)(T)及其转变宽度△H_(c2)(T)。发现:在结构弛豫阶段,H_(c2)(T)、△H_(cz)均随热处理温度T_a的增高而线性地下降;在结晶化阶段,从_(c2)与T_α则里指数规律变化。作者改进并推广了Gibbs的结构弛豫理论,使之适用于包括结构弛豫和结晶化的全过程,理论与实验结果符合很好。     

无序Cu_(33)Y_(67)低温电阻和磁阻中的相互作用和弱定域化

文中报道非晶Cu_(33)Y_(67)低温电阻和磁阻的测量结果。这种合金是在He气氛中以熔化-自旋技术制备的。相互作用效果可以为4.5K以下的低温电阻提供一个-T~(1/2)形式的贡献。在稍高的温度,其变化规律也可以通过相互作用和弱定域化的联合来解释。上至1.8T的磁阻测量揭示出一个具有自旋-轨道散射较强影响的弱定域化效果。Cu_(33)Y_(67)的磁阻测量值比弱定域化预言的大。如果把弱定域化的理论预言强度增大3倍,则可以在整个测量磁场范围内与实验值拟合。自旋-轨道散射时间τ_(50)和非弹性散射时间τ_i作为两个拟合参量。τ_(50)不随温度变化,而从对电阻和磁阻分别拟合所确定的τ_i与温度关系是互相符合的。     

Au_(1-x)Ni_x合金(x=0.30-0.42)低温电阻率极小值的机理探讨

为了解释Au_(1-x)Ni_x合金(x=0.30—0.42)低温出现电阻率极小值的实验结果,本文提出一个低浓度自旋集团顺磁态合金的模型,得到自旋集团孤立近似下和自旋集团耦合作用下的电阻率公式,并和晶格散射的贡献(由Au_(80)Ni_(20)合金或Au-Cu合金的ρi(T)实验数据代替)联合起来,得到ρ(T)的计算曲线,和实验结果符合得很好。 当T相似文献   

非晶态Fe_(90-x)Cu_xZr_(10)合金的电子输运特性和结构弛豫

对非晶态Fe_9(1-x)Cu_xZr_10(x=0,4,6,8,10,15,20)合金的低温电阻率、热电势率、高温电阻率和循环退火过程中的电阻率进行测量,结果表明:样品低温电阻率在T_c.附近出现极小值,可用相干交换散射模型说明,热电势率在77—380K间为负值,可用Motts-d散射模型解释:高温电阻率与温度关系和Ziman理论不一致,是相分离的结果;可逆和不可逆结构弛豫分别与CSRO和TSRO有关 关键词：     

非晶态(Fe_(1-x)Cr_x)_(84)B_16合金的类Kondo效应和局部自旋涨落效应

本文研究了(Fe_(1-x)Cr_x)_(84)B_(16)(X=0—0.5)非晶态合金的电阻率与温度(4.2—280K)的关系.实验结果表明,x=0—0.35的所有样品都出现了电阻率与温度关系的极小值.电阻率极小值的温度T_min在x=0.05时出现极大,然后随Cr含量的增加而下降,与饱和磁化强度σ_s(0)和居里温度Tc随Cr含量的变化趋势一致.x=0.05—0.2的样品,在TT_(min)的一段温区,电阻率符合T~2关系,其斜率随x的巨大变化认为是电子-声子散射和局部自旋涨落散射的共同结果.x=0.5的样品,在4.2相似文献   

Au1-xNix合金(x=0.30-0.42)低温电阻率极小值的机理探讨

为了解释Au_1-xNi_x合金(x=0.30—0.42)低温出现电阻率极小值的实验结果,本文提出一个低浓度自旋集团顺磁态合金的模型,得到自旋集团孤立近似下和自旋集团耦合作用下的电阻率公式,并和晶格散射的贡献(由Au₈₀Ni₂₀合金或Au-Cu合金的ρ_i(T)实验数据代替)联合起来,得到ρ(T)的计算曲线,和实验结果符合得很好。当Tmin,电阻率随温度增高而下降,主要是自旋集团孤立近似下的Kondo效应引起的。自旋集团之间的RKKY耦合作用对电阻率的贡献在低温时大,随着温度增高按1/T规律迅速减小,所以ρ(T)-ρ_i(T)实验值在相当宽温度范围出现logT关系。随着温度增高,晶格散射对电阻率的贡献将变得重要,当T=T_min,电阻率出现极小值。 关键词：     

非晶态Fe_(100-x)B_x、(Fe_(1-x)Co_x)_(84)B_(16)和(Fe_(1-x)Ni_x)_(84)B_(16)合金的电阻率与温度的关系

用四端引线法测量了Fe_(100-x)B_x(12≤x≤24)、(Fe_(1-x)Co_x)_(84)B_(16)(0.02≤x≤0.08)和(Fe_(1-x)Ni_x)_(84)B_(16)(0.02≤x≤0.08)非晶态合金的电阻率与温度的关系。实验结果得到,这三个非晶态合金系列在低温区都呈现出电阻率极小,极小值的温度T_(min)都在20K以下。电阻率极小的出现认为是类Kondo效应的贡献。在T>T_(min)温区,电阻率与温度的关系用推广的Ziman理论作了解释。     

BaNi_(0.1)Fe_(1.9)As_2单晶的钉扎机制及涡旋相图

本文中,我们通过磁-电阻测量研究了T_c=19.4K的BaNi_(0.1)Fe_(1.9)As_2单晶中的涡旋玻璃-涡旋液体相变.根据修正过的涡旋玻璃理论,并通过选择合适的临界指数s和H_0,我们对所有的ρ(H,T)电阻曲线进行了标度,并得到了很好的结果.基于涡旋玻璃温度T_g,涡旋维度转变温度T~*和上临界磁场H_(c2),我们得到了H⊥c和H//c两个磁场方向的涡旋相图.结果表明,磁场低于和高于5T,钉扎机制由单涡旋钉扎和集体蠕动共存转变为集体蠕动.     

BaNi_(0.1)Fe_(1.9)As_2单晶的钉扎机制及涡旋相图北大核心CSCD

本文中,我们通过磁-电阻测量研究了T_c=19.4K的BaNi_(0.1)Fe_(1.9)As_2单晶中的涡旋玻璃-涡旋液体相变.根据修正过的涡旋玻璃理论,并通过选择合适的临界指数s和H_0,我们对所有的ρ(H,T)电阻曲线进行了标度,并得到了很好的结果.基于涡旋玻璃温度T_g,涡旋维度转变温度T~*和上临界磁场H_(c2),我们得到了H⊥c和H//c两个磁场方向的涡旋相图.结果表明,磁场低于和高于5T,钉扎机制由单涡旋钉扎和集体蠕动共存转变为集体蠕动.     

Mn含量对非晶态FeB合金低温电阻率的影响

非晶态(Fe_(1-x)Mn_x)_(84)B_(16)(x=0,0.01,0.02,0.04,0.06)合金采用单辊急冷法制备,用四端引线法测量了4.2—300K温区样品的电阻率与温度的关系.所有样品的电阻率与温度关系中都呈现出极小值.在极小值温度T_(min)以下,电阻率与-lnT成线性变化,在T>T_(min)时,电阻率与T~2成线性变化.室温温度系数α(RT)=1/ρRT dρ/dT和低温区β=1/ρdρ/d(T~2)的数值随Mn含量x的增加而明显下降,这一现象用推广的Ziman理论和局域自旋涨落效应作了讨论.     

金属玻璃Zr78Co22中的弱局域化效应

测量了超导金属玻璃Zr₇₈Co₂₂的磁阻和上临界磁场H_c2。磁阻的实验结果定性地与包含自旋-轨道散射的三维弱局域化理论相符,而定量则有明显的偏差,其偏差主要来源于超导涨落效应。在所测量的温区内,上临界磁场H_c2随温度呈线性变化,同时还得出超导金属玻璃Zr₇₈Co₂₂中的非弹性散射主要来源于电子-声子相互作用,其散射几率τ_i^-1=1.3×1O¹⁰T²,略小于Bergmann理论所预言的值。 关键词：     

赝能隙导致的YBa2(Cu1-xMx)3O7-δ(M=Co,Zn)薄膜的输运性质异常

报道了两类典型元素替代的超导Y123相体系-YBa2(Cu1-xCox)3O7-δ(x=0.01,0.02)和YBa2(Cu1-yZny)3O7-δ(y=0.005,0.010)薄膜的电阻率-温度特性(ρ(T))和Hall效应(RH (T)).研究表明,Co掺杂的Y123相体系十分类似于氧欠掺杂的情况,对Co掺杂的薄膜样品,由电阻率-温度特性定义的赝能隙打开的温度T*分别为193和225K.而Zn掺杂的样品没有观察到赝能隙打开对电阻率-温度特性的影响.由Hall效应的测量和Hall角(cotθH)定义了另一个特征温度T 0,介于Tc与T*之间,这一特征温度与核磁共振(NMR)给出的赝能隙打开温度相近,说明可能源于电子自旋自由度上的能隙打开.在室温到Tc范围内,电阻率-温度特性和Hall效应分别定义了两类不同的转变温度(T*和T 0),可能分别源于电子电荷和自旋通道上的赝能隙的打开,预示着电荷和自旋自由度分别进入某种基态.     

铜铌稀合金超薄膜的弱局域电性

在 4.2到 2 5K范围内测量了 2 0纳米稀掺杂铜铌超薄膜 (Cu99Nb1 ,Cu95 Nb5 )的电阻及磁导随温度的变化 ,没有观察到超导的迹象 ,而且样品的磁导都表现出典型的弱局域性质 .通过与理论的拟合 ,得到描述弹性散射 ,非弹性散射 ,自旋 轨道散射和磁散射的特征磁场和特征迟豫时间 .Cu95 Nb5 的各种特征迟豫时间均比Cu99Nb1 的小 .铌的加入不仅很大地影响了杂质引起的电子 电子散射 ,同时也是导致样品的弹性散射时间与自旋 轨道散射时间之比τ0 /τso偏离Abrikosov Gorkov关系的主要原因     

Co(S1-xSex)2系统中的铁磁量子相变

针对Co(S1-xSex)2系统在x=0.11附近发生的铁磁金属到顺磁金属相变,制备了一系列不同Se替代浓度的多晶样品.通过对其结构和电阻率-温度ρ(T)关系的系统观测,结果发现,样品铁磁相变温度TC随着Se替代浓度x值的增加,以(1-x)1/2关系单调下降,其二级铁磁相变转变为一级相变;在临界浓度x=0.11附近,其ρ(T)关系由Fermi液体行为转变为非Fermi液体行为.作者认为,Co(S1-xSex)2系统在x=0.11附近发生的是一种量子相变,在该量子相变点附近零温度下的自旋量子涨落导致其ρ(T)关系的反常行为.     

非晶态(Fe_(1-x)V_x)_(84)B_(16)合金的磁性和电性

用单辊急冷法制备了非晶态(Fe_(1-x)V_x)_(84)B_(16)(x=0,0.02,0.04,0.06,0.10)合金的薄带,分别用磁天平和四端引线法测量了饱和磁化强度和高温电阻率的温度关系。得到平均每个磁性原子的磁矩随V含量的增加近似线性下降,计算出每个Fe原子和每个V原子的平均磁矩分别为2.08μ_B和-5.08μ_B。居里温度T_c从x=0时的622K下降到x=0.10时的478K。利用自旋波激发公式:σ(T)=σ(0)(1-BT~(3/2)-CT~(5/2))得到,自旋波劲度系数D在75.4-81.8(meV·)之间(x=0-0.10),交换相互作用范围的平方平均值〈r~2〉从x=0.02时的4.4增加到x=0.10时的6.5。电阻率的测量得到,室温电阻率在155-127(μQ·cm)之间,晶化过程中电阻率的下降幅度随V含量增加而线性减小,其原因与晶化过程中的相变有关。     

Pb_(0.50)Sr_(0.75)Y_(0.70)Ca_(0.25)Cu_(1.70)O_y单晶的磁阻研究

对低掺杂区非超导的Pb_(6.56)Sr_(?)Y_(?)Ca_(?)Cu_(?)O_y单晶样品进行了电阻和磁阻的测量,发现在低温下电阻温度关系遵从变程跳跃传导的R=R_(?)exp[(T_(?)/T)~(?)]的变化规律,这说明该样品处于强局域化区域.在低温下的磁阻为负并有明显的各向异性,这表明这类体系的磁阻主要来自于轨道效应的贡献,并且可能受到自旋-轨道散射的影响.     

YBa_2Pb_xCu_(3-x)O_y的临界电流特性

本文系统地研究了 Y Ba_2Pb_xCu_(3-x)O_y(0≤x≤0.4)高温超导体的正常态电阻率,交流磁化率,临界温度和临界电流密度等参量之间的关系.结果表明,在0≤x≤0.4范围内,样品的 T_c只有很小的变化,而电阻率和临界电流密度则随 x 发生显著的变化.特别是当 x=0.1时,样品的电阻率最小而相应的临界电流密度最大,在液氮温度下 J_c 为单相 Y Ba_2Cu_3O_(7-δ)样品的三倍多.作者还发现样品内界面层对临界电流的影响比超导相所占比例更大.作者应用McMillan 理论和 Ambegaokar-Baratoff 理论结果分析了实验数据.     

Al_2O_3衬底MgB_2薄膜的超导特性随薄膜厚度的变化

近来超薄MgB_2薄膜被认为在研制新型超导电子器件方面具有比较重要的应用前景,对其超导特性的研究同时对理解低维度情形下的多带超导电性也有重要意义.在(0001)Al_2O_3衬底上,我们利用混合物理化学气相沉积方法生长了一系列厚度在50nm至10nm的MgB_2超导薄膜,测量了薄膜的电阻率—温度曲线及其在不同磁场下的超导转变,考察了薄膜的基本特性参数如超导转变温度T_c、剩余电阻比RRR及超导上临界磁场H_(c2)等随薄膜厚度d的变化.测量发现H_(c2)(T)随温度变化呈现出线性依赖关系,反映出MgB_2薄膜的两带超导特性.随着d的降低,发现薄膜的T_c及RRR值逐渐下降,0K时的H_(c2)(0)逐渐升高.进一步地,我们发现薄膜的T_c与H_(c2)(0)都随RRR值呈现出比较单调的变化:T_c随RRR值降低而降低,H_(c2)(0)随RRR值降低而升高,表明RRR值是影响薄膜超导特性的比较重要的变量.依照两带超导理论对此现象的分析表明,与薄膜的RRR值降低相伴随的可能是MgB_2薄膜内σ带电子和π带电子的带间散射率的增强.     

Al_2O_3衬底MgB_2薄膜的超导特性随薄膜厚度的变化

近来超薄MgB2薄膜被认为在研制新型超导电子器件方面具有比较重要的应用前景,对其超导特性的研究同时对理解低维度情形下的多带超导电性也有重要意义.在(0001)Al_2O_3衬底上,我们利用混合物理化学气相沉积方法生长了一系列厚度在50 nm至10 nm的MgB2超导薄膜,测量了薄膜的电阻率—温度曲线及其在不同磁场下的超导转变,考察了薄膜的基本特性参数如超导转变温度T_c、剩余电阻比RRR及超导上临界磁场H_(c2)等随薄膜厚度d的变化.测量发现H_(c2)(T)随温度变化呈现出线性依赖关系,反映出MgB_2薄膜的两带超导特性.随着d的降低,发现薄膜的T_c及RRR值逐渐下降,0 K时的H_(c2)(0)逐渐升高.进一步地,我们发现薄膜的T_c与H_(c2)(0)都随RRR值呈现出比较单调的变化:T_c随RRR值降低而降低,H_(c2)(0)随RRR值降低而升高,表明RRR值是影响薄膜超导特性的比较重要的变量.依照两带超导理论对此现象的分析表明,与薄膜的RRR值降低相伴随的可能是MgB_2薄膜内σ带电子和π带电子的带间散射率的增强.