入射能量为5．1MeV中子~（58）Ni（n，α）~（55）Fe反应截面和出射

用屏栅电离室测量了入射中子能量为５．１ＭｅＶ的５８Ｎｉ（ｎ，α）５５Ｆｅ核反应的α粒子角分布，２３８Ｕ裂变电离室作中子注量率的测量，测得该能点５８Ｎｉ（ｎ，α）５５Ｆｅ的总截面为（４７．４±５．０）ｍｂ．用中国核数据中心推荐的理论计算程序ＵＮＦ计算了在１—８ＭｅＶ能区５８Ｎｉ（ｎ，ｐ）５８Ｃｏ，５８Ｎｉ（ｎ，α）５５Ｆｅ的反应截面和入射中子能量为５．１ＭｅＶ的５８Ｎｉ（ｎ，α）反应角分布．理论和测量数据的比较说明，用复合核模型来描写该能点的角分布是可行的．     

稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的磁光光谱

在７０－３００Ｋ温度范围内测量了组分ｘ为０．０１和０．０４的Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ及ＣｄＴｅ的法拉第效应随入射光子能量的变化，首次获得了Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ在布里渊区Γ点和Ｌ点的有效ｇ因子及其与温度的关系。给出了Ｆｅ２＋离子与载流子间的ｓｐ－ｄ交换作用常数Ｎ０（β－α）＝（－１．５７±０．０３）ｅＶ。     

46．7MeV／u~（12）C轰击~（197）Au、~（115）In、~（58）

用气体电离室－半导体位置灵敏探测器望远镜测量了４６．７ＭｅＶ／ｕ（１２）Ｃ离子轰击（１９７）Ａｕ，（１１５）Ｉｎ，（５８）Ｎｉ靶时，在大角区发射的从Ｌｉ到Ｍｇ的复杂碎片能谱；由各碎片的能谱提取了蒸发源的温度和碎片发射的最可几动能Ｅｐ，并与＝Ｖｃｏｕｌ＋２Ｔ计算的平均动能进行了比较，发现实验上提取的最可几动能Ｅｐ总是低于计算的．用Ａ．Ｆｒｉｅｄｍａｎ简单的统计公式对复杂碎片的产额进行粗糙拟合，拟合结果令人满意．     

（Ba_（1－x）K_x）BiO_3芯态能级随组份的变化

本文用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２），（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ（１２），（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ（１２），Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化．“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２）是Ｅｇ＝２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２是Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有少量空穴的半导体．其余“样本”是金属．芯态的ＬＤＦ本征值经原子模型△ＳＣＦ修正更接近实验值．用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响，结合任意组份五种“样本”的伯努利分布，计算芯态电子能谱随ｘ的变化．结果表明，所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符，Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于０．２ｅＶ，Ｋ掺杂使各芯态结合能略有增加，其中Ｂｉ（４ｆ），Ｂａ（５ｄ）约１．３～１．５ｅＶ，其他芯态约０．４ｅＶ，以上计算结果与实验基本一致．     

~（28）Si（n，α）~（25）Mg反应中~（25）Mg低激发态能量的测定

在核反应研究中可以根据出射粒子的能谱分析剩余核是处在基态还是激发态，这是核激发态能量测量的基本方法。本实验就是通过１４．１ＭｅＶ中子引起的￣（２８）Ｓｉ（ｎ，ａ）￣（２５）Ｍｇ反应出射ａ粒子能谱的测量，以确定￣（２５）Ｍｇ的几个低激发态能量。     

含MoFe3S4单元的μ2—OR或μ2—SR桥联双类立方烷簇合物的红？…

对下列含ＭｏＦｅ３Ｓ４单元的μ２－ＯＲ或μ２－ＳＲ桥联双类立方烷簇合物的红外光谱进行了研究：（Ｅｔ４Ｎ）３「Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８Ｃｌ６（ＯＭｅ）３」（１）,（Ｅｔ４Ｎ）３「Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８（ＳＰｈ）６（ＯＭｅ）３」（２）,（Ｂｕ４Ｎ）３「Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８（ＳＰｈ）６（ＯＭｅ）３」（３）（Ｅｔ４Ｎ）３「Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８（ＳＢｕ＾ｔ）６（ＯＭｅ０３」（４）ｍ,（Ｅｔ４Ｎ）３「Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８（ＳＰｈ）９」     

XPS和AES研究A3钢表面杂多酸钝化膜

通过比较多种杂多酸及铬酸盐等纯化剂的钝化效果，发现Ｈ３ＰＭｏ１２Ｏ４０是一种优良的纯化剂。在５５℃，ｐＨ１．０的条件下，Ａ３钢在２０ｇ／Ｌ的Ｈ３ＰＭｏ１２Ｏ４０溶液中能形成致密的耐蚀性保护膜。ＡＥＳ结合Ａｒ＾＋溅射测得膜的元素组成为：Ｐ１．９％，Ｍｏ１７．９％，Ｏ６９．６％，Ｆｅ１０．７％．ＸＰＳ测得膜中Ｍｏ以Ｍｏ（Ⅵ）、Ｍｏ（Ｖ）ｔ Ｍｏ（Ⅳ）三种氧化态存在。红外及Ｒａｍａｎ光谱表明，膜的主要振     

ICP－AES法分析水质的探讨

本文用ＩＣＰ－ＡＥＳ（电感耦合等离子体－原子发射光谱法）测定水中Ａｌ、Ｂ、Ｂａ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｖ、Ｚｎ等１８种微量元素。方法简便、快速，只将样品简单酸化，即可测定。方法检出限为０．０００５－０．５μｇ／ｍＬ。相对标准偏差＜１８％     

Ba（n，x）~（134）Cs，~（134）Ba（n，2n）~（133）Ba，

用中子活化法相对于５４Ｆｅ（ｎ，Ｐ）５４Ｍｎ反应，在１３．５０—１４．８０ＭｅＶ中子能区测量了Ｂａ（ｎ，ｘ）１３４Ｃｓ，１３４Ｂａ（ｎ，２ｎ）１３３Ｂａ，１４０Ｃｅ（ｎ，２ｎ）１３９Ｃｅ，１４２Ｃｅ（ｎ，２ｎ）１４１Ｃｅ和２３Ｎａ（ｎ，２ｎ）２２Ｎａ的反应截面．并将所测的结果和其他作者的结果进行了比较，中子能量是用９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９ｍ＋ｇＺｒ反应和９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ反应截面比法测定的。     

含MoFe3S4单元的μ2-OR或μ2-SR桥联双类立方烷簇合物的红外光谱研究

对下列含ＭｏＦｅ３Ｓ４ 单元的μ２－ＯＲ或μ２ －ＳＲ桥联双类立方烷簇合物的红外光谱进行了研究：（Ｅｔ４ Ｎ）３［Ｍｏ２Ｆｅ６ Ｓ８Ｃｌ６ （ＯＭｅ）３ ］（１）,（Ｅｔ４ Ｎ）３ ［Ｍｏ２ Ｆｅ６ Ｓ８ （ＳＰｈ）６ （ＯＭｅ）３ ］（２）,（Ｂｕ４Ｎ）３ ［Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８ （ＳＰｈ）６ （ＯＭｅ）３ ］（３）,（Ｅｔ４Ｎ）３ ［Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８ （ＳＢｕｔ）６（ＯＭｅ）３］（４）,（Ｅｔ４Ｎ）３ ［Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８ （ＳＰｈ）９ ］（５）。通过这系列簇合物特征振动频率和结构参数及与线型Ｍｏ－Ｆｅ－Ｓ簇合物红外光谱的比较,对其νＭ ｏ－μ２Ｏ（Ｒ） ,νＭ ｏ－μ２Ｓ（Ｒ）,νＭ ｏ－Ｓ,νＦｅ－Ｓ,νＦｅ－ＳＲ,νＦｅ－Ｃｌ 进行了归属。对其中两条途径的亲电诱导效应及Δν（即νＭ ｏ－Ｓ－νＦｅ－Ｓ）与Ｆｅ→Ｍｏ 电荷迁移的关系进行了探讨。最后,讨论了桥联双类立方烷与线型Ｍｏ－Ｆｅ－Ｓ簇合物红外光谱的共性和差异。     

2：17型结构Gd—Fe—Co—Ga化合物的结构与磁性

用电弧熔炼的方法制备了Ｇｄ２（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１５Ｇａ２（０≤ｘ≤１０）和Ｇｄ２（Ｆｅ０８Ｃｏ０２）１７－ｙＧａｙ（０≤ｙ≤８）化合物，通过Ｘ射线衍射和磁性测量手段研究了它们的结构和磁性．实验结果表明它们都是２∶１７型结构的单相化合物．Ｇｄ２（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１５Ｇａ２的单胞体积Ｖ随Ｃｏ含量的增加单调下降，而居里温度ＴＣ单调上升，１５Ｋ下的饱和磁化强度Ｍｓ随Ｃｏ含量的增加开始时略有增大，在ｘ＝０２时出现极大值，然后单调下降；对Ｇｄ２（Ｆｅ０８Ｃｏ０２）１７－ｙＧａｙ的样品，随Ｇａ含量的增加单胞体积增加，居里温度和饱和磁化强度单调下降．用Ｃｏ替代Ｆｅ，或用Ｇａ替代Ｆｅ和Ｃｏ都能导致Ｆｅ或Ｃｏ次晶格出现室温单轴各向异性，这可能与Ｇａ原子的择优占位有关．     

元素在探针表面上的原子化机理研究

探针原子人经法是一种新技术，本文系统地总结了用探针原子化法研究Ａｕ（１Ｂ），Ｓｒ（ⅡＡ），Ｃｄ（ⅡＢ），Ａｌ（ⅢＡ），Ｌａ，Ｓｍ，Ｆｕ（ⅢＢ），Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ（ⅣＡ），Ｓｂ，Ｂｉ（ⅤＡ），Ｖ（ⅤＢ），Ｃｒ，Ｍｏ（ⅥＢ），Ｍｎ（ⅦＢ），Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ（Ⅷ）等２０个元素的原子化机理了起源于卤化物分解的元素有Ａｕ与Ｐｔ，起源于氧化物分解的元素有Ｃｄ，Ａｌ，Ｌａ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｅ，Ｍｎ与Ｆｅ。     

NO在Cs／Ru（1010）表面上吸附的ARUPS研究

在１５０Ｋ的低温下，ＮＯ在清洁的Ｒｕ（１０１０）表面上的吸附，Ｈｅｌｌ－ＡＲＵＰＳ显示在Ｅ以下９．３ｅＶ（５σ＋１π）和１４．６ｅＶ（４σ）处有两个峰，表明ＮＯ在Ｒｕ（１０１０）表面上是分子吸附，ＮＯ在Ｃｓ／Ｒｕ（１０１０）表面上的吸附，ＡＲＵＰＳ测得在Ｅ以下６．２，９．２，１１．１，１２．４和１４．９ｅＶ处有５个峰，和Ｎ２Ｏ气相的ＵＰＳ谱比较认定它们是Ｎ２Ｏ和ＮＯ共存的结果，表明ＮＯ在Ｃｓ／Ｒｕ     

关于l／η（1440）的结构分析

本文通过对Ｊ／ψ辐射衰变到Ｋ＋Ｋ－πＯ和终态中ｉｏｔａ能区的振幅分析，发现ｉｏｔａ峰下有一个０－＋共振态（Ｍ＝１４６７±３ＭｅＶ，＝８９±６ＭｅＶ）和两个１＋＋共振态（Ｍ＝１４３５±３ＭｅＶ，＝５９±５ＭｅＶ；Ｍ＝１４９７±２ＭｅＶ，＝４４±７ＭｅＶ），分别对应于η（１４４０），ｆ１（１４２０）和ｆ１（１５１０）．     

TBP色层分离－ICP／AES法测定锆铀铒合金中十七个微量杂质元素和铒

本法对锆铀铒合金中十七个微量杂质元素和铒的测定进行了较系统的实验研究。取样１００ｍｇ时，Ａｌ、Ｃａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ和Ｚｎ的测定范围为３０～３２００μｇ／ｇ，Ｅｒ为０．２～３．２％，回收率为９４～１０８％，ＲＳＤ（ｎ＝８）为０．２～２．１％。     

ICP—AES法测定锌及其化合物中的杂质元素

采用样品溶解后直接测定及氢氧化钇共沉淀将锌与被测杂质元素分离后测定相结合，研究了锌及其化合物中Ａｇ，Ｃｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｉｎ，Ａｓ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｂｉ等１５个杂质元素的ＩＣＰ－ＡＥＳ测定方法，相对标准偏差１．６－８．１％。     

杂质对（Ce,Gd,Tb）MgB5O10灯用荧光粉发光量子效率的影响

研究了杂质对Ｃｅ０．１ｇＤ０．６ｔＢ０．２ｍＧｂ５ｏ１０发光量子效率的影响。低浓度的Ｐｒ＾３＋、Ｎｄ＾３＋、ＤＦ＾３＋、Ｈｏ＾３＋和Ｅｒ＾３＋不能有效地与Ｇｄ＾３＋和Ｔｂ＾３＋竞争Ｃｅ＾３＋离子的激发能。此外，因电子传递过程，Ｓｍ＾３＋和Ｅｕ３＋使Ｃｅ＾３＋的发光效率大大降低。     

（Ba1—xKx）BiO3芯态能级随组份的变化

本用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）ＢｉＯ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ＾＋３和Ｂｉ＾＋５二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化，“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２是ｇ＝－２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２ｊ Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有不量空穴的半导体，     

16O＋24Mg反应全熔合激发函数的类共振结构

本工作用位置灵敏的△Ｅ－Ｅ望远镜系统，入射能量长为１．０ＭｅＶ，测量了５５－９０ＭｅＶ１６Ｏ＋２４Ｍｇ反应全熔全激发函数，实验结果表明，这个反应的全熔合激发函数不是平滑的，存在着宽结构。峰位在ＥＣＭ＝３４．２，３７．８，４０．６，４３．８和４６．６ＭｅＶ。当ＥＣＭ＞４８ＭｅＶ时。激发函数的结构消失了。     

碳对α的非卢瑟福背散射截面研究

报道了散射角为１７０°±１．５°，α粒子能量在５－９．０ＭｅＶ之间，ｃ的背散射截面的实验测量值；用Ｒ矩阵理论，通过与实验数据拟合，分析、给出了一套能级参数，并计算了能量范围在２－９．０ＭｅＶ，ｃ的背散射截面；讨论了对背散射分析感兴趣的窄而孤立的强共振峰４２５０±１０ＫｅＶ随靶厚、角度的变化关系以及截面变化缓慢的平坦区３．６－４．２０ＭｅＶ，６．４２５－６．７００ＭｅＶ能区的截面值与背散射角度的关系。 关键词：