核裂变中的Overshooting现象与中子多重性

本文采用扩散模型来讨论核裂变中的瞬态过程。研究结果表明在Kramers区域(T/E_f<1)和高温区域(T/E_f>1)瞬态过程的行为差别很大。高温区域瞬态过程中的Overshooting现象会使裂变几率增大,从而使通常认为的裂变速率的瞬态行为引起中子多重性增强效应在这一区域减弱甚至消失。     

裂变位垒的角动量效应测量

本工作采用金硅面垒型半导体探测器和天然白云母固体核径迹探测器测量了¹²C+²⁰⁹Bi和¹⁴N+Pb反应的裂变截面σ_f和蒸发余核截面σ_er.由蒸发余核截面提取角动量l_er,基于统计模型导出的裂变宽度与蒸发中子宽度比(Γ_f/Γ_n)_l的表达式计算给定角动量l_er的裂变位垒E_f(l),从实验上研究裂变位垒的角动量效应.     

轴矢量介子E/f1(1420)的一种可能的解释

本文讨论了轴矢量介子f₁(1285),f₁(1530)和E/f₁(1420)的混合,结果表明,E/f₁(1420)的主要成份是胶子球.在此基础上给出了E/f₁(1420)的螺旋性振幅之比x的值,有待实验的检验.     

U235及Pu239裂变中子能谱的测量

利用核-3乳胶测量了热中子引起U²³⁵及Pu²³⁹裂变中子能谱。结果如下:(1)Pu²³⁹裂变中子能谱显著地较U²³⁵裂变中子能谱为硬。其平均能量分别为:E_Pu=1.989±0.024兆电子伏;E_{U=1.867±0.015兆电子伏。(2)在2-3兆电子伏区域,发现有一个曲折,表明可能存在着能谱上的某种“结构”现象。}     

SIMULATION OF OCCUPATION FUNCTION FOR THERMALLY STIMULATED CONDUCTIVITY IN AMORPHOUS SEMICONDUCTORS

The occupation functions for the general condition f(E,T), for the high field approx-imation (HTSC) f_H(E,T) and for the steady state photoconductivity (SSPC) f_P(E,T) in the thermally stimulated conductivity (TSC) of amorphous semiconductors have been inves-tigated. It was found that the occupation function f(E,T) in TSC is in excellent agreement with the occupation function in SSPC f_P(E,T) under the condition of σ_TSC(T) = σ_P(T).There is a large difference between f_P(E,T) and f_H(E,T), which can be much reduced by introducing an effective attempt to escape frequency ν_eff in the calculation of f_H (E, T). The results show that the mobility-lifetime product (μτ) in TSC obtained from SSPC measure-ments under the above condition is valid. For high field approximation TSC, the simulated ν_eff is found to be temperature dependent.     

淬入空位在AuCu有序化过程中的作用

本文通过电阻测量研究了淬火和退火温度对AuCu合金有序化过程的影响,结果表明:1.AuCu合金的有序化过程可分为两个阶段:1)局部有序或有序相成核阶段,电阻上升;2)有序相(或畴)长大阶段,电阻下降。2.淬火后低温退火时,AuCu有序化主要是通过过饱和的淬入空位在金属中的移动而实现的。有序化的速度正比于淬入空位的浓度和移动率。3.通过有序化速度随淬火温度和退火温度的变化,测得AuCu中空位的形成能E_f和移动激活能E_m相应为0.95eV和0.81eV。4.在等温退     

稀土元素掺杂对VH2解氢性能的影响

采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,研究了La, Ce和Pr掺杂对VH₂的 电子结构和解氢性能的影响.计算结果显示La, Ce和Pr掺杂VH₂后晶体模型的费米能级E_f处 电子浓度N (E_f)的增加,表明体系结构稳定性减弱,解氢能力增强; 电子密度计算也显示V-H之间相互作用减弱,解氢能力增强;同时Mulliken布居数计算结果还显示掺杂以后 解氢能力增强与V-d轨道Mulliken布居数减少, V-s轨道Mulliken布居数增加有关.     

原子核的对相互作用对裂变碎块角分布的影响

我们把Migdal的关于基态原子核转动惯量的半经典近似的推导,推广到激发态(T≠0)情形;并由此计算了裂变碎块角分布参数K₀²。与实验数据比较的结果表明:在现有近似下,原子核的对相互作用能解释U区裂变核在低激发能(E_exc≤15MeV)时,K₀²“反常”小的现象,同时利用对相互作用与角动量的依赖关系,可以定性地解释Pb附近裂变核并没有这种“反常”现象。     

Pb-Mg-Al合金腐蚀机理的电子理论研究

为了了解Pb-Mg-Al合金腐蚀的物理本质, 本文采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Pb-Mg-Al合金中各物相的结合能、费米能级和局域态密度等电子结构参数, 分析了合金的电化学腐蚀机理. 计算结果表明：Pb-Mg-Al合金中各主要组成物相稳定性大小关系为 Mg₁₇Al₁₂>Mg₂Pb>Mg;Mg,Mg₂Pb和Mg₁₇Al₁₂的费米能级存在E_f(Mg)>E_f(Mg₂Pb)>E_f(Mg₁₇Al₁₂)的关系, 说明Mg最容易失去电子, Mg₂Pb次之, Mg₁₇Al₁₂最难;局域态密度表明, 在同样的外界条件下, 体系中Mg相和Mg₂Pb相对于Mg₁₇Al₁₂均处于不稳定的状态, 容易失去电子, 即容易发生腐蚀. Pb-Mg-Al合金体系中不同物相的费米能级差构成了电化学腐蚀的电动势, 导致电子从费米能级高的Mg相和Mg₂Pb相流向费米能级低的Mg₁₇Al₁₂相, 使Pb-Mg-Al合金发生腐蚀.     

中子诱发233,235,238U裂变机制的多通道理论研究

用改进的多通道和无规颈断裂模型,计算了能量E_n=0—6MeV的中子诱发²³³U、²³⁵U裂变和E_n=1.3—5.3MeV中子诱发²³⁸U裂变的碎片的质量分布、动能分布和瞬发中子数分布,理论计算在定量上与实验符合较好.     

强子衰变过程J/ψ→ωπ+π－中的多道耦合

讨论了强子衰变过程J/ψ→ωπ⁺π^－包含的三个不同中间过程J/ψ→ωf₂(1270),f₂→π⁺π^－和J/ψ→b₁^±(1235)π⁺,b₁^±→ωπ^±的耦合问题.这种耦合效应的考虑对于精确测定共振态f₂和b₁^±的参数以及这些反应道的螺旋度振幅比是十分重要的.     

北京谱仪上的J/ψ物理

利用BES上取得的9.0×10⁶ J/ψ数据,进行了系统的J/物理分析.证实了ξ(2230)的存在,并首次发现ξ(2230)的非奇异衰变模式.测量了f₀(980)、f₂(1270)的共振参数和极化.对J/ψ→K⁺K^－过程短分析的结果表明f_J(1710)是含有0⁺⁺和2⁺⁺两个态的宽结构.采用分波法测定了η(1440)、f₀(1500)的自旋宇称,得到它们的主要衰变模式.     

Extended triplet set C343 of DNA sequences and its application to the p53 gene

Recently, much research has indicated that more and more cancers pose a threat to human life. Cancers are caused by oncogenes. Many human oncogenes have been found and most of them are located on chromosomes. The discovery of the oncogene plays a significant role in the treatment of cancer. The p53 tumor suppressor gene has received much attention because it frequently mutates or deletes in tumor cells of most people. Thus, the study of oncogenes is significant. In order to establish the Galois field (GF(7)), the indefinite gene is introduced as D and oncogene is introduced as O, and P. Taking the polynomial coefficients a₀, a₁, a₂ ∈ GF(7) and the bijective function f:GF(7) → {D,A,C,O,G,T,P}, where f(0) = D, f(1) = A, f(2) = C, f(3) = O, f(4) = G, f(5) = T, and f(6) = P, the bijective φ may be written as φ(a₀ + a₁x + a₂x²). Based on the algebraic structure, we can not only analyse the DNA sequence of oncogenes, but also predict possible new cancers.     

J/ψ衰变中f0(975)的实验研究

本文基于北京正负电子对撞机(BEPC)上北京谱仪(BES)所收集到的国家自然科学基金资助.7.8×10⁶J/ψ事例,系统研究了J/ψ→φπ⁺π^－和J/ψ→ωπ⁺π^－两个衰变道,给出了过程的分支比以及f₀的位置和宽度参数,并对J/ψ→φf₀,f₀→π⁺π^－过程的角分布进行了拟合,首次确定出该过程的螺旋度振幅比.     

混沌半导体激光器的弛豫振荡频率对随机序列速率的影响

利用光反馈半导体激光器产生的混沌激光作为随机数发生器的物理熵源, 分析了混沌信号自相关系数与随机序列游程数之间的联系, 在此基础上研究了激光器的弛豫振荡频率f_r与随机序列速率f_n在不同比值时, 序列游程数的变化情况. 研究发现, 当f_r/f_n=(2k+1)/4时, 随机序列的游程数容易满足NIST SP800-22随机数测试标准的要求. 当k=1时, 得到随机序列最大速率为f_n=4f_r/3.     

关于标量介子的研究

基于a₀(980)和D^*_sJ(2317)属于1 ³P₀介子多重态这个主要假定, 在准线性Regge轨迹方案下估计了1 ³P₀介子多重态成员的质量. 在介子-介子混合的框架下,建议a₀(980), K^*₀(1052), f₀(1099)和f₀(530)组成基态标量介子九重态, 并且f₀(1099)主要由ss组成,而f₀(530)主要是uu+dd. 这些态可能分别对应已观察到的标量态a₀(980), κ(900), f₀(980)和f₀(600)/σ. 另外, 在胶球为主的图像下, 估计基态标量胶球的质量大约为1340MeV. 给出的结果与其他不同方法给出的结果是一致的.     

5.5到21.7MeV/A28Si+197Au系统的裂变测量(Ⅰ)线动量转移和偏离反应平面分布

用5.5到21.7MeV/A²⁸Si+¹⁹⁷Au,测量关联裂片的速度及角分布.实验表明:入射能超过10MeV/A时,出现非完全熔合裂变(ICF);E_cm>200MeV时,伴随ICF又出现跟随裂变(SF).从线性动量转移(LMT)分布中,提取了SF产额对总裂变产额的比值.从关联裂片偏离反应平面的分布中,给出了分布宽度与单核子激发能的线性关系式.     

无定形靶中离子注入的R,Rp,△Rp的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解:R=2/a[E^1/2-A₁(arctg(2E^1/2-f)/△^1/2+arctg f/△^1/2)+B₁ln((E^1/2-f)²)/(E-fE^1/2+d) ·d/f²],其中A₁,B₁,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=R/(R_p)(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系 η=F(μ)[A₂(μ)+(B₂(μ))/(ε^1/2+C)],和ω=R_p/△R_p(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A₃(μ)ε^1/21/2+B₃(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A₂(μ),B₂(μ), B₃(μ)和A₃(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对η等关系式的物理意义作了讨论。上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO₂等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。     

论三能级变频器

本文计算了三能级(E₃>E₂>E₁)量子变频器输出的相干部分与非相干部分的线型。分别对光频波之间、光频波与微波间以及微波间的变频作了讨论。三能级量子变频器有两类工作方式。在方式Ⅰ中,泵频率～1/?(E₂—E₁),输入讯号频率～1/?(E₃—E₂),输出讯号频率～1/?(E₃—E₁)。在方式Ⅱ中,泵频率～1/?(E₃—E₂),输入讯号频率～1/?(E₂—E₁),输出讯号频率～1/?(E₃—E₁)。本文计算表明对于光频波段的变频,工作方式Ⅱ是比较优越的。     

J/ψ→ωf2(1270)衰变过程极化结构的研究

本文用推广的矩分析法研究了过程J/ψ→ωf₂(1270),f₂(1270)→ππ的极化结构,给出了用矩关系式表示的过程的四个螺旋度振幅之比.