非晶态硒砷薄膜的光电导性

一、引 言 非晶态硒具有良好的光电导特性,已在静电复印和彩色电视摄象中得到广泛的应用[1-3].随着应用的发展,对其光电导性亦提出了更高的要求,目前多采用硒合金来改进其光电导性的[1,4,5]. 鉴于非晶态硒基材料的组份对其载流子传输特性具有很大影响,且直接影响其光电导性[1,4-8].本文针对非晶态硒基材料的应用,研究了硒砷薄膜中砷含量对其暗电阻率、光电导灵敏度、光谱灵敏度和光电流与光强关系的影响.实验结果表明,薄膜中砷含量对非晶态硒砷薄膜的光电导性具有重要影响. 二、原理和方法 光电导灵敏度的各种特性。是通过测定一定尺寸样品…     

自组装高导电石墨烯薄膜的光谱特性表征

本文提出了一种石墨烯薄膜的自组装制备技术,获得了高导电、高透明的均匀石墨烯薄膜,并对其进行了参数测试和光谱特性研究。研究表明此方法制备的石墨烯薄膜具有杂质含量少、高导电、高透明、膜厚均匀可控等优点,其平均透过率达到80%,方阻最低可达到0.2Ω/sq,在透明电极和有机光电子学领域有重要应用前景。     

准波导结构下染料薄膜的荧光光谱和放大自发辐射光谱特性

通过对RhB/PMMA和Rh6G/PMMA染料薄膜的荧光光谱和放大自发辐射(ASE)光谱的实验测量和理论分析,研究了准波导结构染料薄膜的荧光光谱和ASE光谱特性。实验上采用连续激光和脉冲激光照射,分别测量准波导结构RhB/PMMA和Rh6G/PMMA染料薄膜的荧光光谱和ASE光谱,发现荧光峰和ASE峰随着染料掺杂浓度和薄膜厚度的增加产生红移;理论上考虑准波导结构下薄膜中染料的自吸收效应,类比激光器谐振腔模型,分析低阶导模传输的增益特性,获得了荧光光谱与ASE光谱中荧光峰和ASE峰对应波长与染料掺杂浓度的关系,数值计算与实验测量相吻合。结果表明,准波导结构下薄膜中染料自吸收效应导致荧光峰及ASE峰发生红移,改变染料掺杂浓度,可以在较大调谐范围实现ASE。     

激光诱导击穿光谱在薄膜损伤分析中的应用

提出了应用激光诱导击穿光谱技术对薄膜损伤特性进行表征的方法,研究了纳秒脉冲激光作用下薄膜损伤时的等离子体光谱特征,并应用该技术对薄膜的抗激光损伤特性进行了测量.实验测得,HfO2单层膜在78mJ的激光能量的辐照下,薄膜损伤时的等离子体温度为2 807.4K,且电子密度为7.4×1017cm-3.利用识别薄膜损伤时的等离子体光谱的特征,准确地判断了薄膜是否损伤,避免了薄膜损伤的误判现象.结果表明,激光诱导击穿光谱技术适用于薄膜的激光损伤测试中,并且是一种非常有效的测试分析方法.     

电子束蒸发和离子束溅射HfO_2紫外光学薄膜

HfO2薄膜在紫外光学中具有十分重要的地位,不同方法制备的HfO2薄膜特性不同,可以满足不同的实际应用需求。本文分别利用电子束蒸发和离子束溅射方法制备了用于紫外光区域的HfO2薄膜,并对薄膜的材料和光学特性进行了表征与比较。通过对单层HfO2薄膜的实测透射和反射光谱进行数值反演,得到了HfO2薄膜在230～800 nm波段的折射率和消光系数色散曲线,结果表明两种方法制备的HfO2薄膜在250nm的消光系数均小于2×10-3。在此基础上,制备了两种典型的紫外光学薄膜元件(紫外低通滤波器和240nm高反射镜),其光谱性能测试结果表明,两种不同方法制备的器件均具有较好的光学特性。     

基于光度特性的卫星形状反演匹配算法研究

针对光度曲线的特点将光谱领域曲线匹配算法应用至光度学领域,解决了基于光度曲线特征规律卫星形状反演方法的算法需求。介绍了反演方法的主要原理,通过融合角匹配(SAM)算法和信息散度(SID)算法,设计了联合信息匹配(SAM-SID)算法,确定了阈值,使曲线匹配的成功率大于93%。最后利用兴隆观测站的实测数据验证了算法的适用性与稳健性。实验结果表明,SAM-SID算法成功匹配出了SAM算法和SID算法都未能匹配出的圆柱体卫星,适用于球体、圆柱体以及立方体卫星的形状反演,且较SAM算法和SID算法结果更加直观,适用性和稳健性更强。     

光学薄膜的光谱显示

所谓光学薄膜的光谱显示,就是把研制样品的光谱特性显示在示波器上,在膜层制备过程中显示出样品光谱特性的形成与变化过程。从而可以直观地控制、制备膜层并直接观测样品的光谱特性。本项技术可用于光学薄膜研究,它既可以控制薄膜的厚度,又可同时观测薄膜的光谱特性,也可用于类似研究、控制和观测光谱特性的其它科技领域。一、原理本项研究的基本原理与一般分光光度计的原理是一致的。但是分光光度计不能用于研究和控制样品光谱持性的连续变化,所以分光光度计就不能用来控制样品光谱特性的产生。本项研究的目的在于在样品的生产过程中能有效地直观地控制和观测样品所要求的光谱特性。     

相变区硅薄膜拉曼和红外光谱分析

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了一系列不同氢稀释率下的硅薄膜,采用拉曼散射光谱和傅里叶红外光谱技术研究了非晶/微晶相变区硅薄膜的微观结构变化,将次晶结构(paracrystalline structure)引入到非晶/微晶相变区硅薄膜结构中,提出了次晶粒体积分数(f_p),用来表征硅薄膜中程有序程度。结果表明,氢稀释率的提高导致硅薄膜经历了从非晶硅到微晶硅的相变过程,在相变区靠近非晶相的一侧,硅薄膜表现出氢含量高、结构致密和中程有序度高等特性,氢在薄膜的生长中主要起到表面钝化作用。在相变区靠近微晶相的一侧,硅薄膜具有氢含量低、晶化率高和界面体积分数小等特性,揭示了氢的刻蚀作用主控了薄膜生长过程。采用扫描电子显微镜对样品薄膜的表面形貌进行分析,验证了拉曼散射光谱和傅里叶红外光谱的分析结果。非晶/微晶相变区尤其是相变区边缘硅薄膜结构特性优良,在太阳能电池应用中适合用作硅基薄膜电池本征层。     

采用MOD法在LAO上制备YBCO超导薄膜的Raman光谱研究

研究了TFA-MOD法在铝酸镧基体上制备YBCO超导薄膜时不同初始热处理温度对薄膜的影响。通过XRD、Ram an光谱和SEM等手段,对生长过程中的YBCO超导薄膜结构进行表征、分析,探讨了YBCO的生长机制。     

建筑节能薄膜的设计与制备

对介质－金属组合的建筑节能薄膜进行了理论设计，给出双导和三层膜的理论参数，用计算机模拟了大面积薄膜的膜厚均匀性分布，获得了最佳的蒸发源配置，实验上达到了满足实际使用的均匀性要求，最后给出了实际样品的光谱特性。     

基于面阵CCD的影像光度快速测试系统

根据光度学的理论,分析了面阵CCD运用在影像光度快速测量中存在的问题和解决办法,讨论了面阵CCD匹配成与人眼视觉相符合的光度匹配器的匹配方法和误差推算方法,详细介绍了运用光电积分法结合面阵电荷耦合器的影像光度快速测试系统的工作原理、组成结构和设计方法。系统一次成像即可实现全画面各个细节的光度信息,为影像光度参数的快速测试提供了较好的应用技术。     

磁控射频溅射三SnO_2薄膜的气敏光学特性研究

采用磁控射频溅射在玻璃基片上制备SnO2薄膜,对采用不同工艺制备的薄膜进行了XRD和常温下的膜片在CO2、乙醇中的气敏光学特性与透射光谱测试。结果表明,该薄膜在常温下对测试气体有敏感效应,会引起透射光谱的变化,并且光谱透射率的变化与波长相关。     

倾斜入射楔形薄膜滤光片的透射光谱研究

角度调谐薄膜滤光片因较大的波长调谐特性和良好的矩形度在密集波分复用系统中得到了广泛的应用。在倾斜入射时薄膜滤光片透射光谱的透射率和半宽不仅受到入射角度的影响,还跟滤光片两端面间的非平行度即楔角的大小有关。详细分析了楔角对对滤光片透射率以及半宽的影响,发现适当的楔角和角度取向能够改善倾斜入射状态下滤光片的透射光谱特性。设计制备了楔角为0.8°的楔形薄膜角度调谐滤光片,实验结果证明保持该楔角的方向与倾斜入射角度相同时会严重的劣化透射光谱的透射率和矩形度,方向相反时则可以提高光谱的透射率以及矩形度,并使器件的波长调谐范围增大约10 nm。     

斜向静磁场中光导波模式转换与衍射理论

应用经典场论和耦合模理论计算了斜向静磁场作用下，磁性薄膜波导中静磁波与导波光的相互作用.计算结果表明，与垂直静磁场情形相比，斜向静磁场时的相匹配条件有所变化，由于磁性薄膜波导中法拉第磁光效应增强等因素，导波光的Bragg衍射效率得以显著增加.这有利于应用YIG等低损耗磁性薄膜做成高衍射效率的磁光波导器件，亦有利于降低Bi∶YIG等高比法拉第旋转的磁光薄膜波导器件的体积和损耗.此外，理论指出的在斜向静磁场条件下所具有的一些磁光特性与实验结果亦符合得很好. 关键词：     

国际薄膜物理及应用会议将在1991年4月召开

在中国物理学会的支持下,上海物理学会将于1991年4 月15—17日在上海举办国际薄膜物理及应用会议(’91 TFPA).会议的内容为: 1.薄膜物理:包括薄膜的形成方法,薄膜的结构分析和物理特性等; 2.薄膜材料:包括金属、有机材料、无机材料和复合材料等; 3.应用:包括在光学、集成光学、光电子学、信息存贮和显示、微电子学、传感器、磁学、超导器件、热器件、太阳电池、表面钝化和摩擦学、装饰及其他方面的应用; 4.制备、检验和分析:包括真空涂敷、溅射、化学气相沉积(CVD或MOCVD)、分子束外延、溶液沉积、监测和分析技术、过程控制、薄膜性质…     

光度仪器中的视觉校正

目前在许多光度测量仪器中,广泛应用光电接收器代替人眼做为光通量的接收转换元件。如用于测定光度的照度计和亮度计中的光电倍增管等。我们知道,光度学是建立在人眼视觉基础上的,而光电元件与人眼特性之间有着很大的区别,这主要表现在两个方面:一是灵敏度有很大差别;二是光谱特性不同。前者可通过计量标准进行标定来加以修正,而后者就是所谓视见函数的校正问题。     

磷光染料掺杂有机分子发光的能量转移研究

用稳态光谱和时间分辨的超快光谱研究了不同浓度磷光染料PtOEP掺杂有机小分子Alq薄膜的发光特性和能量转移.据PtOEP的吸收光谱与Alq的荧光光谱,用Frster理论估算出Alq:PtOEP掺杂体系的能量转移临界半径及其转移效率.稳态荧光光谱显示,在Alq:PtOEP掺杂薄膜中,随着掺杂浓度的升高,PtOEP的发光强度增强,Alq的发光强度逐渐减弱,两者间的能量转移效率与理论计算结果一致.利用时间分辨光谱研究了Alq:PtOEP掺杂薄膜体系的能量转移动力学过程,观察到Alq:PtOEP掺杂薄膜的荧光寿 关键词： 有机掺杂薄膜 稳态光谱 时间分辨光谱 能量转移     

单通道双谱夜视系统中的光谱匹配及滤光技术

在分析夜间自然辐射、目标和背景自身的辐射以及反射光谱特性的基础上,结合微光CCD摄像机的光电阴极响应谱线,提出光谱分割的设想,并据此设计单通道双谱微光夜视系统方案.依据光谱匹配及滤光技术的原理,提出光学薄膜设计及制作要求.对实际制作滤光膜的分谱特性进行了实验研究.结果表明:滤光薄膜的分谱效果对于单通道双谱微光系统提高目标识别概率是有效的.     

高质量单层二硫化钼薄膜的研究进展

作为一种新型的二维半导体材料,单层二硫化钼薄膜由于其优异的特性,在电子学与光电子学等众多领域具有潜在的应用价值.本文综述了我们课题组在过去几年中针对单层二硫化钼薄膜的研究所取得的进展,具体包括:在二硫化钼薄膜的制备方面,通过氧辅助化学气相沉积方法,实现了大尺寸单层二硫化钼单晶的可控生长和晶圆级单层二硫化钼薄膜的高定向外延生长;在二硫化钼薄膜的加工方面,发展了单层二硫化钼薄膜的无损转移、洁净图案化加工、可控结构相变与局域相调控的方法,为场效应晶体管等电子学器件的制备与性能优化提供了基础;在二硫化钼异质结方面,研究了二硫化钼薄膜与其他二维材料形成的异质结的电学以及光电性质,为二维材料异质结的构筑和器件特性研究提供了实验参考;在二硫化钼薄膜功能化器件与应用方面,构筑了全二维材料、亚5 nm超短沟道场效应晶体管器件,验证了单层二硫化钼对短沟道效应的有效抑制及其在5 nm工艺节点器件中的应用优势;此外,利用制备的高质量单层二硫化钼和发展的器件洁净加工技术,实现了高性能柔性薄膜晶体管的集成,获得了超高灵敏度与稳定性的非接触型湿度传感器.我们在二硫化钼薄膜的制备、加工以及器件特性研究方面所取得的进展对于二硫化钼及其他二维过渡金属硫属化合物的基础和应用研究均具有指导意义.     

RF溅射的SiO_2和SiO_2/Al/SiO_2薄膜的喇曼散射光谱研究

用射频溅射(RF Sputtering)法制成了SiO_2和SiO_2/Al/SiO_2薄膜。应用喇曼光谱研究了薄膜结构。结果表明:RF溅射制成的SiO_2薄膜是含有大量环结构缺陷的玻璃态;SiO_2/Al/SiO_2层状薄膜的喇曼光谱中观察到Al_2O_3的特征峰,证实了Al/SiO_2薄膜界面确有氧化还原反应发生;从喇曼光谱中Al_2O_3的特性峰的位置和相对强度可推断出,SiO_2/Al/SiO_2薄膜界面处的Al_2O_3是非晶γ-Al_2O_3。