用改进的格子Boltzmann方法模拟浅水长波问题

以正六边形的格子Ｂｏｌｔｚｍａｎ方法为基础，通过气体动力学的Ｅｕｌｅｒ方程与浅水波方程的比拟，修改了原有的ＬＢＭ方法的平衡态分布函烽，使ＬＢＭ方法所对应的流体力方程与浅水水波方程一致。一维问题的计算结果与离散速度法得到的计算结果作了比较。     

5,10,15,20-四-(4-十六烷基吡啶基)卟啉LB膜结构的研究

研究了两亲性卟啉５,１０,１５,２０－四－（４－十六烷基吡啶基）卟啉溴化物在气－液界面上的成膜性能,制备了其ＬＢ膜。用扫描隧道显微镜和ＵＶ－Ｖｉｓ光谱,荧光光谱,小角Ｘ射线衍射等实验方法研究了ＬＢ膜的形貌和卟啉大环分子在ＬＢ膜中的排列、取向和分子间的相互作用。结果表明,制备的ＬＢ膜结构均匀,性能稳定,在ＬＢ膜内,脂肪链并不是直立的,卟啉分子大环几乎平躺在基片上。     

十二烷基苯磺酸在掺杂态聚苯胺LB膜中的分子取向

本文利用偏振红外光谱,研究了十二烷基苯磺酸分子在掺杂态聚苯胺ＬＢ膜中的分子取向。计算结果表明,十二烷基苯磺酸分子的烷基链是与基底法线方向呈１７°角度排布的,由Ｘ射线小角衍射峰推算出,在ＬＢ膜的沉积方向上,十二烷基苯磺酸掺杂的聚苯胺分子的层间距为２９５ｎｍ。     

聚丁二炔Langmuir-Blodgett薄膜的光声谱研究(Ⅰ)结构表征与光声吸收系数

本文在用Ｘ－射线小角衍射对聚合与转载先后次序不同的ＰＤＡＬＢ膜进行结构表征的基础上,不同厚度ＰＤＡＬＢ膜的光声斩波频率效应说明,随着ＰＤＡＬＢ膜厚度增加,ＬＢ膜的热学性质逐渐明显。此外,还探讨了如何从ＰＤＡＬＢ膜的光声谱求得光声吸收系数问题,本文的研究结果表明,光声谱技术是研究ＬＢ膜热学特性的有效手段。     

聚丁二炔Langmuir—Blodgett薄膜的光声谱研究：（Ⅰ）结构表征与光声？…

本在用Ｘ－射线小角衍射聚合与转载先后次序不同的ＰＤＡ ＬＢ膜进行结构表征的基础上,不同厚度的ＰＤＡ ＬＢ膜的光声新斩波频率效应说明,随着ＰＤＡ ＬＢ膜厚度增加,ＬＢ膜的热学性质逐渐明显。此外,还探讨了如何从ＰＤＡ ＬＢ膜的光声谱求得光声吸收系数问题,本的研究结果表明,光声谱技术是研究ＬＢ膜热学特性的有效手段。     

ⅡA,ⅡB族第一激发态原子中的角动量耦合

随着主子量子数ｎ增大，ⅡＡ，ⅡＢ族第一激发态原子中价壳电子间库仑排斥作用减弱，电子自身自旋－轨道相互作用相对增强，从而导致其对ＬＳ耦合方式的逐渐偏离和ｉｊ耦合方式的逐渐介入，组态混合方法可用来定量计算ＬＳ耦合方式的偏离程度。     

格子Boltzmann方法求解Burgers方程

众所周知,格子方法（包括格子气和格子Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ方法）在计算物理领域取得巨大进展。与之形成鲜明对比,格子方法的数学理论始终处于停滞前的状况。为求解Ｂｕｒｇｅｒｓ方程,一类带有ＢＧＫ模型格子方法被构造出来,经过变量替换,发现他们属于三层非性差分方法。使用极值原理,给出此类格式稳定性的严格证明,最后,从数值实验中可以看出,使用ＬＢＭ得到的结果,与经典二阶守恒差分方法的结果符合得非常好。     

（Ba1—xKx）BiO3芯态能级随组份的变化

本用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）ＢｉＯ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ＾＋３和Ｂｉ＾＋５二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化，“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２是ｇ＝－２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２ｊ Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有不量空穴的半导体，     

KTiOPO＿4晶体纵横模劈裂的喇曼谱

在室温下测量了ＫＴｉＯＰＯ＿４单晶的偏振喇曼散射谱，应用９０°散射及背散射得到了各模的峰位值，其中Ｂ＿１（ＬＯ）模、Ｂ＿２（ＬＯ）模的喇曼谱测量尚未见报道过。根据ＬＯ－ＴＯ劈裂的实验结果，计算出该晶体极化模的有效电荷、振子强度及沿对称轴方向的静态介电常数。     

BeⅡ内壳激发态的能量,电离势和辐射波长

采用截断变化方法计算了ＢｅⅡ内壳激发Ｉｓ２ｐｎ（ｎ＝２－４,ｌ＝０－３）＾２Ｌ态的能量,电离势和辐射波长。相对论效应计算到一级微扰,质量极化效应计算到无突级。这些能量和辐射波长的计算结果与其它实验和理论结果相比较,符合得很好。     

聚合物LB膜定向铁电液晶的特性

利用新近合成的聚酰亚胺ＬＢ膜定向铁电液晶分子,通过原子力显微镜对经不同亚胺化温度处理的聚酰亚胺ＬＢ膜进行扫描探测,发现相应的ＬＢ膜具有不同的形貌结构,认为高温亚胺化的ＬＢ膜可以提高较高的势垒,这为铁电液晶双稳记忆性的出现提供了可能,而ＬＢ膜的超薄特性有利于开关过程中表面聚积电荷的中和与释放,保证了器件优良的双稳记忆性的最终获得以及微秒量级快速响应的实现。     

半花菁LB多层膜的光致各向异性研究

用光学线性和非线性方法研究了Ｙ型半花菁／花生酸交替ＬＢ多层膜的光致光学各向异性。在纳秒紫外偏振脉冲激光照射下，ＬＢ多层膜中半花菁分子发色团长轴向紫外光偏振方向重新取向。加热可以使ＬＢ多层膜平面内各向异性消失及Ｈ－聚集体分解。     

孔上形成双分子层类脂膜（BLM）方法的改进及以表面增强拉曼光谱技术（SERS）对BLM膜的研究尝试

孔上形成双分子层类脂膜（ＢＬＭ）方法的改进及以表面增强拉曼光谱技术（ＳＥＲＳ）对ＢＬＭ膜的研究尝试马树国，吴国祯（清华大学物理系北京１０００８４）ＴｈｅＩｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆＰｒｅｐａｒｉｎｇＳｔａｂｌｅＢｉｌａｙｅｒＬｉｐｉｄＭｅｍｂｒａｎｅ（...     

（Ba_（1－x）K_x）BiO_3芯态能级随组份的变化

本文用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２），（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ（１２），（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ（１２），Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化．“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２）是Ｅｇ＝２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２是Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有少量空穴的半导体．其余“样本”是金属．芯态的ＬＤＦ本征值经原子模型△ＳＣＦ修正更接近实验值．用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响，结合任意组份五种“样本”的伯努利分布，计算芯态电子能谱随ｘ的变化．结果表明，所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符，Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于０．２ｅＶ，Ｋ掺杂使各芯态结合能略有增加，其中Ｂｉ（４ｆ），Ｂａ（５ｄ）约１．３～１．５ｅＶ，其他芯态约０．４ｅＶ，以上计算结果与实验基本一致．     

1-羟基-5-十二烷氧基-萘LB膜结构和取向的光谱研究

用红外透射,反射光谱及紫外可见吸收光谱方法研究了１－羟基－５－十二烷基－萘ＬＢ膜及溶液状态下的结构,分子取向。研究结果表明分子在溶液中主要是以单体形式存在;在ＬＢ膜中是以聚集体形式存在。     

低能质子引起的金LX射线相对产生截面

对于能量为０．５－１ＭｅＶ的入射质子，在计算中采用ＡｕＬ１次壳层荧光产额的实验值代替相应的Ｄｉｒａｃ－Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｓｌａｔｅｒ值时，使用ＲＰＷＢＡ－ＢＣ（经结合能和库仑歪曲修正的相对论平面波玻恩近似）电离截面计算得到的金原子ＬＸ射线相对产生截面与测量值相符。以前报道的对ＲＰＷＢＡ－ＢＣ截面的各种修正都是不需要的     

变分过渡态理论对Cl＋HBr,Cl＋DBr,Br＋HI及Br＋DI反应的研究

本文在几个由Ｐｅｒｓｋｙ等人最近得到的扩展－ＬＥＰＳ势上，用变分过渡态理论研究了Ｃｌ＋Ｈ（Ｄ）Ｂｒ、Ｂｒ＋Ｈ（Ｄ）Ｉ的动力学，计算了这些反应的速度常数、势能面瓶颈区性质和动力学同位素效应。我们对Ｃｌ＋ＨＢｒ和Ｃｌ＋ＤＢｒ反应的计算结果与Ｐｅｒｓｋｙ同样势能面上的ＱＣＴ计算结果及现有的实验结果非常一致；因此，我们认为有关Ｃｌ＋Ｈ（Ｄ）Ｂｒ体系的这个新势能面可用于进一步的动力学计算。但本文对Ｂｒ＋Ｈ（     

KTiOPO4晶体纵横模劈裂的喇曼谱

在室温下测量了ＫＴｉＯＰＯ₄单晶的偏振喇曼散射谱，应用９０°散射及背散射得到了各模的峰位值，其中Ｂ₁（ＬＯ）模、Ｂ₂（ＬＯ）模的喇曼谱测量尚未见报道过。根据ＬＯ－ＴＯ劈裂的实验结果，计算出该晶体极化模的有效电荷、振子强度及沿对称轴方向的静态介电常数。 关键词：     

聚丁二炔Langmuir-Blodgett薄膜的光声谱研究(Ⅱ) 光谱综合分析和荧光量子效率

本文用光声谱（ｐｈｏｔｏａｃｏｕｓｔｉｃｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ,ＰＡＳ）结合光吸收谱、荧光光谱等对在工业上有潜在应用前景的聚丁二炔（ｐｏｌｙｄｉａｃｅｔｙｌｅｎｅ,ＰＤＡ）Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔ（ＬＢ）薄膜进行了研究。对经不同气体环境处理的ＰＤＡＬＢ膜的紫外－可见光声谱、光吸收谱和荧光光谱的综合分析表明,ＰＤＡＬＢ膜的激发态弛豫过程中激子和极化子形成的元激发性质。此外,还讨论了ＰＤＡＬＢ膜的荧光量子效率。本文的研究结果表明,用光声谱研究ＬＢ膜,可以获取仅用其他光谱得不到的信息。     

新型两亲性酞菁锌LB膜的制备及其FT—IR结构表征

本文报导了一种新型的两亲性分子－长链对称取代锌酞菁ＬＢ膜的制备和结构特点。研究了其固相和ＬＢ膜的红外光谱。用偏振－付立叶变换红外光谱研究了ＬＢ膜内长脂肪链的取向。