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本文研究了 TS 从77K 到300K 膨胀系数与温度的关系,结果表明 TS 在非公度相变时膨胀系数出现明显反常.分析了 TS、PTS 的结构,指出侧链极性基团的运动在其中起重要作用.与铁磁性、反铁磁性材料类比,说明了反铁电性对膨胀系数的影响. 相似文献
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本文报告了有伴随表示的SU(3)纯规范场格点模型相结构的变分研究. 所求得的相变都是一级相变. 相变线的形状与Monte Carlo方法给出的结果也大致符合. 相似文献
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应用拉曼光谱仪,原位观测了不同流体中石膏随温度变化的溶解相变过程。纯水流体升温过程中,石膏在170~190℃范围内发生脱水,相变为无水石膏,随后升至250℃再快速降至常温,无水石膏无变化,脱水相变过程不可逆;1mol.L-1 Na2SO4溶液升温过程中,石膏在170~190℃范围内发生脱水,相变为无水石膏,升至250℃再快速降至常温,无水石膏重新相变为含水石膏,脱水相变过程可逆。该研究反映流体效应会影响矿物溶解相变机制,研究过程中不可忽视。 相似文献
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本文以原子层沉积超薄氧化铝(Al2 O3)为过渡层, 采用射频反应磁控溅射法在硅半导体基片上制备了颗粒致密并具有(011)择优取向的二氧化钒(VO2)薄膜. 该薄膜具有显著的绝缘体–金属相变特性, 相变电阻变化超过3 个数量级, 热滞回线宽度约为6℃. 基于VO2薄膜构建了平面二端器件并测试了不同温度下I-V曲线, 观测到超过2个数量级的电流跃迁幅度, 显示了优越的电致相变特性. 室温下电致相变阈值电压为8.6 V, 电致相变弛豫电压宽度约0.1 V. 随着温度升高到60℃, 其电致相变所需要的阈值电压减小到2.7 V. 本实验制备的VO2薄膜在光电存储、开关、太赫兹调控器件中具有广泛的应用价值. 相似文献
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对比了-196℃、-163℃、-100℃、-40℃、20℃五个温度点304L和304LN的抗拉强度、屈服强度、弹性模量、拉伸率、收缩率、线膨胀系数、材料尺寸稳定性等性能参数。试验结果表明304L和304LN的抗拉强度、屈服强度、弹性模量随着温度降低而提高,拉伸率、收缩率、线膨胀系数随着温度降低而减小。304LN的抗拉强度、线膨胀系数与304L相近,但其屈服强度和弹性模量均明显高于304L。304L冲击韧性优良且稳定,304LN冲击韧性随温度降低下降明显,但仍然具有较好的冲击韧性。304L和304LN尺寸稳定性好。建议强度要求高,有重量控制要求的条件下使用304LN。 相似文献
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采用两体势模型研究了7类晶系共53种金属的结合能、线膨胀系数及德拜温度,并给出了三者之间普适性的关联方程及解析计算式.理论计算出的线膨胀系数及德拜温度与实验值比较其平均相对误差分别为2.9%和1.66%,相对均方根误差分别为3.75%和2.19%.金属结合能、线膨胀系数及德拜温度三者关联方程中,存在适合于不同晶系结构的共同的关联因子,该因子的均值为1.046,相对均方根误差为2.17%. 相似文献
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弛豫型铁电单晶0.67Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.33PbTiO_3的拉曼散射研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文采用拉曼散射技术在温度从374到-196℃的范围内,研究了弛豫型铁电单晶0.67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.33PbTiO3(PMNT)。观察了在不同温度下拉曼光谱的变化,经分析这些变化反映了该晶体经历了两个相变:第一个相变温度发生在120℃,从顺电立方相到铁电四方相的相变,780 cm-1处模式在VH偏振下的改变标志了这一相变;第二个相变温度发生在34℃,是从铁电四方相到铁电三方相的相变,软模的出现代表了这一相变。 相似文献
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《物理学报》2016,(17)
针对文献中单层二硫化钼力学性能随温度变化趋势的不明确,本文基于Stillinger-Weber原子间势函数,采用经典分子动力学方法对单层二硫化钼在不同热力学温度下(1—800 K)的力学行为进行了单轴拉伸模拟,研究温度和手性对其力学性能的影响.结果表明:单层二硫化钼的杨氏模量、抗拉强度、拉伸极限应变等力学性能均随温度的升高而显著减小;单层二硫化钼的杨氏模量和抗拉强度存在明显的手性效应,而不同手性方向的拉伸极限应变差别不大,可以忽略;温度低于800 K时,不同手性二硫化钼断裂之前受拉加载和卸载均没有明显的相变发生;温度在1 K时,沿锯齿方向受拉的单层二硫化钼在极限强度附近会有明显的局部相变发生,且卸载时相变结构能保持稳定.本文也测量出单层二硫化钼在温度1—800 K下沿扶手和锯齿方向的线膨胀系数. 相似文献
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利用二氧化钒薄膜绝缘相–金属相的相变特性, 提出了一种基于超材料的温控太赫兹调制器, 研究了相变超材料在太赫兹波段的传输特性和温控可调谐特性. 当入射太赫兹波为水平偏振或垂直偏振状态时, 器件的透过率谱线在1 THz附近呈现出两个独立的、中心频率分别为1.3 THz和1.7 THz、 带宽分别为0.2 THz和0.35 THz的 透射宽带. 当温度从40℃至80℃变化时, 两宽带的透过率发生明显的降低, 在二氧化钒的相变温度(68℃)时尤其灵敏, 对入射光的二种偏振状态, 调制深度均达到60%以上, 实现了良好的调制效果.
关键词:
太赫兹超材料
2薄膜')" href="#">VO2薄膜
调制器
相变 相似文献
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《物理学报》2020,(12)
在实际应用中,反铁电陶瓷常处于快速变化的脉冲电场下,而传统电滞回线测量时所施加的电场变化速率较慢,并不能真实反映反铁电陶瓷实际应用时的极化和相变行为.本研究建立了反铁电陶瓷脉冲电滞回线测试平台,研究了Pb_(0.94)La_(0.04)[(Zr_(0.52)Sn_(0.48))_(0.84)Ti_(0.16)]O_3反铁电陶瓷在微秒级脉冲电场下的极化和相变行为.研究结果表明,反铁电陶瓷在微秒级脉冲电场下可以发生相变,但其极化强度降低,正向相变电场变高,反向相变电场变低,从而导致其储能特性发生了显著的变化.因此,低频电滞回线并不能真实反映反铁电陶瓷在脉冲电场下的性能,脉冲电滞回线对其应用具有更重要的参考价值. 相似文献
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为提高动力电池散热能力,优化工作性能,本文采用数值模拟方法,分析环境温度、对流换热系数对填充相变材料动力电池散热效果的影响,并对比分析导热系数为0. 21 W/(m·℃)的纯石蜡和导热系数为16. 6 W/(m·℃)的复合相变材料散热性能。结果表明,环境温度升高,电池温升速率加快,相变材料相变时间点提前,相变时间缩短,电池冷却效果变差;对流换热系数增加5 W/m~2,相变材料相变时间延长2 000 s,电池温升推迟,但当电池持续工作、相变材料完全融化时,电池温度不再受控制,这说明单一的相变冷却已不能满足电池散热要求,须外加空气冷却、液体冷却辅助散热。 相似文献
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利用低温X射线衍射研究了Bi2Te3晶体的线热膨胀系数.结果表明:拓扑绝缘体Bi2Te3晶体的线热膨胀系数α||和α⊥表现为各向异性,并遵从不同的温度依赖关系.反映a-a平面内的膨胀系数α⊥在较宽的温区内服从Debye关系,而反映垂直于a-a平面方向的膨胀系数α||在100 K左右就开始出现与Debye模型在定性上的差别.利用Debye模型并结合Bi2Te3晶体的面内和层间原子之间的键合特性对α||和α⊥所表现出的不同温度依赖特性进行了解释. 相似文献
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γ-Al2O3高温相变的XRD和Raman光谱比较研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用XRD和Raman光谱研究了γ-Al2O3的高温相变.Raman结果表明,位于1 175,1 241 cm-1和1 370,1 400 cm-1的2组谱峰是杂质Fe3 和(或)Cr3 在θ-Al2O3和α-Al2O3环境中产生的荧光光谱,用这2组峰来指认θ-Al2O3和α-Al2O3物相比XRD更灵敏.因此,Raman技术能高灵敏地表征γ-Al2O3的高温相变过程.结果表明γ-Al2O3从800 ℃开始发生相变,γ-Al2O3同时向θ-Al2O3和α-Al2O3转变,随着温度的升高最终完全转变成α-Al2O3.相变温度与样品本身有关. 相似文献