低能电子入射电离He原子二重微分截面的理论研究

研究了低能电子入射单电离He原子的二重微分截面(DDCS)，通过对散射电子三重微分截面在全空间的角度积分得到敲出电子的DDCS.分别用DS3C模型和BBK模型计算了入射能为26.3，28.3，30.3，32.5，34.3，36.5和40.7eV时，低能电子入射电离He原子的DDCS；研究表明：DS3C的计算结果，除在低入射能(比如26.3eV)和小敲出角之外，均能与绝对测量的实验结果较好地符合.此外，对直接和交换效应也进行了研究，给出了交换效应对截面的贡献.     

50-5000 eV电子被C4H8O, C5H10O2, C6H5CH3和C4H8O2散射的总截面

使用电子被C, H和O原子散射总截面的实验数据, 利用修正后的可加性规则计算了能量为50-5000 eV的电子被4个复杂大分子C4H8O, C5H10O2, C6H5CH3和C4H8O2散射的总截面, 并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较. 结果表明, 即使是在几十电子伏的入射能量下, 修正后的可加性规则计算出的总截面依然能与实验结果符合很好, 而使用未修正的可加性规则进行计算, 即使是在几百电子伏的入射能量下得到的总截面仍偏离实验值较远. 分析表明, 未修正的可加性规则计算得到的总截面在中低能区过大、随电子入射能量的增加而衰减太快的问题是由可加性规则本身引起的, 其实质是未考虑低能下分子内原子间的相互屏蔽对散射总截面的计算所带来的影响.     

中高能电子被O2及CF4分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面

利用可加性规则,使用Roothaan-Hartree-Fock波函数,采用由束缚原子概念修正过的复光学势,在300-1000 eV内若干个能量点处计算了电子被O2及CF4分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面,并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较.比较的结果表明,利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算,所得微分散射截面的精度要比利用未修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果准确得多;同时,计算得到的弹性积分截面及动量转移截面也比较接近实验值.因此,在复光学势中采用束缚原子概念可提高电子被分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面的计算准确度.     

中高能电子被氟代甲烷散射的总截面计算

利用可加性规则,使用Hartree-Fock 波函数,采用被束缚原子概念修正过的复光学势,首次在100～5 000eV内对电子被具有较多电子数的氟代甲烷分子散射的总截面进行了计算,且将计算值与实验值及经验公式进行了比较,得出了被束缚原子概念修正过的复光学势可成功用于"电子-氟代甲烷"散射总截面计算的结论;研究了"电子-氟代甲烷"的散射总截面与目标分子总电子数及电子入射能量间的关系,初步分析了结构因子与总电荷数相关的原因,并指出了对复光学势进行进一步修正时应遵循的原则.     

中高能电子被O2及CF4分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面

利用可加性规则，使用Roothaan-Hartree-Fock波函数，采用由束缚原子概念修正过的复光 学势，在300—1000eV内若干个能量点处计算了电子被O₂及CF₄分子 散射的微分截面、 弹性积分截面及动量转移截面，并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较. 比较的结果表明，利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算，所得微分 散射截面的精度要比利用未修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果准确得多；同 时，计算得到的弹性积分截面及动量转移截面也比较接近实验值.因此，在复光学势中采用 束缚原子概念可提高电子被分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面的计算准确 度. 关键词： 电子散射 可加性规则 微分截面 弹性积分截面     

30-5000eV的电子被若干分子散射的总截面计算的一种修正势方法

利用可加性规则，使用Hartree-Fock波函数，采用由束缚原子概念修正过的复光学势，在30~5000eV这一较大的能域内对电子被N2、NO、NO2、CH4、CF4、CF3H、C2H2及C2H4散射的总截面进行了计算。束缚原子不同于自由原子之处，是束缚原子概念考虑了不同分子中的不同的电子云重叠情况，并根据电子云的重叠情况对复光学势进行修正。文中，将定量的计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较，结果显示出在30~5000eV内，计算结果与实验结果及其它理论计算结果间有较好的一致性。同时结果也表明，在较低的能量下，尤其是当入射电子的能量低于500eV时，利用被束缚原子概念修正过的复光学势进行计算得到的结果，要比利用未被束缚原子概念修正的复光学势计算得到的结果更接近于实验值。因此，在复光学势中考虑电子云的重叠效应可改善电子被分子散射的总截面的计算精度。     

100～5 000 eV下电子被若干分子散射的总截面

利用可加性规则,使用Hartree-Fock波函数,在100～5 000 eV内采用由束缚原子概念修正过的复光学势,对电子被约40个分子散射的总截面进行了计算,并将计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较.得出如下结论①对大多数散射体系而言,仅当入射能量E≥100 eV时,计算结果即与实验结果符合得较好,少数较复杂的体系,当E≥200～300 eV时,也能与实验结果符合得较好.但采用未修正的复光学势进行计算,仅当E≥500～800 eV时才与实验结果符合得较好,不少体系只有在E≥1 000 eV时才能得到较好的结果.这说明本修正是成功的;②在较高的能量下,对于同类型分子构成的散射体系,在同一能量下其总截面与分子内的总电子数成正比,且电子数越多,其线性度也就越好;③在较高能量下总截面与能量间存在QT≈aE-b的关系.②与③相结合,可推算出一些复杂分子的总截面.     

100～5000eV下电子被若干分子散射的总截面

利用可加性规则，使用Hartree-Fock波函数，在100～5000eV内采用由束缚原子概念修正过的复光学势，对电子被约40个分子散射的总截面进行了计算，并将计算结果与实验结果及其它理论计算结果进行了比较。得出如下结论：①对大多数散射体系而言，仅当入射能量E≥100eV时，计算结果即与实验结果符合得较好，少数较复杂的体系，当E≥200～300eV时，也能与实验结果符合得较好。但采用未修正的复光学势进行计算，仅当E≥500～800eV时才与实验结果符合得较好，不少体系只有在E≥1000eV时才能得到较好的结果。这说明本修正是成功的；②在较高的能量下，对于同类型分子构成的散射体系，在同一能量下其总截面与分子内的总电子数成正比，且电子数越多，其线性度也就越好；③在较高能量下总截面与能量间存在QT≈aE^-b的关系。②与③相结合，可推算出一些复杂分子的总截面。     

一种考虑几何屏蔽效应的计算“电子-分子”散射总截面的可加性规则修正方法

在考虑分子内原子间的几何屏蔽效应随电子入射能量变化的基础上, 提出了一种能够在中、高能区准确计算“电子-分子”散射总截面的可加性规则修正方法. 利用这一修正后的可加性规则并使用“电子-C, H, O, N原子”散射总截面的实验数据, 在50—5000 eV内计算了电子被NO, N₂O, NO₂和C₂H₆分子散射的总截面, 且将计算结果与实验结果及其他理论结果进行了比较. 结果表明, 利用这一方法修正过的可加性规则进行计 关键词： 电子散射 可加性规则 总截面 几何屏蔽效应     

低能正电子与氖,氩原子弹性碰撞截面的理论计算

本文把Khara与Moiseiwitsch极化势推广应用到多电子靶原子散射,并利用等效势模型计算了低能正电子与氖、氩原子弹性碰撞截面,我们的计算结果与别人理论计算及实验都符合的比较好。