1994年第5期《物理》要目预告

１９９４年第５期《物理》要目预告液态物理进展概述（陆坤权）；一种新的笼形分子Ｍ１Ｃ１２（吴自勤）；有机和高分子光子学（彭景翠）；半导体超微粒的光电化学性质（杨迈之）；半导体列阵激光器（程文芹）；光折变光放大器（郭儒）；磁共振成像和超声成像及其医学应用...     

1996年第2期《物理》内容预告

１９９６年第２期《物理》内容预告知识和进展粲夸克偶素强衰变之谜（顾以藩）；半导体激光器的进展（１）（王启明）；纳米碳管及其电子显微结构研究（１）（章效锋等）；原子结构和光谱理论研究进展（膝华国等）；原子簇和原子簇激光器（雷仕湛等）；动态核极化核磁共振...     

1994年第7期《物理》内容预告

１９９４年第７期《物理》内容预告知识和进展原子－分子混合激发及所产生的受激和相干辐射（王祖赓）；亚微微秒光整流效应（马新发等）；ＺｎＳｅ蓝色半导体发光和激光器件的进展（范希武）；地震预报的物理学问题（吴忠良）；数学、物理学与生态学的结合——种群动力学...     

我国半导体物理研究进展

简单地回顾了近年来我国半导体物理研究的进展,它包括三个方面,半导体超晶格、微结构;半导体表面、界面和杂质、缺陷;以及半导体新材料、新结构,这些进展说明,半导体物理研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地位,它仍是一门年轻的、富有生命力的学科,预期在将来有更大的发展。     

热电材料研究中的基础物理问题

热电转换技术主要包括利用半导体材料的泽贝克（Seebeck）效应将热能直接转化成电能和利用佩尔捷（Peltier）效应直接将电能转化成热能.文章简单回顾了热电转换材料中的物理效应及相关研究进展,重点介绍了常规热电材料（即窄带半导体）中的一些基本物理问题,其中包括一个好的热电材料应该具有的特性,以及提高半导体材料的电导率和泽贝克系数,降低热导率的物理机制和方法.文章还介绍了近年来电子晶体-声子玻璃类材料以及低维热电材料等热点问题的研究进展.最后还简单讨论了非常规热电材料的研究现状与趋势.     

半导体照明发光二极管(LED)芯片制造技术及相关物理问题

以化合物半导体材料为发光元件的半导体固态照明正引发人类照明史上的又一次伟大革命.目前,局限半导体照明广泛应用的主要技术瓶颈有：出光效率（或外量子效率）,单管最大可发光通量（或最大可工作功率）,单位光通量的成本和发光二极管可正常使用寿命.文章综述和分析了与芯片发光效率（或外量子效率）和单芯最大可发光通量（或最大可工作功率）相关的制造技术和相关物理问题.     

超导体／半导体界面处的电子相互作用──JOFET器件和Andreev反射

介绍了低维系统物理与器件研究领域内最近兴起的一个十分引人注目的交叉学科课题：超导体／半导体／超导体双异质结结构中电子在超导体／半导体界面处的相互作用行为，包括超导邻近效应（ｐｒｏｘｉｍｉｔｙｅｆｆｅｃｔ）及Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ场效应晶体管（ＪＯＰＥＴ）的探索研究，此外，还讨论了此领域内一个重要物理问题──Ａｎｄｒｅｅｖ反射。     

第九届全国半导体物理学术会议在西安召开

第九届全国半导体物理学术会议在西安召开第九届全国半导体物理学术会议于１９９３年１１月７日至１１月１０日在西安交通大学举行。出席会议的有来自全国各省市３７个单位约１５０位代表（包括近７０名研究生）以及西安地区高等学校和研究所的学者和研究生。开幕式后进行...     

ZnSe－CdZnSe多量子阱F－P腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳

ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳栗红玉，申德振，张吉英，范希武，杨宝均（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）近年来，半导体超晶格的光双稳器件由于...     

半磁半导体的输运性质和杂质态

半磁半导体是一类新型的半导体材料．本文主要阐述ｓｐ－ｄ交换相互作用对半磁半导体（ＳＭＳｃ）中输运特性和杂质行为的影响，讨论了量子输运特性，巨大负磁阻效应，磁场感生的金属─绝缘体转变等一系列新的物理效应以及束缚磁极化子的形成．     

光助MOCVD生长ZnSe单晶薄膜

光助ＭＯＣＶＤ生长ＺｎＳｅ单晶薄膜＊赵晓薇范希武张吉英杨宝均于广友申德振（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）关键词光助ＭＯＣＶＤ，ＺｎＳｅ基半导体材料，辐照光强度蓝绿光发射二极管和激光...     

1995年第3期《物理》内容预告

１９９５年第３期《物理》内容预告知识和进展中子散射与１９９４年诺贝尔物理奖（孙向东）；Ｘ射线激光研究的进展概述（张杰）；信息新技术进展和信息高速公路（侯自强）；Ｂ－Ｃ３Ｎ４——一种新型的超硬材料（辛火平等）；多孔硅发光机理的新探索（俞鸣人等）。物理学...     

2009国际物理十大进展

2009年12月21日,英国皇家物理学会（IOP）所属国际知名电子期刊《物理世界》评出2009年度国际物理十大进展．     

中国物理学会物理奖介绍

中国物理学会一共组织评选8个物理奖项,包括胡刚复、饶毓泰、叶企孙、吴有训、王淦昌物理奖（简称“5项物理奖”）,谢希德物理奖,黄昆固体物理和半导体物理科学研究奖（简称“黄昆物理奖”）,以及周培源物理奖．以上8项物理奖每两年评选和颁发荣誉证书及奖金一次．     

1994年第11期《物理》内容预告

１９９４年第１１期《物理》内容预告知识和进展发现顶夸克的最新证据（李卫国）；分子电子器件简介（游效增等）；新型电子全息术及其进展（寇雷刚等）；硅锗量子阱发光器件的探索（王迅等）；光折变存储器的研究与进展（刘思敏等）；超短脉冲强激光与等离子体非线性相互...     

石墨烯（Graphene）的速率记录

内禀电子迁移率（intrinsicelectronmobility）是测定电子在晶格中移动难易程度的一个物理参数，它的单位为cm^2／Vs．它又是使半导体装置能否小型化与快速运行的重要依据、最近由英国Manchester大学G．Gein教授为首的跨国（包括俄罗斯、荷兰和美国）科学家组成的研究组进行了一项极有成效的工作,他们发现二维石墨烯薄层（只有一个原子大小的厚度）半导体的内禀电子迁移率高达200，000cm^2／Vs，这要比硅半导体的内禀电子迁移率（1500cm^2／Vs）高100倍，比砷化镓（8500cm^2／Vs）高20倍。     

1994年第8期《物理》内容预告

１９９４年第８期《物理》内容预告知识和进展永磁学进展（曾训一）；有机及聚合物的电致发光（彭俊彪等）；高分子共轭聚合物的结构和电子过程（１１）——光学特性（彭景翠）；我国温度敏感材料的研究现状与发展趋势（刘博华等）；激光振荡的蝴蝶效应（谭维翰）；ＤＮＡ...     

大功率半导体激光器研究进展

对半导体激光器的发展历史和发展现状进行了综述,并具体介绍了长春光学精密机械与物理研究所近年来在大功率半导体激光器方面所取得的主要进展,特别是在大功率半导体激光器的激光光源、垂直腔面发射激光器和新型激光器芯片等方面。     

II-VI族稀磁半导体微纳结构中的激子磁极化子及其发光

自旋是基本粒子（电子、光子）角动量的内在形式.固体中体现自旋特征的集体电子行为如拓扑绝缘体等是当前凝聚态物理领域关注的焦点,是基态行为.激子作为电子空穴对的激发态且寿命很短,可复合发光,它是否能体现自旋极化主导的行为?对此人们的认识远不如针对基态的电子.激子磁极化子（exciton magnetic polaron,EMP）是由磁性半导体微结构中铁磁自旋耦合态与自由激子相互作用形成的复合元激发,但其研究很有限.本文概述了我们在稀磁半导体微纳米结构中的EMP及其发光动态学光谱、自旋极化激子凝聚态的形成方面取得的一些进展,展望了未来可能在自旋光电子器件、磁控激光、光致磁性等量子技术方面的潜在应用.     

非晶半导体的一些新进展

十多年来，非晶态半导体基本概念的更新和技术应用的进展一直处于方兴未艾的状态。本文仅就两个最近极受重视的有关无序材料的结构与缺陷的问题（“中程序”与“浮键”）以及非晶半导体的应用发展动态作一扼要的介绍。