硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温变电流发光性能的研究

本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜剥离转移到新的硅基板和紫铜基板上,并获得了垂直结构的LED芯片,对其变温变电流电致发光(EL)特性进行了研究. 结果表明:当环境温度不变时,在13 K低温状态下铜基板芯片的EL波长始终大于硅基板芯片约6 nm,在300 K 状态下随着驱动电流的加大铜基板芯片的EL波长会由大于硅基板芯片3 nm左右而逐渐变为与硅基板芯片重合;当驱动电流不变时,环境温度由13 K升高到320 K,两种基板芯片的EL波长随温度升高呈现S形变化并且波谱逐渐趋于重合;在100 K以下温度时铜基板芯片的Droop效应比硅基板芯片明显,在100 K 以上温度时硅基板芯片的Droop效应比铜基板芯片明显. 可能是由于两种芯片的基板具有不同的热膨胀系数和热导率导致了其变温变电流的EL特性不同. 关键词： GaN 热膨胀系数 内量子效率 热导率     

高平均功率面阵二极管激光器散热分析

 采用三维有限元法分析了面阵二极管激光器背冷式封装结构的散热效率,对次热沉厚度,冷却器结构参数进行了优化设计,计算结果表明,优化设计后的封装结构,可满足面功率密度为500W/cm²,占空比为20％的高平均功率面阵二极管激光器的散热要求。     

晶圆键合和激光剥离工艺对GaN基垂直结构发光二极管芯片残余应力的影响

GaN基发光二极管(LED)中的残余应力状态对器件的性能和稳定性有很大影响. 通过使用三种不同的键合衬底(Al₂O₃衬底, CuW衬底和Si衬底)以及改变键合温度(290 ℃, 320 ℃, 350 ℃和380 ℃), 并且使用不同的激光能量密度(875, 945和1015 mJ·cm^-2) 进行激光剥离, 制备了不同应力状态的GaN基LED器件. 对不同条件下GaN LED进行弯曲度、Raman 散射谱测试. 实验结果表明, 垂直结构LED中的残余应力的状态是键合衬底和键合金属共同作用的结果, 而键合温度影响着垂直结构LED中的残余应力的大小. 激光剥离过程中, 一定能量密度下激光剥离工艺一般不会对芯片中的残余应力造成影响, 但是如果该工艺对GaN 层造成了微裂缝, 则会在一定程度上起到释放残余应力的作用. 使用Si衬底键合后, 外延蓝宝石衬底翘曲变大, 对应制备的GaN基垂直结构 LED中的残余应力为张应力, 并且随着键合温度的上升而变大; 而Al₂O₃和CuW衬底制备的LED中的残余应力为压应力, 但使用Al₂O₃衬底键合制备的LED中压应力随键合温度上升而一定程度变大, CuW 衬底制备的LED中压应力随键合温度上升而下降.     

C-mount封装激光器热特性分析与热沉结构优化研究

为了降低单管半导体激光器的结温、提高器件的散热效果,基于C-mount热沉的热特性分析提出了一种优化的台阶热沉结构,研究了单管激光器结温和腔面侧向温度分布曲线的影响。在热沉温度298 K和连续输出功率10 W的条件下,腔长为1.5 mm的典型C-mount封装结构激光器的结温为343.6 K,热阻为4.6 K/W。通过在典型C-mount热沉中引入台阶结构,使封装激光器的结温降低为333.8 K,热阻减小到3.5 K/W。计算表明,其输出功率可提高近20%。     

太阳光抽运激光器抽运系统优化

太阳光抽运激光器中,抽运系统提供的太阳抽运光与激活晶体之间的耦合决定了激光输出的总体效率。使用Tracepro软件,建立了菲涅耳透镜、锥形抽运腔二级抽运系统模型,并对该系统进行优化。通过分析菲涅耳透镜焦斑能量沿轴线的分布,得到了锥形腔入射窗口的口径和窗口距菲涅耳透镜的距离。通过改变锥形抽运腔的腔长和锥度,分析晶体棒轴向抽运功率密度分布,得到了锥形腔的最佳结构,并对镜面反射腔和陶瓷腔进行了详细的介绍。     

Dual nature of the electronic structure of (La(2--x--y)Nd(y)Sr(x))CuO(4) and La(1.85)Sr(0.15)CuO(4).

High resolution angle-resolved photoemission measurements have been carried out on (La(1.4--x)-Nd(0.6)Sr(x))CuO(4), a model system with static one-dimensional (1D) charge ordering (stripe), and (La(1.85)-Sr(0.15))CuO(4), a high temperature superconductor (T(c) = 40 K) with possible dynamic stripes. In addition to the straight segments near ( pi,0) and ( 0,pi) antinodal regions, we have identified the existence of spectral weight along the [1,1] nodal direction in the electronic structure of both systems. This observation of nodal state, together with the straight segments near antinodal regions, reveals the dual nature of the electronic structure of stripes due to the competition of order and disorder.     

磁场对四频差动激光陀螺光强和零偏的影响

研究了四频差动激光陀螺输出光强和零偏随纵向磁场的变化规律。理论分析表明,当由纵向磁场引起的增益/色散曲线的塞曼分裂等于非互易分裂时,顺时针模式和逆时针模式的光强相等,零偏不随腔长的变化而变化,实验结果与理论分析基本一致。同时还发现顺时针和逆时针模式的光强随磁场线性变化,但变化量较小且易受温度的影响,不适合作为磁场大小的度量。由于沿谐振腔环路的增益和损耗并非处处相同,顺时针和逆时针光束入射到光电管上的量不相等,因此需要对顺时针和逆时针输出光强的放大倍数进行标定,以便进行色散平衡的控制。     

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应用SolidWorks和ANSYS软件设计了自由液态锡表面流体结构模型,计算了初始流速和热通量不同时液态锡的速度变化和温度变化,得到了流动液态锡的速度分布和温度分布。结果表明,垂直流动方向液态锡流速较为均匀,沿流动方向液态锡流速逐渐增大、液态锡液面厚度逐渐变薄。初始温度为600K的条件下,热通量为1MW·m?2时,液态锡出口温度为623.38K;热通量为5MW·m?2时,液态锡出口温度为720.18K。在相同条件下使用液态锂作为计算流体,结果表明出口处液态锂的温度低于液态锡的温度。     

自由液态锡表面结构的流体模型

应用SolidWorks 和ANSYS 软件设计了自由液态锡表面流体结构模型,计算了初始流速和热通量不同时液态锡的速度变化和温度变化,得到了流动液态锡的速度分布和温度分布。结果表明,垂直流动方向液态锡流速较为均匀,沿流动方向液态锡流速逐渐增大、液态锡液面厚度逐渐变薄。初始温度为600K 的条件下,热通量为1MW·m⁻² 时,液态锡出口温度为623.38K;热通量为5MW·m⁻² 时,液态锡出口温度为720.18K。在相同条件下使用液态锂作为计算流体,结果表明出口处液态锂的温度低于液态锡的温度。     

激光诱导Al等离子体电子温度的时间空间演化特性研究

实验测定了激光烧蚀Al等离子体中Al原子在380-500nm 波长范围内的时间和空间分辨发射光谱。由Al原子390.068nm、394.4nm、396.152nm、466.3056nm、451.25nm、352 .95nm发射光谱线的强度计算了等离子体电子温度,并由实验结果讨论了激光等离子体中电子温度的时间和空间演化特性。实验结果表明,当延时在100-1500ns范围内变化时,相应的电子温度Te范围为6200K -32700K;当距离靶表面0-1.8mm范围内变化时,相应的电子温度Te范围为9800K- 32700K, 电子温度在沿激光束方向上的分布具有很好的对称性。     

强激光照射对2H-SiC晶体电子特性的影响

使用基于密度泛函微扰理论的第一原理赝势法, 计算了纤锌矿结构2H-SiC晶体在强激光照射下的电子特性, 分析了其能带结构和电子态分布. 计算结果表明: 2H-SiC平衡晶格参数a 和c随电子温度T_e的升高逐渐增大; 电子温度在0–2.25 eV范围内时, 2H-SiC仍然是间接带隙的半导体晶体, 当T_e超过2.25 eV达到2.5 eV以上时, 2H-SiC变为直接带隙的半导体晶体; 随着电子温度升高, 导带底和价带顶向高能量或低能量方向发生了移动, 当电子温度T_e大于3.5 eV以后, 价带顶穿越费米能级; 电子温度T_e在0–2.0 eV变化时, 带隙随电子温度升高而增大; T_e在2.0–3.5 eV范围变化时, 带隙随电子温度升高而快速地减少, 表明2H-SiC晶体的金属性随电子温度T_e的继续升高而增强. 在T_e =0, 5.0 eV 处, 计算了2H-SiC晶体总的电子态密度和分波态密度. 电子结构表明T_e =0 eV 时, 2H-SiC 是一个带隙为2.3 eV的半导体; 在T_e =5.0 eV时, 带隙已经消失而呈现出金属特性, 表明当电子温度升高时晶体的共价键变弱、金属键增强, 晶体经历了一个熔化过程, 过渡到金属状态.     

D相AlCuCo准晶各向异性热电势的测量

采用激光交流加热的方法测量了D相AlCuCo准晶周期与准周期两个方向的热电势,温度测量区间为300—1200 K.通过测量发现沿周期方向的热电势符号为负,沿准周期方向的热电势符号为正;沿周期方向在1123 K（850 ℃）热电势有一个跳变;在高温区,热电势并不是单调变化的;实验所用方法能比较灵敏地测量材料相变时的温度点. 关键词： AlCuCo准晶 高温 热电势 交流测量法     

Theoretical prediction on the wavelength-temperature shift in pulsed TE CO2 lasers

The wavelength-temperature shift observed in pulsed TE CO₂ lasers is discussed theoretically by means of Six-temperature model rate equations for tunable TE CO₂ lasers. Numerical calculations of the temperature-wavelength shift in a pulsed TE CO₂ laser with a simple plano-concave stable resonator, whether excited by conventional low-inductance fast-discharge scheme or by a long-pulse Pulser/sustainer discharge scheme, show that the laser output wavelengths are within the 10P branch as the ambient temperature varies from 228 to 338 K, but will change as the ambient temperature varies. The laser output wavelengths will move to the transition lines with longer wavelengths in the 10P branch as the ambient temperature increases and vice versa. The calculated results also illustrate that near the ambient temperature of 310 K, the laser is more likely to operate on multi-transition lines. Considering this wavelength-temperature shift, the chilling device adopted in high-power high repetition rate TE CO₂ lasers is important in maintaining a stable laser output spectra as well as a stable laser output power. The numerical results also suggest that a frequency agile resonator is highly recommended if stable laser output spectra are required in TE CO₂ lasers.     

Growth of a single layer gold stripe and investigation of the preferable growth direction on reconstructed Au(1 1 1) surface using STM

We have investigated the growth of nanometer-scale gold stripes on reconstructed Au(1 1 1) surface using scanning tunneling microscopy (STM). The experiment was carried out under the conditions of ultrahigh vacuum and room temperature. The stripes were grown by the scanning motion of the STM tip over the area containing more than one step edge with the tunnel resistance less than several tens of mega ohms (MΩs). Unlike the previous reports [J.C. Heyraud, J.J. Metoris, Surf. Sci. 100 (1989) 519; V.M. Hallmark, S. Chiang, J.F. Rabolt, J.D. Swalen, R.J. Wilson, Phys. Rev. Lett. 59 (1987) 2879], we found, by directly comparing the direction of the stripes and the orientation of the underlying lattice, that the gold stripes grow preferentially along [1,−1,0] direction and its threefold symmetric directions at (1 1 1) surface of fcc structure. We also found that the scanning direction of the STM tip does not affect the direction of the stripe growth although the growth rate is suppressed remarkably when the scanning direction is close to [1,1,−2] direction of Au(1 1 1) surface.     

激光诱导Ni等离子体特性的研究

以Nd·YAG激光器的二倍频输出作为激发源,获得了激光诱导Ni等离子体的发射光谱,基于发射光谱,对等离子体电子激发温度和电子密度进行了测量,其典型值分别为3 714 K,4.67×1016 cm-3。测量了等离子体电子激发温度和电子密度的空间分布,发现沿垂直于激光传播方向的径向,随到中心点距离的增加,等离子体辐射的强度减小,但线型和线宽不变,表明等离子体电子激发温度和电子密度沿径向均匀分布。沿激光传播方向,随到样品表面距离的增加,等离子体辐射强度、电子激发温度和电子密度先增加后降低,在距样品表面1.5 mm处,达到最大值。采用激光诱导击穿光谱技术进行相关探测时,收集距离样品表面1.5 mm处的发射谱,有利于提高探测灵敏度。     

Vortex solid phase with frozen undulations in superconducting Josephson-junction arrays in external magnetic fields

A vortex solid with self-generated randomness is found theoretically in a frustrated Josephson-junction array under external magnetic field with anisotropic couplings. Vortices induced by the external magnetic field develop stripes parallel to the direction of weaker coupling. It is shown analytically that there is a continuous, gapless band of metastable states in which stripes are deformed randomly by transverse undulation. The vortex solid with the frozen undulation in a metastable state freely slides along the direction of stronger coupling, thereby destroying the ordering of phases even at zero temperature, but is jammed along the direction of weaker coupling.     

医用高功率CTH:YAG脉冲激光器的研究

为了提高Cr,Tm,Ho∶YAG激光器的输出功率对CTH∶YAG准三能级能量转移特性进行了分析,优化了谐振腔的腔长及腔镜的曲率半径,采用了高漫反射陶瓷聚光腔.结果表明,有效抽运光谱带的反射率高达95％,在冷却水温为19 ℃,抽运能量为159 J时,获得最大单脉冲输出能量5.11 J,斜率效率5.6%.     

推扫型干涉成像光谱仪去除条带非均匀性的方法

分析了推扫型干涉成像光谱仪的结构特点和工作原理,指出了由于加工误差导致入射狭缝的宽度不均匀,使干涉图像沿狭缝方向存在亮度差异,复原后的光谱立方体图像上出现平行于推扫方向的非均匀性条带,影响了光谱立方体的图像质量和光谱精确度.采取校正系数法去除条带,讨论了获取校正系数的方法,并使用仪器的定标干涉数据提取成像面上沿狭缝方向的不均匀特性,获得了校正系数,对干涉图像进行处理以消除条带.结果表明:校正系数法能够去除大部分条带.根据处理后残余条带的情况,在没有在轨定标数据的情况下,使用均匀景物的光谱立方体数据提取不均匀特性,修改了校正系数,有效地消除了残余条带.     

Spectral beam combining of a broad-stripe diode laser array in an external cavity

The outputs from an 11-element, linear diode laser array with broad stripes have been beam combined into a single beam with a beam quality of ~20x diffraction limited in the plane of the junction. This beam combining was achieved by use of a common external cavity containing a grating, which simultaneously forces each array element to operate at a different, but controlled, wavelength and forces the beams from all the elements to overlap and propagate in the same direction. The power in the combined beam was 50% of the output from the bare laser array.     

多光束激光干涉光刻图样

利用电磁理论,研究了多光束激光干涉图样的产生原理,结合计算机数值模拟和相关实验结果,分析了干涉图样的影响因素.研究结果表明:多光束激光干涉图样可以看成是多组余弦分布的平行线条纹的叠加;相干光束的偏振方向、入射方向、光束间相位差是干涉图样的重要影响因素,改变这些因素,余弦分布的平行线条纹的振幅、位置、周期和方向发生变化,...