1．55μm InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长

本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。     

Ab Initio/有限场方法计算尿素分子的非线性光学极化率

用有限场（ＦＦ）方法在４－３１Ｇ＋２ｐ２ｄ水平上研究了外加电场强度对尿素分子的偶极矩,极化率,一阶超极化率,二阶超极化率的影响。计算发现,要获得上述性质的稳定计算结果,电场强度需确定在０．００１－０．００４ａ．ｕ．范围内。在此电强度范围内,与耦合微扰Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｒｋ（ＣＰＨＦ）法的计算结果符合较好,且可有效地利用二级微扰方法（ＭＰ２）进行电子相关计算。     

多水平方法在二维山丘地形大气污染物扩散的数值模式的应用

对海风热力内边界层模式稍作修改后，不仅可模拟海风流场，也可以模拟河谷中的风场。在模拟河谷地区风场的实例计算中，数值计算结果和实测值基本符合。将多水平方法中用多最多的ＰＣＧ方法（预条件共轭梯度法）用来数值解由海风热力内边界层模式离散后得到的线代数方程组，节省了计算时间。     

2N+1阶KdV型方程的孤波解

获得了２Ｎ＋１阶ＫｄＶ型方程的显式精确孤波解．作为特例，讨论了高阶广义ＫｄＶ型方程、高阶广义ＭＫｄＶ型方程和高阶广义Ｓｃｈａｍｅｌ的ＭＫｄＶ型方程．还研究了２Ｎ＋１阶ＫＰ型方程 关键词：     

三维预处理技术初探

本文应用高阶近似LU分解法对三维椭圆型方程的正规七点差分矩阵给出了预处理阵,并对典型问题给出了预处理共轭梯度法的计算结果。文中所采用的分阶方论以及阶矩阵等概念,适用于一般的非奇异对角优势稀疏矩阵。对不同网格点数的计算结果表明,三维预处理共轭梯度法仍具有超线性的收敛速率,在高阶情形下超线性的特征尤为突出,由于非零对角线数增长过快,高阶的三维预处理方法不宜采用,零阶方法和一阶方法是值得推荐的。     

亥姆霍兹线圈磁场均匀性的研究

本文利用ＩＢＭ—ＰＣ计算机时圆电流的磁场和亥姆霍兹线圈（Ｎ＝１和Ｎ＝９９）的磁场作了精确计算； 给出了亥姆霍兹线圈的磁场系数和相对误差的数据，画出了１％、０．２％和０．０２％的磁场均匀区；对影响亥姆霍兹线圈磁场均匀性的几个因素进行了计算和讨论．     

高阶ICCG误差阵模与条件数的估计

文[1]针对模型问题,应用高阶近似LU分解法给出了阶为0,1,2时ICCG法的预处理阵表达式,进而估计了误差阵的无穷模及条件数。针对更复杂的高阶问题给出了三阶和四阶ICCG法误差阵无穷模的估计以及相应的条件数上限。在不同节点数的条件下,对实际计算的条件数与文中所给出的上限作了比较。     

XeCl激光诱发SF6气体击穿及高压开关触发特性的研究

给出了ＸｅＣｌ激光诱发ＳＦ６气体击穿及高压开关触发特性的研究结果。ＳＦ６气体击穿所需要的ＸｅＣｌ激光的功率密度很强地随气体压强而变，在ＳＦ６气体压强为０．０２ＭＰａ时，击穿功率密度为４．６ＧＷ／ｃｍ＾２，当压强为０．０４８ＭＰａ时，击穿阈值达最小值为３．２ＧＷ／ｃｍ＾２，而在高气压情况（气压大０．０２ＭＰａ），其所需功率密度触发特性：对自由击穿电压Ｖａｂ≈６０ＫＶ的小型开关，在充电电压Ｖｃｈ＝０．     

采用高阶近似逆矩阵的块PCG法

本文应用矩阵元素阶、阶矩阵及消去法的影响域等概念,给出了强主元多对角阵高阶近似求逆的一种快速算法。在强主元条件下,该法可应用于非对称阵和非正定阵。本文将该法与块预处理共轭梯度法相结合,应用于椭圆型方程数值解及类似问题的计算。数值结果表明,该法不仅适用范围较广,也具有较高的计算效率。     

A位具有混合价态的钙钛矿氧化物Eu1—xKxTiO3（x=0.2,0.32）的高 …

以ＴｉＯ２和Ｅｕ２Ｏ３为原料,利用固相反应法在４．０ＧＰａ和１０９０℃下合成了钙钛矿氧化物Ｅｕ１－ｘＫｘＴｉＯ３（ｘ＝０．２,０．３２）。ＸＲＤ测量表明样品为立方结构。＾１５１Ｅｕ Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱测试给出同质异能移位分别为～０ｍｍ／ｓ和～－１３ｍｍ／ｓ的两个吸收峰,表明Ｅｕ离子为＋２和＋３混合价。在４８０和６４８０Ｇ的磁场范围内只观察到一个线宽为３１４０Ｇ、ｇ因子为２．００的信号,这是由Ｅｕ     

BaZn2(GeMn)0-2Fe15-6O27六角铁氧体的磁晶各向异性

用标准陶瓷工艺制备了ＢａＺｎ２（ＧｅＭｎ）０－２Ｆｅ１５－６Ｏ２７六角铁氧体．假设Ｇｅ４＋取代了４ｅ和４ｆⅣ中的Ｆｅ３＋,能够很好地解释实验结果．利用分子场理论和Ｈ．Ｂ．Ｃａｌｌｅｎ单离子各向异性模型计算了ＢａＺｎ２（ＧｅＭｎ）０－２Ｆｅ１５－６Ｏ２７次点阵之间的交换参数和各次点阵对磁晶各向异性的贡献,并对实验结果进行了拟合．结果表明,１２ｋ和２ｄ次点阵对磁晶各向异性有较大的贡献 关键词：     

任意阶显式精细积分多步法的常用形式及其高阶次数值计算

基于任意阶显式精细积分多步法的一般公式,给出其几种常用形式,并实现了高阶次数值计算,将新算法应用于射线方程和双原子系统经典轨迹数值计算中.数值计算结果表明任意阶显式精细积分多步法是一种高精度、高效率、稳定性较好的方法,并且可方便地进行高阶次的运算.     

广义Abel方程的Gauss数值积分法

采用Ｇａｕｓｓ数值积分法将光学厚柱对称等离子体径向发射系数的广义Ａｂｅｌ方程离散成系数是上三角矩阵的线性代数方程组，计算特别简单，省时间，具有２阶精度。     

虚阶Bessel函数的计算

给出了计算虚阶Bessel函数及其导数的完整算法。数值结果表明,计算精度可达10位以上有效数字。此外,所给出的逆推法可推广到复阶数的情形。     

复代数方程组几种迭代法的比较

本文从二维非线性Schrödinger方程出发,推导出五对角的复代数方程组,并应用高斯-赛德尔迭代法、SOR迭代法、复双共轭梯度法以及预处理复双共轭梯度法等对求解的计算量进行了比较。同时,又将复代数方程组化成七对角的实代数方程组,用高斯-赛德尔迭代法、SOR迭代法以及PCG法(预处理共轭梯度法)等进行了比较。结果表明,PCG法在上述几种方法中是最有效的。本文还对SOR松弛因子的选择进行了讨论。     

高灵敏四阶导数光谱PLS法同时测定钨钼钛

本文首次用偏最小二乘（ＰＬＳ）法对ＳＡＦ－ＣＴＭＡＢ－Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ混合显色体系的四阶导数光谱进行解析，提出了同时测定痕量钨、钼、钛的计算分析方法。在０．５ｍｏｌ／ＬＨＣｌ介质中，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ的ＳＡＦ－ＣＴＭＡＢ显色体系的四阶导数光谱摩尔响应系数（双峰）分别为２．３×１０６，２．１×１０６和５．９×１０５，比常规光度法高出４．５～１６．８倍。该法用于合成样品和钢样中钨、钼、钛的同时测定，相对误差在±８％以内。     

静压下Znse／Zn_（1－x）Cd_xSe应变超晶格的光致发光研究

本文首次在室温和０—２．５ＧＰａ静压范围内研究了Ｚｎｓｅ／Ｚｎ０．２６Ｃｄ０．２６Ｓｅ应变超晶格的静压光致发光，观察到了室温条件下的超晶格阱层的重空穴激子跃迁随压力的亚线性变化的特性．经过计算机拟合实验数据得到了一阶和二阶压力系数．理论计算得到的一阶压力系数与实验得到的压力系数符合得较好。     

三点强紧致加权高分辨率高阶格式及其应用

本文分别给出了采用有限体积计算时采用高阶格式遇到的网格单元体界面上三阶、四阶与五阶格式精度下的数值通量表达式,并且给出了确定权函数过程中所遇到的光滑因子表达式．文中首先对模型方程进行了格式分辨率方面的检验,然后将格式用于某涡轮级的实际流场计算．数值结果表明:所给出的高分辨率、高阶格式具有较高的激波分辨率并且具有较高的数值精度,在计算流场时,它可以用较少网格点去取代普通低阶精度格式下所采用的较密网格．     

2：17型结构Gd—Fe—Co—Ga化合物的结构与磁性

用电弧熔炼的方法制备了Ｇｄ２（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１５Ｇａ２（０≤ｘ≤１０）和Ｇｄ２（Ｆｅ０８Ｃｏ０２）１７－ｙＧａｙ（０≤ｙ≤８）化合物，通过Ｘ射线衍射和磁性测量手段研究了它们的结构和磁性．实验结果表明它们都是２∶１７型结构的单相化合物．Ｇｄ２（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１５Ｇａ２的单胞体积Ｖ随Ｃｏ含量的增加单调下降，而居里温度ＴＣ单调上升，１５Ｋ下的饱和磁化强度Ｍｓ随Ｃｏ含量的增加开始时略有增大，在ｘ＝０２时出现极大值，然后单调下降；对Ｇｄ２（Ｆｅ０８Ｃｏ０２）１７－ｙＧａｙ的样品，随Ｇａ含量的增加单胞体积增加，居里温度和饱和磁化强度单调下降．用Ｃｏ替代Ｆｅ，或用Ｇａ替代Ｆｅ和Ｃｏ都能导致Ｆｅ或Ｃｏ次晶格出现室温单轴各向异性，这可能与Ｇａ原子的择优占位有关．     

核磁共振波谱研究氟化膦配体及其金属配合物的氟谱化学位移

研究了氟化膦类系列配位体（ＧＰＦ２：Ｇ＝Ｆ，Ｅｔ２Ｎ，Ｍｅ２Ｎ，Ｃ５Ｈ１０Ｎ，ｎＰｒＯ，ＰｈＯ，ｎｅｏＰｎＯ，２，５ｄｉＭｅＰｈ，ｉｓｏＰｒ，ｅｔｃ．）及其与金属镍（０）铜（Ｉ）钼（０）金（Ｉ）形成的配合物的核磁共振氟谱化学位移的定量分子建模，发现了其中的一些有用规律．