200kV电子帘加速器的电子束轨迹的计算

采用法国的MAFIA程序计算电场.编制了TRAJ程序,用逐点跟踪计算电子轨迹,得到了束流包络.观察了在高压电场中栅压对束流光学传输的影响,并获得了在不同能量范围内的栅压聚焦作用,为栅压调节提供了理论依据,也为将来对其它规格的电子帘加速器的物理设计积累了十分宝贵的经验.     

GaAs／AlGaAs异质结中二维电子气能带的Landau能级耦合

采用栅压比谱技术，在相对较低的磁场下，到ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结中二维电子气第零子有带的Ｎ＝１Ｌａｎｄａｕ参级与高达第五子能带的Ｎ＝０Ｌａｎｄａｕ能级共振耦合现象，由此精确测量了各子能带能量间距，并与自洽的理论计算结果上比较，同时讨论了共振子能带－Ｌａｎｄａｕ能级耦合所引起的Ｌａｎｄａｕｃ能级分裂大小与有带量子数的关系。     

AlGaAs/GaAs异质结中的平行电导效应

本文计算了AlGaAs/GaAs异质结在大栅压下,出现“平行电导效应”时的栅压与平行导电层中电荷的关系。由此给出了高电子迁移率晶体管(HEMT)在大栅压时跨导变化的特性,与实验进行了比较,符合较好。 关键词：     

基于高精度WENO格式的平面叶栅内流大涡模拟

基于5阶WENO格式结合AUSM+-up通量分裂方法编制密度基有限差分数值计算程序,并对NACA 65平面叶栅在不可压和亚音速工况下的流动进行三维大涡模拟研究,计算所得翼型表面时均压力系数分布与文献中实验结果符合较好,使数值算法和计算程序的可用性得到验证。大涡模拟获得了叶栅流道内瞬态流场的细节特征,体现了高分辨率格式捕捉精细流动结构的能力。本文工作为针对叶轮机械复杂可压缩内流问题进行更深入的高精度LES研究奠定了基础。     

组合数学方法推引原子谱项（Ⅱ）：等效组态谱项的微机处理

运用组合数学方法编制ＢＡＳＩＣ语言程序在ＡＳＴ－２８６计算机上推出等价电子组态的原子谱项，能迅速准确地得出结果。计算具有４８６２０个微状态的ｇ９组态，只需６秒钟便能得出全部１０１７个谱项，对尸组态的计算仅需３秒钟。该程序在微机上计算的电子能态ｌ可高达５３。     

超音速叶栅由于振动引起的非定常空气动力的计算

作者应用奇点法对前后缘为任意曲线形状的超音速平板叶栅,导出了一组计算非失速条件下非定常空气动力的公式,编成程序.作为算例用它计算了后掠超音速平板叶栅由于振动引起的非定常空气动力功.这一程序可用来对所设计的超音速叶栅预估是否可能发生颤振提供分析基础,对于指导叶栅设计、避免非失速颤振的发生具有重要的意义.     

SRNS方程求解叶栅流动的研究

为建立ＳＲＮＳ方程适用的数值计算方法，并使下游信息充分反馈到上游，本文对不可压ＳＲＮＳ方程提出了拟压缩性空间推进法，对压气机叶栅和透平叶栅的典型计算表明，该方法可准确而快速地模拟叶轮机械内部流场。     

组合数学方法推引原子谱项（II）：等效组态谱项的微机处理

运用组合数学方法编制ＢＡＳＩＣ语言程序的ＡＳＴ－２８６计算机上出等价电子组态的原子谱项，能迅速准确地得结果，计算具有４８６２０个微状态的ｇ＾９组态，只需６秒钟便能得出全部１０１７个谱项，对ｆ组态的计算仅需３秒钟，该程序在微机上计算的电子能态Ｌ可高达５３。     

用分子轨道法研究三乙基铝的结构与性质

采用从头算ＨＯＮＤＯ８．１程序分别选用ＳＴＯ－３Ｇ、６－３１Ｇ、６－２１Ｇ在ＨＦ水平上计算了三乙基铝的电子结构，用半经验分子轨道法ＭＯＰＡＣ６计算了三乙基铝的生成热等热力学性质     

涡轮叶栅气热耦合数值模拟

本文建立了透平机械叶栅流场与叶片温度场的气热耦合计算模型,编制了三维非正交曲线坐标系下的温度场求解程序,计算了实心及空心叶片的温度场分布。介绍了区域分解方法在耦合计算及并行计算中的应用,以矩形区域温度场求解程序为例研究了程序的并行化,最后进仃了叶栅流场计算与叶片导热计算程序的分区耦合计算。     

具有高开启/关断电流比的Al_2O_3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（英文）

采用原子层淀积(ALD)方法,制备了Al_2O_3为栅介质的高性能AlG aN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。在栅压为-20 V时,MOS-HEMT的栅漏电比Schottky-gate HEMT的栅漏电低4个数量级以上。在栅压为+2 V时,Schottky-gate HEMT的栅漏电为191μA;在栅压为+20 V时,MOS-HEMT的栅漏电仅为23.6 nA,比同样尺寸的Schottky-gate HEMT的栅漏电低将近7个数量级。AlG aN/GaN MOSHEMT的栅压摆幅达到了±20 V。在栅压Vgs=0 V时,MOS-HEMT的饱和电流密度达到了646 mA/mm,相比Schottky-gate HEMT的饱和电流密度(277 mA/mm)提高了133%。栅漏间距为10μm的AlG aN/GaN MOSHEMT器件在栅压为+3 V时的最大饱和输出电流达到680 mA/mm,特征导通电阻为1.47 mΩ·cm2。Schottky-gate HEMT的开启与关断电流比仅为105,MOS-HEMT的开启与关断电流比超过了109,超出了Schottkygate HEMT器件4个数量级,原因是栅漏电的降低提高了MOS-HEMT的开启与关断电流比。在Vgs=-14 V时,栅漏间距为10μm的AlG aN/GaN MOS-HEMT的关断击穿电压为640 V,关断泄露电流为27μA/mm。     

双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应

基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验发现,在硅量子线中分别观察到背栅和侧栅调制的单电子效应和库仑振荡现象.从微分电导的二维灰度轮廓图,清楚地观察到了库仑阻塞区,说明由于栅压导致在硅量子线中形成了库仑岛. 关键词： 库仑振荡 单电子效应 硅量子线     

任意旋成面上带分流叶片叶栅气动正命题有限元解法

本文提出了任意旋成面上带分流叶片叶栅气动正命题[考虑了叶面有喷气(吸气)的情况]的有限元解法。首先应用八节点等参数单元对相应的变分原理进行有限元展开,然后用迭代法求解所得的非线性方程组,求得全流场的速度势及速度分布,编制了能自动划分网格的计算程序。 以NASA叶片为实例进行的计算结果表明用本文建立的计算方法及程序无需作任何修改或补充,即也可用来计算(不带分流叶片的)任意旋成面叶栅流场,并得到收敛程度相当好的结果。 本文所建立的方法及程序只须稍作修改,就可引伸来求解串列叶栅气动正命题。     

用发射光谱测量激光等离子体的电子温度与电子密度

本文研究以Ａｒ为缓冲气体，用Ｎｄ：ＹＡＧ激光烧蚀固体表面的等离子体。用光学多道分析仪测量了等离子体的时间分辨发射光谱，用一组ＭｎＩ谱线的相对强度计算了激光等离子体的电子温度，根据ＭｇＩ和Ａ１Ｉ谱线的Ｓｔａｒｋ展宽计算了等离子体的电子密度。     

单电子晶体管

介绍了单电子晶体管是一种每当在栅压作用下在沟道内加进一个电子，晶体管就可以导通和截止一次的奇妙的器件。阐述了单电子晶体管的发现过程，工作原理以及它的一些可能的应用。     

具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

采用原子层淀积(ALD)方法,制备了Al₂O₃为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。在栅压为-20 V时,MOS-HEMT的栅漏电比Schottky-gate HEMT的栅漏电低4个数量级以上。在栅压为+2 V时,Schottky-gate HEMT的栅漏电为191μA;在栅压为+20 V时,MOS-HEMT的栅漏电仅为23.6 nA,比同样尺寸的Schottky-gate HEMT的栅漏电低将近7个数量级。AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅压摆幅达到了±20 V。在栅压V_gs=0 V时, MOS-HEMT的饱和电流密度达到了646 mA/mm,相比Schottky-gate HEMT的饱和电流密度(277 mA/mm)提高了133%。栅漏间距为10μm的AlGaN/GaN MOS-HEMT器件在栅压为+3 V时的最大饱和输出电流达到680 mA/mm,特征导通电阻为1.47 mΩ·cm²。Schottky-gate HEMT的开启与关断电流比仅为10⁵,MOS-HEMT的开启与关断电流比超过了10⁹,超出了Schottky-gate HEMT器件4个数量级,原因是栅漏电的降低提高了MOS-HEMT的开启与关断电流比。在V_gs=-14 V时,栅漏间距为10μm的AlGaN/GaN MOS-HEMT的关断击穿电压为640 V,关断泄露电流为27μA/mm。     

铝吸附氢同位素的热力学数据的量子力学计算

用原子分子反应静力学与群论的方法,推导了ＡｌＨ、ＡｌＤ及ＡｌＴ的基电子状态为１Σ＋。在ＱＣＩＳＤ／６－３１１Ｇ水平上对氢化铝进行了计算,导出了其ＭｕｒｒｅｌＳｏｒｂｉｅ势能函数,并计算了氢同位素分子及其铝化物的能量Ｅ和熵Ｓ。设用总能量中的电子和振动能量近似代表ＡｌＨ、ＡｌＤ和ＡｌＴ分子处于固态时的能量,用总熵中的电子和振动熵近似代表这些分子处于固态时的熵,进而计算了铝吸附Ｈ２,Ｄ２和Ｔ２分子过程的ΔＨ°,ΔＳ°,ΔＧ°和平衡压力,并导出它们与温度的函数关系,计算指出了同位素分子效应,结果合理。     

XRF分析中修正比例常数法的计算与程序

本文叙述了修正比例常数法的计算原理、计算方法及计算程序。该程序用Ｔｒｕｅ ＢＡＳ１Ｃ语言编写，适用于合金分析中主、软元素的含量计算。     

具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（英文）

介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积(ALD)方法实现Al_2O_3栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅长(Lg)为2μm,栅宽(Wg)为0.9 mm(0.45 mm×2),栅极和源极(Lgs)之间的距离为5μm,栅极和漏极(Lgd)之间的距离为10μm。在栅压为-20 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电仅为0.65 nA。在栅压为+12 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电为225 nA。器件的栅压摆幅为-20~+12V。在栅压V_(gs)=+10 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT电流和饱和电流密度分别达到了98 mA和108 mA/mm(Wg=0.9 mm),特征导通电阻为4 mΩ·cm2。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的阈值电压为+4.6 V,开启与关断电流比达到了5×108。当V_(ds)=7 V时,器件的峰值跨导为42 mS/mm(Wg=0.9 mm,V_(gs)=+10 V)。在V_(gs)=0 V时,栅漏间距为10μm的槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的关断击穿电压为450 V,关断泄露电流为0.025 mA/mm。     

聚变堆中子对第一壁辐照损伤的计算机模拟研究

用蒙特卡罗方法建立了适用于静态复成分非晶态靶的中子和带电粒子辐照损伤连接模拟程序，在模拟带电粒子级联碰撞时，特别考虑了替位碰撞，修正后的ＤＰＡ值比未考虑时减少了１０％－２０％；同时统计了ＤＰＡ中反常替位所占的比例。用此程序模拟研究了聚变堆中子对两种第一壁候选材料的辐照损伤，计算了中子辐照在材料中引起的ＰＫＡ。气体产生率，ＤＰＡ以及它们的深度分布，计算结果表明，中子引起的辐照损伤基本上为均匀的体损伤