液晶磁控偏光特性的研究

利用偏光干涉理论,通过对BL-009型向列相液晶透射比的测试,分析了液晶透射比随磁场的变化情况,并对液晶的磁控双折射效应进行了研究.实验在室温20℃下用JG-3型连续可调磁场仪对液晶盒施加垂直于其表面的磁场,用CT5A型特斯拉计准确读出磁场强度数值,使液晶盒光轴方向与起偏镜和检偏镜偏振方向成45°,分别测出了起偏镜和检偏镜偏振方向平行和垂直时的透射光强度.通过数学函数拟合,得出了液晶的双折射率随磁场的变化规律,即：当磁场强度大于液晶的阈值磁场时,拟合函数能很好地描述液晶磁控双折射率的变化规律.     

不同温度下液晶5CB的磁矩研究

液晶5CB,一种典型的向列相热致液晶。分子式中具有芳香环,因而具有抗磁性。由于在不同温度下,液晶5CB具有不同的相,本文将分析不同相的液晶在变化的磁场作用下磁矩的变化规律。     

矩形截面有限长螺线管磁场的计算

如果将螺线管的表面电流看成是磁介质的磁化电流,那么螺线管的磁场就与介质的磁场完全相同。于是可以通过计算磁介质的磁场得到螺线管的磁场。根据公式B=μ0(H+M),磁介质的磁场或者磁感应强度可以分为两部分:一部分是磁化强度的贡献,另一部分是磁场强度。对于磁介质来说,由于没有传导电流,所以磁场强度的环路积分是零,而磁场强度对于闭合面的积分不是零。也就是说,这种情况下,磁场强度的方程与静电场电场强度的方程完全相同,因此可以用计算静电场电场强度的方法计算磁场强度,这就是处理磁场的等效的磁荷方法。利用等效的磁荷方法对矩形截面的有限长螺线管的磁场进行了讨论,给出了对称面上精确磁场的解析表达式,磁场的解析表达式中不包含积分和难以求和的级数,同时进行了数值分析。     

磁性液体一阶磁浮力原理实验研究

基于伯努利方程推导了磁性液体的一阶磁浮力,实验研究了不同轴线上一阶磁浮力的变化规律,便于学生理解一阶磁浮力变化的本质原因.磁性液体一阶磁浮力受磁场强度、磁场梯度,以及磁性液体的饱和磁化强度和磁化率影响.沿z轴方向随磁场强度和磁场梯度减弱,一阶磁浮力逐渐变小并趋于零,磁性液体悬浮能力变弱.MFP-1磁性液体的饱和磁化强度和磁化率大于MFP-2磁性液体,其一阶磁浮力较大;电流为3.00 A时,MFP-1磁性液体将玻璃、铝、黄铜、紫铜和铅球悬浮,并出现Rosensweig尖峰,而MFP-2磁性液体仅将玻璃、铝和黄铜球悬浮.沿r轴方向不同高度处磁场强度和磁场梯度变化规律不同,随高度增加,磁场梯度逐渐趋于零,此时一阶磁浮力主要受磁场强度影响,测试杯壁处一阶磁浮力最小,出现了非磁性测试球上升过程中向测试杯壁移动现象.     

免疫亲和柱HPLC荧光检测酒中黄曲霉毒素B_1、B_2、G_1、G_2

采用单克隆抗体免疫亲和技术作为直接从样品中分离提纯黄曲霉毒素的特效手段 ,提取液挥发干后 ,经衍生用 HPLC荧光检测器测定。本法在样品中添加 2 .5μg/ kg黄曲霉毒素时进行 10次测定 ,平均回收率分别为 G173.8%、B197.3%、G2 6 1.7%、B2 90 .5% ;2 .5μg / kg 10次测定的精密度分别为 :G14.50 %、B13.80 %、G2 3.6 8%、B2 4 .77% ,本方法在 2 5— 12 50 pg范围内呈线性 ,相关系数分别为 G1:r=0 .9990、B1:r=0 .9994、G2 :r=0 .9995、B2 :r=0 .9992。测定的最低检出限为 6 .2 5pg     

分光比可调的光子晶体光纤耦合器

实验研究了一种磁流体包覆的光子晶体光纤耦合器,其分光比可由磁场在线调节。实验结果表明,耦合器耦合区的尺寸越小,其分光比随磁场的变化越敏感。在外磁场强度为0~14mT时,耦合区尺寸为27μm的耦合器分光比随磁场强度线性变化的灵敏度为0.0289mT~(-1)。耦合器耦合区尺寸越小,环境温度对分光比的影响越强。对于实际应用的耦合器,应综合考虑分光比的磁场调谐特性及温度响应特性,选择合适参数的光子晶体光纤耦合器。     

稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te磁化强度及磁化率的研究

利用MPMS-7(magnetic property measurement system)型超导量子磁强计对垂直布里奇曼法生长的Hg0.89Mn0.11Te晶片磁化强度变化规律进行了测量.试验采用了两种不同的外场和冷却条件.首先在5 K恒温下,-5200到5200 kA/m范围内改变磁场强度进行了测定.然后维持800 kA/m恒定磁场,分别在有场冷却和无场冷却条件下,从5到300 K范围内改变温度,研究了变温条件下的磁化特性.并采用分子场近似模型,用类布里渊函数,最小二乘法对磁化强度随磁场强度变化的实验结果进行拟合和分析,结果表明,Mn2+离子之间存在反铁磁相互作用.磁化率和温度关系分析表明:在测试范围内Hg0.89Mn0.11Te是单一的顺磁相,在高温区磁化率和温度服从居里-万斯定律,呈线性关系,低于40 K时,磁化率和温度的关系偏离居里-万斯定律,表现出顺磁增强现象.     

基于平行磁控的磁化等离子体光子晶体THz波调制器

随着现代移动流量的剧烈增长,未来无线THz通信传输速率需求将会达到数十Gb/s,高速THz波调制器的研宄对于THz无线通信系统具有重要意义.本文提出了一种新型的磁化等离子体THz波调制器,在二维光子晶体中引入线缺陷和填充锑化铟材料的点缺陷.基于法拉第磁光效应,由于锑化铟材料的回旋角频率落在THz频段,在外加磁场的作用下点缺陷表面可在THz频段形成磁化等离子体.当外加磁场与TE波传输方向平行时,单频光在谐振腔中分裂成左旋和右旋圆偏振光,二者的谐振频率差异随着外加磁场强度的增加而增大.控制外加磁场的有无便可实现缺陷模迁移型THz波调制器.利用时域有限差分法和有限元法分析其时域稳态场强分布和模场分布,结果表明当外加磁场强度为0和0.8 T时,可实现THz的通、断调制,消光比高达25.4 dB,插入损耗仅为0.3 dB,调制速率高达4 GHz.该器件在未来THz无线宽带通信中着巨大的潜力和应用.     

基于液晶缺陷层的一维可调谐光子晶体滤波器研究

从液晶连续体理论出发,用数值方法分析了以向列相液晶为缺陷层的Si/SiO2一维光子晶体滤波器的调谐原理和调谐量与外场的关系.确定出一种滤波带宽小、调谐范围大的滤波器的结构参量.模拟计算结果显示,该滤波器在外加电压为0.955~5 V时的调谐范围为1 600.6~1 499.8 nm,调谐量达到100.8 nm,完全覆盖了C波段,以及S波段和L波段的绝大部分区域.在整个调谐范围内,其3 dB带宽在0.074~0.090 nm之间,带宽的差异小于17.8%.     

稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te磁化强度及磁化率的研究

利用MPMS-7(magnetic property measurement system)型超导量子磁强计对垂直布里奇曼法生长的Hg_0.89Mn_0.11Te晶片磁化强度变化规律进行了测量.试验采用了两种不同的外场和冷却条件.首先在5 K恒温下，-5200到5200 kA/m范围内改变磁场强度进行了测定.然后维持800 kA/m恒定磁场，分别在有场冷却和无场冷却条件下，从5到300 K范围内改变温度，研究了变温条件下的磁化特性.并采用分子场近似模型，用类布里渊函数，最小二乘法对磁化强度随磁场强度变化的实验结果进行拟合和分析，结果表明，Mn²⁺离子之间存在反铁磁相互作用.磁化率和温度关系分析表明：在测试范围内Hg_0.89Mn_0.11Te是单一的顺磁相，在高温区磁化率和温度服从居里-万斯定律，呈线性关系，低于40 K时，磁化率和温度的关系偏离居里-万斯定律，表现出顺磁增强现象. 关键词： 0.89Mn_0.11Te')" href="#">Hg_0.89Mn_0.11Te 磁化强度 磁化率 类布里渊函数     

Co掺杂对钙钛矿锰氧化物La0.8Sr0.2MnO3磁性的影响

采用传统的高温固相反应法制备La0.8Sr0.2Mn1-xCoxO3（x=0,0.1）系列多晶样品,采用X射线衍射（XRD）测量样品的结构,并用物性测量系统（PPMS）探究样品的磁化强度随温度的变化曲线（M-T）,以及在不同的温度下磁化强度随外加磁场的变化曲线（M-H）。结果表明：当温度高于TG时,样品呈现出纯顺磁态,当TG相似文献   

(BiPb)-Sr-Ca-Cu-O2223相高Tc超导体磁通钉扎与蠕动

本文介绍了(BiPb)-Sr-Ca-Cu-O2223相高T_c超导体烧结工艺,用振动样品磁强计测量了磁化强度地豫率随外磁场的变化,并相应求得钉扎势U₀随外磁场的依赖关系。发现在0—0.23T外磁场范围内U₀与外磁场B的关系为U₀-B^-1/2与Palstra对单晶用电阻展宽实验所得结果有类似的函数形式。 关键词：     

闪光灯抽运的Nd∶KGW和Nd∶YAG激光器的性能比较

用重复频率 1Hz、脉冲宽度 12 0 μs的闪光灯侧面抽运 ,在相同的实验条件下 ,对比了Nd∶KGW晶体与Nd∶YAG晶体的激光性能。在自由运转时 ,分别获得 1 0 %和 0 44 %的斜率效率和 0 5 4J、0 .76J的外推阈值能量 ,获得的最大输出能量为 384mJ和 16 5mJ。调Q运转时 ,Nd∶KGW激光器与Nd∶YAG激光器的斜率效率分别是0 16 %和 0 0 7% ,阈值能量为 5 9J和 12 5J。     

免疫亲和柱HPLC荧光检测酒中黄曲霉毒素B1、B2、G1、G2

采用单隆抗体免疫样和技术作为直接从样品分离提纯黄曲霉素素的特效手段,提出液挥发干后,经衍生用HPLC荧光检测器测定,本法在样品中添加2．5μg/kg黄曲霉素素时进行10次测定,平均回收率分别为G178．3％、B197．3％、G261．7％、B290．5％;2．5μg/kg10次测定的精密度分别为：G4．50％、B13．805、G23．68％、B24．77％,本方法在25－1250pg范围内呈线性,相关系数分别为G1：r=0.9990,B1:r=0.9994,G2:r=0.9995,B2:r=0.9992 ,测定的最低检出限为6．25pg.     

单模低损耗光子晶体光纤的设计及特性分析

设计了几种特殊结构的带隙光子晶体光纤,采用平面波展开法和频域有限差分方法研究了基于不同结构光子晶体光纤的带、模式、色散和色散斜率。由平面波展开法和频域有限差分方法求解麦克斯韦方程组导出本征值方程,可以得到带隙光子晶体光纤中可能存在的不同模式的传播常数、电场分布、本征频率和磁场分布。分别给出了第二圈填充率取三种不同值时带、模式、色散和色散斜率的变化。结果表明,当第二圈填充率改变时其特性有明显的变化。随着填充率从0．75减小到0．45,其二阶模分裂成两个类LP01模,可降低损耗。计算结果对单模和低损耗的光子晶体光纤的设计有参考价值。     

高浓度掺钕钇铝石榴石(Nd∶YAG)晶体的光谱与激光特性

测量了高掺杂浓度Nd∶YAG晶体的吸收光谱和荧光寿命。晶体的主吸收峰在 80 8nm处 ,Nd掺杂的摩尔分数为 0 0 30的Nd∶YAG晶体的吸收系数高达 2 0 7cm-1,荧光寿命为 15 0 μs,存在浓度猝灭。进行了钛宝石激光抽运高掺杂浓度Nd∶YAG和Nd∶YVO4 晶体的激光性能对比实验 ,所用Nd∶YAG晶体摩尔分数为 0 0 2 0和 0 0 2 5 ,激光斜率效率分别为 2 9 7%和 32 % ;Nd∶YVO4 晶体摩尔分数为 0 0 30 ,激光斜率效率为 34 7% ,表明了高浓度Nd∶YAG晶体在激光性能上与高浓度的Nd∶YVO4 晶体相当     

磁场对石墨烯中弱耦合极化子性质的影响

研究了磁场作用下石墨烯中电子与表面光学声子弱耦合情况下的极化子的性质。采用线性组合算符和Pekar变分法分别推导出了石墨烯中弱耦合极化子的基态能量E₀、第一激发态能量E₁和跃迁频率ω随磁场强度B和德拜截止波数k_d之间的变化关系。数值计算结果表明,极化子的基态能量E₀随磁场强度B变化的曲线（k_d一定时）和E₀随k_d的变化曲线（B一定时）均会分裂成对称的两条,并且当B一定时E₀的绝对值随k_d的增加而增加。在k_d一定时,极化子的第一激发态能量E₁和跃迁频率ω均为磁场B的增函数;在B一定时,E₁和ω均随k_d的增加而增大。     

La_(0.67)Ba_(0.33)Mn_(1–x)Zn_xO_3的磁性和电输运性质北大核心CSCD

采用传统固相反应法制备了La0.67Ba0.33Mn1–x Znx O3(0≤x≤0.2)多晶样品,系统研究了Zn掺杂对于多晶样品的结构,磁性和电输运性质的影响.XRD衍射表明样品均具有单一的立方钙钛矿结构.在外加磁场(H=1000Oe)环境中测得的磁化强度温度(M^T)曲线表明,在5~350K的温区内所有样品均发生了顺磁相(PM)到铁磁相(FM)的转变.样品的居里温度(TC)和磁化强度随着Zn的掺杂量的增加呈现下降的趋势,当x=0.1时,样品的TC和磁化强度与未掺杂的样品相比下降的幅度不大.但是当x=0.2时,样品的TC和磁化强度都发生明显的下降.从零场(H=0T)和外加磁场(H=2T)下测得的电阻温度曲线可见,样品在测量的温区范围内均发生绝缘相到金属相的转变.随着掺杂量的增加绝缘-金属相转变温度(TIM)向低温区移动,但是样品的电阻逐渐增大.所有样品在TIM附近呈现均出现磁电阻(MR)峰,随着Zn的掺杂量的增加MR值由x=0时的-22%(T=314.5K)增加到x=0.2时的-73%(T=80K),且样品的磁电阻温区被明显拓宽.     

基于表面磁感应强度的铁磁构件应力恒磁表征方法

便捷获取铁磁承载构件应力对维护基础设施安全具有重要意义.其关键在于准确快速地确定随应力变化灵敏度高、线性度好的表征参数.现有电磁检测法一般在时变磁场线圈激励下,逐点分析实验结果来确定合适的表征参数,会带来线圈发热、涡流影响结果的问题,表征磁参数的确立繁琐.为此,本文提出基于表面磁感应强度的铁磁构件应力恒磁表征方法,采用永磁恒定磁化器产生全局衰减局部均匀的空间变化磁场作激励,用正交磁场测量单元拾取构件表面轴向和法向磁感应强度以表征应力.着重阐述基于表面磁感应强度的应力表征原理：根据退磁场理论、磁场强度切向连续性和磁场高斯定理,建立表面轴向和法向磁感应强度关于应力导函数之间的关系方程.最后开展实验验证.结果表明：根据该关系方程可快速准确地确定随应力灵敏度最高的表面磁感应强度,且其随应力变化线性度较好,拟合优度R²大于0.98,可作为应力表征磁参数.本文所提方法可为在线检测铁磁构件应力提供新途径.     

直接利用磁场和温度精确确定磁性材料La0.67Ca0.33MnO3和Pr0.7Sr0.3MnO3的电阻率

电阻率是研究钙钛矿结构锰氧化物磁性材料的重要参数之一,它与温度和外加磁场有密切关系.本文的工作之一是寻找合适的方法,确定在金属-绝缘体转换过程中,不同磁场情况下,材料La0.67Ca0.33MnO3和Pr0.7Sr0.3MnO3的电阻率随温度变化的数学解析关系.通过非线性数值拟合,找到了满足这一关系的函数为双曲正切修正的高斯函数.同时,获得金属-绝缘体转换时居里温度Tc满足的微分方程以及与该温度对应的最大电阻率ρmax.本文的另一个工作是寻求最大电阻率ρmax和磁场之间的函数关系,发现采用玻尔兹曼函数可以精确反映两者之间的数学联系.两项工作得到的数学拟合结果与实验数据之间的最小相关系数为0.998,最大平均相对误差4.35％,说明数据拟合的结果与实验结果十分符合.