Ni（mpz）4Cl2型化合物光磁性质的理论研究

利用ｄ＾８（Ｄ４ｈ）全组态混合统一晶场理论对Ｎｉ（ｍｐｚ）４Ｃｌ２型化合物的吸收光谱，基态零场分裂，顺磁ｇ因子及顺磁磁化率，磁化强度等进行了统一的计算，理论结果与实验一致，从而对Ｎｉ（ｍｐｚ）４Ｃｌ２的光，磁性质作了完整的，合理的解释。     

二维磁结构的扫描隧道显微术研究

文章介绍了近年来利用扫描隧道显微术（STM）对表面和薄膜磁结构的研究进展。二维或表面磁结构可以通过在非磁性单晶上外延磁性单原子层薄膜形成，也可以在清洁的磁性单晶表面形成。利用磁性的STM针尖可以观测到原子分辨的表面磁结构。这将增进人们从纳米尺度对磁性的理解，并推动磁电子学的发展。     

第是 金属磁性多层膜的结构及其对巨磁电阻效应的影响

介绍了金属磁性多层膜的微结构和磁结构的研究进展，简要综述了磁性多层膜的结构与巨磁电阻（ＧＭＲ）之间的关系。     

稀土磁性材料与分子设计

首先叙述稀土元素磁性的“四高一低”的特点和分子设计的意义及其在材料研究中的作用，然后分别介绍了稀土永磁材料，稀土旋磁（微波）材料、稀土旋电（磁光）材料、稀土磁泡材料和稀土巨磁致伸缩料的特点，以及分子设计在研究这些稀土磁性材料中的重要作用，并举例加说明。     

(La0.55Gd0.15)Sr0.3MnO3中的磁热效应

本对A位掺杂的超大磁阻材料（La0.55Gd0.15)Sr0.3MnO3的磁热效应进行了研究，通过不同温度下的等温磁化（M-H）曲线的测量和计算，发现伴随铁磁-顺磁相变出现大的磁热效应，额外的磁性交换作用将导致额外的磁熵变化。     

喜看铁氧体新著的出版——评介都有为编著的《铁氧体》

喜看铁氧体新著的出版———评介都有为编著的《铁氧体》李国栋（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）当前，人类正进入信息时代．在传统通信、卫星通信和光通信中，在几代电子计算机中，包括铁氧体器件在内的多种磁性器件都起着十分重要的作用．磁录音、磁录像和其...     

MnFeP0.45As0.55材料中的相变研究

利用不同的测量方法，研究了MnFeP_１-xAs_x（0.32关键词： MnFePAs 磁致伸缩 巡游电子变磁性 一级磁相变     

磁电子学讲座 第九讲 金属磁性多层膜的结构及其对巨磁电阻效应的影响

介绍了金属磁性多层膜的微结构和磁结构的研究进展,简要综述了磁性多层膜的结构与巨磁电阻（ＧＭＲ）之间的关系     

Nd28Fe66B6/Fe50Co50双层纳米复合膜的结构和磁性

利用磁控溅射法制备了Nd₂₈Fe₆₆B₆/Fe_{50Co50 双层纳米复合磁性薄膜，研究了其结构和磁性.经873K退火处理15min 后，利用x射线衍射仪测定薄膜晶体结构，采用俄歇电子能谱仪估算薄膜厚度和超导量子干 涉仪测量其磁性.磁性测量表明，1)该系列薄膜具有垂直于膜面的磁各向异性.从起始磁化曲 线和小回线的形状特征可知，矫顽力机制主要是由畴壁钉扎控制.2)对于固定厚度（10nm） 层的硬磁相Nd-Fe-B和不同厚度（dFeCo=1—100nm）层软磁相FeCo双层纳米复合 膜,剩磁随软磁相FeCo 厚度的增加快速增加，而矫顽力则减少.当dFeCo=5nm 时 ，最大磁能积达到160×１０^３A/m.磁滞回线的单一硬磁相特征说明，硬磁相Nd -Fe-B层和软磁相FeCo层之间的相互作用使两相很好地耦合在一起.剩磁和磁能积的提高是由 于两相磁性交换耦合所致. 关键词： Nd-Fe-B/FeCo双层纳米复合膜 交换耦合 磁性增强}     

磁性合金膜相图的VCE计算方法

将VCE方法推广到反铁磁-磁顺磁相变的情况中去,从而使VCE方法不仅可以计算居里点,同时也可计算耐尔点.利用随机键（包括稀释随机键）层状伊辛模型,给出了磁性合金（包括稀释磁性合金）膜临界点的计算公式,进而计算了某些条件下的T_c-χ相图并作了讨论. 关键词：     

非简并p型Hgi-xMnxTe单晶（z〉0.17）的负磁电阻机理研究

研究磁性半导体中负磁电阻产生机理对正确理解载流子与磁性离子间的sp．d磁交换作用是非常重要的．通过变温（10-300K）磁输运和变温（5-300K）磁化率实验研究了一系列不同Mn含量非简并P型Hgl-xMn。Te单晶佃〉0．17）的负磁电阻和顺磁增强效应．实验结果表明其负磁电阻与温度的关系和磁化率与温度的关系基本一致,两者都包含一个呈指数型变化的温度函数exp（-K／T）．根据磁性半导体的杂质能级理论,非简并P型H譬1-xMnxTe单晶在低磁场范围内出现负磁电阻效应的主要物理机理为外磁场的磁化效应使得受主杂质或受主型束缚磁极化子的有效电离能减小．     

激发态Na和K原子间的碰撞能量合并

置于同一池中的Ｎａ原子和Ｋ原子，分别被连续染料激光器和Ｋ光谱灯激发型Ｎａ（３Ｐ），Ｋ（４Ｐ），Ｎａ（３Ｐ）原子密度由吸收等效宽度技术测定。利用调制技术，分离出了由异核碰撞产生的荧光光谱，观察到了Ｎａ（３Ｐ）和Ｋ（４Ｐ）间的磁能量合并现象，并测定了其碰撞截面。     

Co掺杂的ZnO室温铁磁半导体材料制备与磁性和光学特性研究

采用溶胶-凝胶法制备出具有室温铁磁性的Co掺杂的ZnO稀磁半导体材料. 通过对样品的结构、磁性和发光特性的研究发现,样品具有室温铁磁性,并发现其铁磁性源于磁性离子对ZnO中Zn离子的取代. 对不同温度制备的样品的磁性以及其发光特性的变化研究发现,样品的铁磁性与样品中锌间隙位（Zn_i）缺陷的密度有关. 关键词： ZnO 稀磁半导体 铁磁性     

磁电子学中的若干问题

本文综述了自旋极化输运过程中巡游电子的自旋极化、自旋相关的散射及自旋弛豫等三方面的内容;全面总结了铁磁金属的磁电阻效应（ＡＭＲ）、磁性金属多层膜和颗粒膜的巨磁电阻效应（ＧＭＲ）、氧化物铁磁体的特大磁电阻效应（ＣＭＲ）以及磁隧道结的巨大隧道电阻效应（ＴＭＲ）研究中具有代表性的实验结果及理论模型;简单介绍了新生的磁电子器件—磁电阻型随机存取存储器（ＭＲＡＭ）和全金属自旋晶体管的工作原理和工作过程。     

Cr75（Fe0.67Mn0.33）25合金加外磁场穆斯堡尔效应的研究

利用加外场穆斯堡尔效应对Ｃｒ７５（Ｆｅ０．６７Ｍｎ０．３３）２５合金的磁性进行了研究。结果表明该合金不是磁单相的。在温度约２７５Ｋ时合金中开始形成反铁磁相，其共存于一顺磁相。在１３３Ｋ下，该顺磁相转变成铁磁相，共存于反铁磁相，铁磁、反铁磁交换相互作用的竞争导至合金在２８Ｋ下重入自旋玻璃态。     

磁电子学中的若干问题

本文综述了自旋极化输运过程中巡游电子的自旋极化、自旋相关的散射及自旋弛豫等三方面的内容；全面总结了铁磁金属的磁电阻效应（ＡＭＲ）、磁性金属多层膜和颗粒膜的巨磁电阻效应（ＧＭＲ）、氧化物铁磁体的特大磁电阻效应（ＣＭＲ）以及磁隧道结的巨大隧道电阻效应（ＴＭＲ）研究中具有代表性的实验结果及理论模型；简单介绍了新生的磁电子器件—磁电阻型随机存取存储器（ＭＲＡＭ）和全金属自旋晶体管的工作原理和工作过程。     

DyFe10Si2化合物的中子粉末衍射测量

氮、碳和氢等原子进入R（Fe，M）12化合物（R=稀土元素，M=Ti，V，Cr，Mn，Mo，W和Si等）可以形成具有优异内禀磁性的间隙型金属间化合物，引起了人们的广泛关注。Dy（Fe，Si）12化合物Si原子择优占据的8f和8j位，不同于其它替代元素的优先占据8i位，且重稀土元素Dy原子磁矩与Fe反平行排列。文中利用中子粉末衍射技术确定了77K温度下DyFe10Si2化合物的晶体结构与磁结构，得到了原子坐标、占位数和磁性原子磁矩等信息。     

磁二向色性光电发射

磁二向色性光电发射（ Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ） 技术是结合光电子能谱和磁二向色性技术的磁学测量方法,近年来已成为研究表面、界面和薄膜等低维体系磁性的重要手段。本文概述了其基本原理和实验方法,着重探讨几种 Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ 效应的产生及其理论解释,并介绍了 Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ 在磁性过渡金属、稀土金属低维体系中的应用。     

磁二向色性光电发射

磁二向色性光电发射（ Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ） 技术是结合光电子能谱和磁二向色性技术的磁学测量方法,近年来已成为研究表面、界面和薄膜等低维体系磁性的重要手段。本文概述了其基本原理和实验方法,着重探讨几种 Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ 效应的产生及其理论解释,并介绍了 Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ 在磁性过渡金属、稀土金属低维体系中的应用。     

Cr_（75）（Fe_（0．67）Mn_（0．33））_（25）合金加外磁场穆斯

利用加外场穆斯堡尔效应对Ｃｒ７５（Ｆｅ０．６７Ｍｎ０．３３）２５合金的磁性进行了研究．结果表明该合金不是磁单相的．在温度约２７５Ｋ时合金中开始形成反铁磁相，其共存于一顺磁相．在１３３Ｋ下，该顾磁相转变成铁磁相，共存于反铁磁相二铁磁、反铁磁交换相互作用的竟争导至合金在２８Ｋ下重入自旋玻璃态．