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1.
在大量的非过渡金属和合金中,非晶态超导体的声子谱参数λ,<ω>和<ω~2>与霍耳系数R_H之间存在着一个经验关系:在R_H=-3.5—-4.0×10~(-11)m~3/As之间存在着λ,<ω>和<ω~2>的最大值。上述声子谱参数与相应的液态金属的霍耳系数R_(HL)之间也存在着一个和上述类似的经验关系。最后讨论了非晶态超导体的转变温度T_c的提高问题。 相似文献
2.
本文中分析了非过渡金属非晶态超导体的超导参量、声子谱参量与霍耳系数之间的经验关系。研究了非晶态超导体的Tc,并得出,声子谱的软化所导致的Tc的提高幅度与电-声子耦合常数λ的提高幅度成线性关系;声子谱的高频截止频率愈高,其Tc也愈高。讨论了利用声子谱的软化虽然能大幅度地提高Tc值,但要获得包括金属Be在内的非过渡金属的高Tc非晶态超导体的希望是渺茫的。还讨论了非晶态超导体的上临界场Hc2和能隙2Δ0所表现出的强耦合效应等问题。
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3.
提出了能够很好地描述非过渡金属无序和非晶态超导体的2Δ0/(kBTc)与声子谱参量之间关系的一个公式:2Δ0(kBTc=4.95[1-(T0<ω>1/2)/A(1/(λω0)+1/(20λ<ω>)+1/(20<ω>))]。计算了大量已知声子谱的非晶和无序超导体的能隙2Δ0对Tc的比,结果表明在百分之几的范围内与实验值符合。指出了非过渡金属和合金的非晶态超导体,既可以是一个2Δ0/(kBTc)值远大于BCS理论值(3.53)的强耦合超导体,也可以是一个2Δ0/(kBTc)值比BCS理论值还要小得多的弱耦合超导体。
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4.
分析研究了非过渡金属非晶态超导体的超导参量 T_c、2△_0 和声子谱参量λ、<ω>、<ω~2>与霍耳系数 R_H 之间,以及 T_c 与声子谱参量ω_0 和<ω>/ω_c 之间的关系,发现,在 R_H=-3.5—-4.0×10~(-11)m~3/AS 范围内同时存在着上述超导和声子谱参量的最大值;具有高ω_0 的材料对获得高 T_c 非晶态超导体有利;非晶态超导体的 T_c 与点阵无序度(<ω>/ω_0)近似地成线性关系.在上述结果的基础上,分别提出了一个非晶态超导体的 T_c 公式T_c=Aλ<ω>~(1/2)/(<ω>/ω_0+(1+λ)/20)和一个2△_r/k_BT_c 公式2△_0/k_BT_c=4.95[1-T_c<ω>_(1/2)/A(1/λω_0+1/20<ω>+1/20<ω>)]按照所提出的公式,第一次指出了,非过渡金属非晶态超导体既可以是一个2△_0/k_BT_c 比BCS 理值大得多的典型的强耦合超导体,也可以是一个 2△_0/k_BT_c 比 BCS 理值还要小得多的甚弱耦合超导体.当然,也可以是一个 2△_0/k_BT_c 值与 BCS 理论基本一致的弱耦合超导体.解释了结晶态弱耦合超导体的2△_0/k_BT_c 测量值偏离于 BCS 理论的原. 相似文献
5.
在大量的非过渡金属和合金中,非晶态超导体的能隙2△0与霍耳系数R_H以及与相应的液态金属霍耳系数RHL之间存在着一个经验关系:在RH(或RHL)=-3.5—-4.0×10-11m3/AS之间出现一个2△0最大值。
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本文由超导体强耦合能隙方程出发,对64种有效声子谱求得了近3500个临界温度的数值解。它们说明,在谱面积A不变时,Tc具有条件极值(Tc/A)max。Tc主要取决于α2F(ω)上峰的位置及其面积,与峰的宽度关系不大。控制<ω>及<ω2>两个参量时,用双δ谱来代替L谱所产生的误差为3.2%。本文分析并澄清了文献中关于“λ=2极限”的争论。
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本文提出一个非晶态非过渡金属超导体的Tc经验公式,Tc=Aλ<ω>1/2/(<ω>/ω0+(1+λ)/20),式中A=(1/5)(K1/2)。计算值和实验值,以及和Garland理论值的比较表明,Tc经验公式能很好地描述非晶态超导体的Tc值。
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提出了能够很好地描述非过渡金属无序和非晶态超导体的2Δ_0/(k_BT_c)与声子谱参量之间关系的一个公式: 2Δ_0(k_BT_c=4.95[1-T_0<ω>~(1/2)/A(1/λω_0 1/20λ<ω> 1/20<ω>)]。计算了大量已知声子谱的非晶和无序超导体的能隙2Δ_0对T_c的比,结果表明在百分之几的范围内与实验值符合。指出了非过渡金属和合金的非晶态超导体,既可以是一个2Δ_0/(k_BT_c)值远大于BCS理论值(3.53)的强耦合超导体,也可以是一个2Δ_0/(k_BT_c)值比BCS理论值还要小得多的弱耦合超导体。 相似文献
9.
本文用数值解方法从Eliashberg方程计算出超导临界温度Tc,并考察Tc对有效声子谱的依赖关系。在这个研究中,a2F(ω)被取为双δ函数谱,并允许其中的谱参数可以在很宽范围内改变。作者发现在λ<∧区域(即在Tc级数解的收敛圆外),Tc除了依赖λ和矩比外,还依赖Tc级数解的收敛半径倒数Λ;它们之间的关系是有规律的。在这些结果的启示下,本文在μ*=0情形,用弥合数值解的方法得到一个适用于λ<Λ区域的Tc近似公式。接着,本文作者对吉光达和吴杭生的一篇文章进行了研究,指出:该文提出的超导体分类建议及其工作的主要结论是对的。但其中对决定A型超导体临界温度主要参量问题进行的分析,只适用于这样一些A型超导体,它们的收敛半径倒数Λ或者比λ0小,或者虽比λ0大、但λ又小于λ0,其中λ0是个依赖谱形状的参量,它的定义在正文中给出。对另一些A型超导体(λ0<λ<Λ),决定Tc的主要参量不再是λ,而是δ=1/∧0.5(ω1/2/ωlog)5.5λ1.55。
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本文指出,对于实际的归一化有效声子谱函数g(ω),一般来说,zph≡F(-ωph-2是函数z=F(y)≡∫0(ωph)(ω2y)/(ω2y+1)g(ω)dω的反函数的分支点。因此,在估算超导Tc级数的收敛半径时,应当予以考虑。
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本文把作者在前面两篇文章导出的Tc公式推广成下面形式:Tc=αωlog(ωlog/ωc)(μ*/(λ-μ*))exp{-(1+λ)/(λ-μ*)},并从线性Eliashberg方程出发,导出了计算α的方程组。α一般是λ和μ*的函数。在弱耦合极限下,由上述方程组解得,α=2γ/π,其中lnγ=C=0.5772是Euler常数。这个结果表明了,前面两篇文章得到的Tc公式在弱耦合极限下是正确的。作者进而在Einstein谱和μ*=0情形,用数值计算方法从定α的方程组算出当λ=0.23,0.25,0.38和0.48时,a的数值。结果表明,至少在0.23≤λ≤0.45区间中,α变化很小,近似等于1/1.30。此时,本文的Tc公式实际上就是Allen及Dynes修改后的经验的McMillan Tc公式。
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本工作研究了Ho3+离子在宽禁带半导体ZnS中的辐射跃迁和无辐射过程。用发射谱线的积分光强和激发态寿命获得ZnS:Ho3+的强度参数Ωλ,同时计算了九个激发态的辐射跃迁几率和能级寿命。另外,通过在不同温度下测定Ho3+离子5G6,3K8,5F2,5F3和5S2(5F4)能级的发射光强和寿命的方法,研究了这几个激发态间的无辐射过程,其中5G6,3K8,5F2和5F3这四个能级是处于热平衡状态,而5F3与5S2(5F4)能级间存在五个声子((1/n)ωLo=351cm-1)参与的多声子弛豫过程。
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