慢电子对氮、氧和氖原子散射的总截面的计算

本文用下列解析原子波函数 1s电子:φ₁(r)=N₁e^-μar, 2s电子:φ₂(r)=N₂[(μr)e^-μr-Ne^-μar], 2p电子:φ3(r)=N₃(μr)cosθe^-μr, φ₄(r)=N₄(μr)sinθe^iφ-μr, φ₅(r)=N₅(μr)sinθe^-iφ-μr,推导出入射电子与氮、氧和氖原子之间相互作用的解析势函数,其中包括了交换作用与极化作用。应用这种势函数并用分波法,文中还算出了慢电子在这三种原子的势场中运动的畸变波函数、相移及散射总截面。计算结果与实验值很符合。     

O5+离子与He原子碰撞引起的可见光发射

用光学方法测量了O⁵⁺离子(4.06～5.31 kev·amu^-1)与He原子碰撞引起的200～800nm波长范围的可见光发射谱。分析表明,在O⁵⁺与He碰撞中存在着入射离子的单电子俘获激发和双电子俘获激发以及靶原子直接激发过程,并且有较高nl态间的跃迁。经计算得到了各发射谱线的绝对发射截面,并探讨了这些发射截面与入射离子能量之间的依赖关系。     

氢分子电子态b1Пu及其振动态的微分截面和振子强度

在电子入射能量300 eV条件下,测量了氮分子在不同散射角下的12—14 eV能区的能量损失谱,散射角范围为2.75°—10.25°。得到了电子态b¹∏_u振动能级v’=1—4的散射微分截面和广义振子强度,并通过外推k~2至零的方法得到了b¹∏_u及其振动能级v’=1—4的散射微分截面和广义振子强度,并通过外推K~2主零的方法得到了b¹∏_u及其振动能级v’=1—4的光学振子强度。所得结果与已发的实验数据和理论结果作了比较     

高电荷态离子O5+与He原子碰撞中单电子俘获激发过程

本文在O⁵⁺离子与He原子碰撞中,测量了OV单态、OV三重态和Hell双重态的发射谱,经过计算得到了谱线的发射截面.实验结果表明:(1)在入射离子能量范围60—80keV内,仅仅观察到单电子俘获激发过程;(2)非绝热位势图所预期的激发能级同本实验结果是一致的.     

低能电子与N2分子碰撞的振动共振激发微分散射截面 *

用经作者改进后的振动密耦合散射方法和基于量子力学从头计算的静电、交换、与极化散射作用势研究了低能电子与N₂ 分子的振动激发共振微分散射截面 .由于充分考虑了高角动量和分子高对称性对散射过程的贡献 ,所得到的 ( 0→ 2 ,0→ 3,0→ 4)振动激发微分散射截面与实验结果符合得很好 ,获得了实验测得的散射共振位置和振动共振多峰结构.     

Fe3O4的Mssbauer Faraday效应

本文利用Mossbauer极化谱仪观察到非正分的Fe₃O₄的 Mossbauer Faraday效应.根据实验结果,进一步证实了Fe₃O₄八面位中Fe³⁺和Fe²⁺离子之间的电子跳变是一种局域现象,并计算了两种晶位的无反冲因数f_A和f_B.     

He-H2碰撞振动和转动激发截面的理论计算

本文对He-H₂体系构造了Tang-Toennies势,给出了A,b,C_2n随r变化的表达式,得到的色散系数C₆,C₈,C₁₀与公认比较准确的Meyer等计算结果符合得很好,也与Tang和Toennies计算结果符合得很好,从而使作者计算的He-H₂势函数,当r和R变化时,在大范围内均与比较准确的Meyer计算结果相符.利用我们构造的势函数计算了He-H₂碰撞的44种不同的振动-转动激发截面,并研究了原子-分子碰撞弹性分波截面和非弹性碰撞激发分波截面随量子数增加的变化规律.     

利用分波分析研究氦原子3pe态的电子-电子关联

本文利用分波分析的方法研究了氦原子³p^e态的N=2和N=3序列;考察了这些态固有的对称性,一体密度及形状密度等;以形象的方式探讨了电子间的角关联,径-径关联和径-角关联等.特别考察了内电子在外电子逼近时作出的反应.除此之外,还发现³p^e态的电子云的各向异性有独特的性质.     

钠原子光电离过程中角分布参数β的计算

运用多体微扰理论方法 ,对开壳层钠原子的内壳层电子的光电离过程2p⁶3s→ 2p⁵ 3skl中分波散射截面和角分布参数进行了计算 .在计算中包括了 2s→ 3p的共振结构 .同时利用多体微扰理论的图式 ,对主要的电子关联相互作用进行了分析 ,并对RPA和BO关联的主要贡献项计算达到了无穷级近似 .计算结果与实验吻合较好 .     

基于Lifshitz理论的相同电介质分子间等效吸引势

应用Lifshitz根据量子电动力学建立的vanderWaals力的一般理论 ,导出真空中相同电介质分子间的vanderWaals吸引势 ,以期给出相同分子 (包括原子团 )间等效相互作用势 .首先根据所提出的假设求出了相同粒子间相互吸引势积分式的解析解 .在此基础上 ,通过电子极化理论将所导出的由宏观物理量表示的公式与著名的London公式进行了比较 ,两者仅差一个因子 4/π或 4 π ((ε_∞ + 2 ) / 3)² .为了验证所导出的等效吸引势的可靠性 ,对几种电介质进行了计算 ,并与London色散公式的计算值以及由实验和理论方法所给出的推荐值进行了对比 .作为一个算例 ,还给出了聚乙烯的等效作用势 ,其阱深处于合理的范围 .     

π—核电荷交换反应

本文用多重绕射理论,讨论了强子引起的核反应。采用了分离变数的方法来计算高次项,从而能处理一般的核结构组态对反应截面的影响。并用此方法给出了π^-核的单电荷交换反应及双电荷交换反应的振幅。对O¹⁸(π⁺,π⁰)F¹⁸和O¹⁸(π⁺,π^-)Ne¹⁸的同位旋相似态之间的反应截面,用壳模型纯组态和SU³波函数分别进行了计算。结果表明核结构对截面的影响是很重要的。     

S4(1)中常数量曲率的完备超曲面

本文把[1]的结论推广到超曲面是完备的情形,即我们证明了:设M³是单位球面S⁴(1)中常平均曲率及常数量曲率的完备超曲面。若S≤H²+6,则S只能等于1/3H²,3/4H²—1/4(H⁴+8H²)^1/2+3,(3/4)H²+1/4(H⁴+8H²)^{1/2相似文献}   

C15化合物ZrZn2和ZrV2的磁性和超导性的自洽电子结构研究

本文介绍了新发展的体能带全电子完整势线性缀加平面波(FLAPW)方法,在计算立方Laves相C15化合物ZrZn₂和ZrV₂电子结构的首次应用.这两种材料的磁性和超导性,己用能带结构的结果进行了计算和讨论.计算分两种情况:(1)扭曲Muffin-tin(MT)势的自洽计算,(2)应用二次变分的完整势处理.上述计算都在达到自洽后将自旋轨道耦合效应包括进去.在MT球内的非球对称项对本征值的影响约为1mRy量级.但是,由于在Fermi能级附近存在着平坦的能带,它可能对E_F处的态密度产生值得注意的影响.分波态密度的仔细分析表明:ZrZn₂和ZrV₂之间最主要的差别是原子Zr和V产生的d带的位置不同. 本文通过计算广义Stoner因子,研究了这些材料的磁性.结果发现,ZrZn₂存在着磁反常而ZrV₂是非磁性的.这一结果同实验观察一致.理论预言ZrV₂的超导转变温度T_c～15K,而ZrZn₂约为4K.同以前的各种计算比较,本文结果有大幅度的改进.     

激光晶体MgF2:Co2+的MS-Xα计算——Ⅱ.激光晶体的Xα研究

本文报道了具有D_2h格位对称性的过渡金属络离子(CoF₆)^4-的自旋非限制MS-X_α计算结果。给出了单电子本征值和本征函数。讨论了激光晶体MgF₂:Co²⁺的电子结构。用Slater过渡态方法计算了晶场分裂参数10D_q及电荷转移跃迁能量,结果与光谱及XPS实验值符合得很好,并且优于组态相互作用从头计算结果。由Case-Karplus电荷分配法得到了Co²⁺的自旋-轨道耦合常数λ。最后对两种调谐激光晶体MgF₂:Co²⁺和MgF₂:Ni²⁺的电子结构进行了比较。     

三矩阵乘积的(T,S,2)-逆的反序律

矩阵A的(T,S,2)-逆是指适合XAX=X,R(X)=T和N(X)=S的矩阵X,以矩阵的秩为工具,本文研究了三矩阵乘积的(T,S,2)-逆的反序律,给出了(ABC)_(T4,S4)⁽²⁾=C_(T3,S3)⁽²⁾B_(T2,S2)⁽²⁾A_(T1,S1)⁽²⁾的充要条件。     

光电离激发过程中末态关联的高级修正

把多体微扰理论(MBPT)用于计算钠原子的光电离过程2p²3s→2p~53skl和光电离激发过程2p⁶3s→2p~54shl和2p⁶3s→2p⁵5skl.对两种光电离激发过程2p⁶3s→2p⁵4skd和2p⁶3s→2p⁵5skd的3种末态关联(shake-off,virtual-Auger和knock-out)及基态关联分别进行了计算与讨论发现末态关联的shake-off过程是这些光电离激发过程最主要的贡献,而偶极矩算符〈kd|z|2p〉对末态关联有最重要的影响.为了对末态关联作用进行更准确更细致的研究,对偶极矩阵元〈kd|z|2p〉分别采用了最低级近似,一级近似和高级近似进行计算与讨论.高级近似包括了The radom-phase approximation(RPA)和重要的Brueckner-orbital(BO)和Structureradiation(SR)关联.改进了耦合方程方法,使主要的RPA关联和BO关联包括了无穷级近似.在考察这些高级近似后的计算中,光电离激发过程2p⁶3s→2p⁵4skl和2p³s→2p5⁵skl的计算结果与实验相吻合.     

低能电子与NⅣ共振散射的R矩阵计算

本文用R矩阵方法精确地计算了N IV的2s²¹S^e,2s2p³P^o和2p²³P^e,¹D^e,¹S^e靶态间的低能电子碰撞激发的碰撞强度和速率系数,并将这些结果与其他理论和实验结果进行了比较。     

阶梯量子阱子带跃迁二次谐波产生的研究

本文理论上利用二能级近似下的传递矩阵法,给出了GaAs/Al_xGa_1-xAs二阶非线性光学系数X_2ω⁽²⁾的解析表达式,通过数值计算,设计了具有较大X_2ω⁽²⁾的阶梯多量子阱(SMQW)结构,其特点是单共振泵浦,实验上验证了该结构确实具有比体材料大3个量级的X_2ω⁽²⁾值,为了提高二次谐波(SHG)的转换效率,我们分别设计了两种新型的实验方案,分别使SHG转换效率较Brewster角入射下大10倍和100倍。     

用于边缘检测的Laplace——样条(▽2S)算子

根据数据平滑理论,提出了一种图象边缘检测的方法:把二维四阶B样条函数与Laplacian算子相结合组合成▽²S算子,对图象卷积之后,根据过零点(ZeroCrossing)确定图象边缘。文中证明了它在图象平滑和边缘检测效果上,优于Marr和Hildreth提出的▽²G算子,且计算量较小。而▽²G算子可用高阶▽²S算子近似。文中给出了一些实验结果。     

15.7MeV的氘引起的2H(d,2He)2n反应

本文用改进的共振粒子谱仪在相应于质心系角度θ_c=(107°±2°) 的一系列实验室角度对上测量了双质子态2P破裂时放出的两个质子的二维能谱,观测到了²H(d,²He)2n电荷交换反应,并测得了2P态的共振谱.谱的峰值位于0.42MeV处,破裂能的平均值为0.45 MeV.