用于无屏蔽环境生物磁测量的倒装片式高温超导梯度计 *

采用φ50.8m (即2 in)YBCO*/YBCO/CeO₂ /YSZ/Si多层膜制成的磁通变换器与SrTiO₃ 双晶上制备的尺寸为10mm×5mm平面式DC-SQUID梯度计构成一个倒装片梯度计 .磁通变换器与平面梯度计之间的耦合系数为0.18.磁通变换器有效地提高了梯度计的磁场梯度分辨率.倒装片式梯度计在白噪声区的磁场梯度分辨率为73fT·cm^-1·Hz^{-1/ 2} ,在1Hz下 ,磁场梯度分辨率为596fT·cm^-1·Hz^{-1/ 2} .在无屏蔽条件下 ,采用该梯度计成功地测得了高质量心磁图 .     

BaTiO3微波合成的反应机理研究

BaTiO₃的微波合成在中间相、产物形貌、颗粒上元素浓度等方面与常规合成均不相同,从实验上说明了微波合成中有非热效应的存在。在微波场中Ba^2+,Ti⁴⁺的扩散都得到很大的增强,由常规合成中基本为Ba²⁺扩散转化为Ba^2+,Ti⁴⁺相互扩散,尽管仍然是以Ba²⁺扩散为主,但Ti⁴⁺的扩散不能忽略。微波合成反应中扩散过程的增强作用主要表现在对扩散系数指前因子及扩散推动力的影响。微波合成过程中没有Ba₂TiO₄中间相的出现,与常规合成有较大的差别,反应的动力学过程分析表明该反应符合Carter方程。在X射线衍射定量分析结果基础上计算微波合成BaTiO₃表观反应活化能为42.26kj/mol,仅为常规反应的1/5。     

在立方织构的Ni基带上沉积掺Ag的YBCO超导薄膜

用脉冲激光沉积法在立方织构的Ni基片上成功地外延了YBCO超导薄膜 ,其临界电流密度高达 1 .1 5MA cm² .X射线衍射分析结果表明Ni CeO₂ YSZ YBCO多层结构都是c轴取向 ,CeO₂ 和YSZ缓冲层能有效地改进薄膜织构 ;扫描电子显微镜结果表明Ni CeO₂ YSZ YBCO结构所有生长层面存在类似层状的形貌 ,而薄的一层Ag膜能有效地填充各个生长阶段由于高温下热膨胀系数不匹配形成的微裂缝 ,其结果是改进了薄膜微观结构 ,提高了临界电流密度 .     

分子束外延生长多层异质结构的离子沟道研究

本文用分子束外延方法(MBE)先在Si(111)方向上生长CaF₂薄膜,再在CaF₂层上外延淀积一定厚度的Si或Ge膜,形成Si/CaFa/Si(111)或Ge/CaF₂/Si(111)等异质多层结构,然后用Rutherford背散射和离子沟道方法分析薄膜生长特性,发现在CaF_2薄膜上淀积的Si层是由两种类型的微晶构成的,其方向分别与衬底Si方向相同或与衬底表面垂直方向转180°,表明最上层的Si膜(或Ge膜)可能是A型和B型两种取向的混合。在Si/CaF₂/Si(111)结构中,各个沟道的最小产额均比CaF₂/Si(111)的情形高许多,因为最上层的Si膜是A型和B型两种取向混合且为李生的。CaF₂<110>(<114>)非法向轴相对于衬底Si<114>(<110>)轴的偏离表明CaF₂界面区域存在应力。当CaF₂/Si(111)上外延生长Ge薄膜时,同时存在上述A和B两种取向类型微晶的混合,但以B成份为主,因此,仍然形成质量很好的Ge/CaF₂/Si(111)多层异质结构.但是,由于Ge和CaF₂之间晶格常数失配量要比Si和CaF₂之间大得多,所以,Ge和CaF₂界面处的Ge区域内存在着相当严重的无序。     

镶嵌在氧化硅薄膜中纳米硅的Raman散射研究

系统研究了a- SiO_x 的Raman散射谱及其退火行为 ,并通过退火技术使Si从SiO_x 网络中分凝出来 ,形成纳米硅和SiO₂ 的镶嵌结构 .并利用Raman散射技术研究了这种复合薄膜中纳米硅的声子态 .发现在 1 0 0～ 6 0 0cm,sup>-1的波数范围内 ,纳米硅的Raman谱可用 5条Lorentz线得到很好地拟合 ,并对这 5条线的来源作了确认 ;观测到了在 6 0 0～ 1 1 0 0cm^-1范围内纳米硅的双声子散射 .研究结果表明 ,镶嵌在SiO₂ 介质中的纳米硅具有非晶硅相和纳米硅晶相共存的特点 ,两者均对Raman散射有贡献 .不仅观测到了声子限制效应使一级光学声子频率随纳米硅晶粒尺寸减小而红移这一现象 ,而且还发现 (与体硅相比 )声子限制效应对二级Raman散射具有增强效应 ,并对二级散射模的频率也会产生影响 .     

金属基底上离子束辅助法生长高温超导薄膜

用离子束辅助的脉冲激光法,在多晶的金属基底上制备出了较高质量的具有双轴取向的钇稳定氧化锆(YSZ)缓冲层,缓冲层的平面内取向的最小半高宽为19°,垂直于膜面的取向的最小半高宽为4.5°.在其上外延生长的YBCO高温超导膜的临界电流J_c为2.1×10⁵A/cm²,临界转变温度T_c为90K.在优化沉积参数时发现了一些未曾报道的新现象,并分析了其原因.     

金属表面生成氧化膜在电解质中的电位

测量金属表面生成氧化膜在电解质中的电位时,金属/氧化膜/电解质/参比电极构成了多电极体系,其中包括3个电池,由3个电池之间的关系、电池过程中所有的电化学反应、电荷传输步骤和化学反应步骤,导出电位的普遍适用的公式: E=E_a⁰+sum from s=1 to 3|η_t,s|-1/(ne)v₇ΔG₇, E=E_c⁰-sum from s=4 to 6|η_t,s|+1/(ne)v₈ΔG₈.当金属/氧化膜/电解质电池受到不同的步骤控制时,可以得到不同的简化公式.     

紧Riemann流形上的第一特征值估计 *

设 M 是紧Riemann流形 ,其Ricci曲率具有负下界 -R(R >0 ) ,d是M的直径 ,证明了其Laplace算子的第一特征值λ1≥π²/d² - 0.52R ,且只要R≤ 5π² /3d² ,就有λ₁≥π²/d² - R/2 .     

稀土区质子滴线附近新的β缓发质子衰变

用重离子束³⁵Ar轰击缺中子同位素靶⁹²Mo,⁹⁶Ru和¹⁰⁶Cd产生了质子滴线附近的β缓发质子先驱核¹²⁵Nd,¹²⁸Pm,¹²⁹Sm,¹³⁷Gd和¹³⁹Dy.配合氦喷嘴带传输系统用“p-γ”符合方法对它们进行了肯定的鉴别.它们的半衰期分别为：0.60(15)s,1.0(3)s,0.55(10)s,2.2(2)s和0.6(2)s.用统计模型理论计算对实验测定的¹²⁵Nd, ¹²⁹Sm,¹³⁷Gd和¹³⁹Dy的,和从前报道的¹²¹Ce,¹³⁵Gd的β缓发质子衰变的能谱和分支比进行了拟合.提取出¹²¹Ce, ¹²⁵Nd, ¹²⁹Sm,¹³⁵Gd, ¹³⁷Gd和¹³⁹Dy的基态自旋-宇称分别为5/2^±,5/2^±,1/2⁺(或3/2⁺),5/2⁺,7/2^±和7/2⁺.实验初步指认的基态自旋 宇称值与Nilsson能级图的预言值相符间接表明这6种核素的基态具有大形变,形变参数β₂在0.3左右.     

钠原子光电离过程中角分布参数β的计算

运用多体微扰理论方法 ,对开壳层钠原子的内壳层电子的光电离过程2p⁶3s→ 2p⁵ 3skl中分波散射截面和角分布参数进行了计算 .在计算中包括了 2s→ 3p的共振结构 .同时利用多体微扰理论的图式 ,对主要的电子关联相互作用进行了分析 ,并对RPA和BO关联的主要贡献项计算达到了无穷级近似 .计算结果与实验吻合较好 .     

光电离激发过程中末态关联的高级修正

把多体微扰理论(MBPT)用于计算钠原子的光电离过程2p²3s→2p~53skl和光电离激发过程2p⁶3s→2p~54shl和2p⁶3s→2p⁵5skl.对两种光电离激发过程2p⁶3s→2p⁵4skd和2p⁶3s→2p⁵5skd的3种末态关联(shake-off,virtual-Auger和knock-out)及基态关联分别进行了计算与讨论发现末态关联的shake-off过程是这些光电离激发过程最主要的贡献,而偶极矩算符〈kd|z|2p〉对末态关联有最重要的影响.为了对末态关联作用进行更准确更细致的研究,对偶极矩阵元〈kd|z|2p〉分别采用了最低级近似,一级近似和高级近似进行计算与讨论.高级近似包括了The radom-phase approximation(RPA)和重要的Brueckner-orbital(BO)和Structureradiation(SR)关联.改进了耦合方程方法,使主要的RPA关联和BO关联包括了无穷级近似.在考察这些高级近似后的计算中,光电离激发过程2p⁶3s→2p⁵4skl和2p³s→2p5⁵skl的计算结果与实验相吻合.     

在J／Ψ粒子辐射衰变中寻找JPC等于偶++胶球

对于质量介于 1 .2和 2 .9GeV之间的I =0 ,J^PC等于偶⁺⁺ 无味强子 ,基于粒子衰变到两个赝标介子的衰变宽度和各衰变道的分支比的普遍分析 ,给出判别这粒子是介子还是胶球的两组判别式 .判断已知的I=0 ,J^PC=2 ⁺⁺,f₂ (1 5 2 5 )是一个典型的介子 .讨论了判断新的I=0 ,J^PC等于偶⁺⁺ 无味强子的方法     

应用Rietveld方法研究氧化锆的晶体结构

采用XRD及Rietveld粉末衍射峰形拟合方法对氧化锆的晶体结构及其相变进行了研究 .当掺杂CeO₂ 和Y₂ O₃后 ,氧化锆的晶体结构发生了由单斜向四方的转变 .四方氧化锆的空间群为P42 /nmc ,Z =2 ,对于CeO₂ ,Y₂ O₃稳定的ZrO₂ 其晶格常数分别为a =0 .3 62 6( 5 )nm ,c =0 .5 2 2 6( 3 )nm及a =0 .3 60 2 ( 8)nm ,c =0 .5 179( 1)nm ,单胞中阳离子Zr⁴⁺ ,M (M =Ce⁴⁺ ,Y³⁺ )和阴离子O^{2 -} 分别占据空间群的 2b和 4d晶位 ,还从晶体学角度讨论了立方、四方、单斜 3种不同结构的氧化锆之间的相互转换关系 .     

On the Radius of Analyticity of Solutions to 3D Navier-Stokes System with Initial Data in Lp

Given initial data u₀ ∈ L^p(R³) for some p in[3, 18/5[, the auhtors ?rst prove that 3D incompressible Navier-Stokes system has a unique solution u = uL+v with uL def = et^?u0 and v ∈ e L^∞([0, T]; ˙ H^{5/2 ? 6/p} ) ∩ L¹(]0, T[; ˙H^{9/2 ? 6/p} ) for some positive time T. Then they derive an explicit lower bound for the radius of space analyticity of v, which in particular extends the corresponding results in [Chemin, J.-Y., Gallagher, I. and Zhang, P., On the radius of analyticity of solutions to semi-linear parabolic system, Math. Res. Lett., 27, 2020, 1631– 1643, Herbst, I. and Skibsted, E., Analyticity estimates for the Navier-Stokes equations, Adv. in Math., 228, 2011, 1990–2033] with initial data in ˙H^s(R³) for s∈[1/2,3/2[.     

Tl-1223超导体及其复Ag带

研究了用部分熔化法制备T1-1223超导体的工艺,样品的名义组成为(Tl_0.5Pb_0.5)(Sr_0.8Ba_0.2)₂Ca₂Cu₃O_y,调整样品中Ba的含量,出现了织构的迹象,经烧结一部分熔化—退火的样品,其磁化电流在77K和1T下大于2×10⁴A/cm²,用这样的样品作原料所制备的Tl-1223复Ag带短样,在77K和0T下,J_c达2.1×10⁴A/cm²,超导带横断面的SEM显微观察表明,在1223相中夹杂了BaPbO₃和Sr-Ca-Cu-O相.     

Cox-Ag1-x纳米颗粒膜的磁光Kerr效应

通过离子束溅射制备了Co_x-Ag_1-x纳米颗粒膜系列样品 ,并分别在 1 0 0 ,2 5 0 ,40 0 ,5 0 0℃下进行了退火 .利用磁光Kerr谱仪、椭圆偏振光谱仪对上述系列样品的光学常数、复介电函数、磁光Kerr参数在室温下进行了测量 .结果发现 :对Co含量较低的样品 ,随着退火温度的升高 ,磁光Kerr效应增强 ,并且在Ag的等离子振荡边附近出现了强的共振峰 ;峰的位置发生红移 .通过数据计算分析 ,这种共振磁光Kerr效应的增强是由于Ag陡峭的等离子振荡边作用结果 .     

PCLT/P(VDF-TrFE)纳米复合多层热释电探测器的灵敏度

以0-3 PCLT/P (VDF-TrFE)纳米复合材料为热释电膜,制备了具有多层结构的热释电探测器,测量了热释电电流灵敏度.通过引进矩阵方法从理论上计算了这个多层热释电探测器的电流灵敏度并讨论了各层厚度对其影响.计算值与实验测量值相比较,两者在10¹～10³ Hz的频率范围内符合得很好.     

GaAs颗粒镶嵌薄膜的非线性光学性质研究

采用单光束的Z扫描技术研究了GaAs颗粒镶嵌薄膜的非线性光吸收和非线性光折射特性,获得了增强的三阶光学非线性响应.实验测得的非线性折射率系数为 10^-3esu和非线性光吸收系数为10^-1cm/W量级.研究了产生饱和吸收时的光跃迁选择定则,观察到了饱和吸收现象和双激子态的双光子吸收现象,实现其饱和吸收和双光子吸收所需的辐射光强小于10⁴w/cm²结果表明:增强主要起源于量子限域效应,在强限域条件下,库仑作用效应被更强的限域作用所掩盖.GaAs颗粒表现出类似于二能级系统的光学非线性响应特征.     

ZnS∶Mn2+纳米晶钠硼硅玻璃复合体的EPR研究 *

用熔融法制备了ZnS∶Mn²⁺不同含量的钠硼硅玻璃 .发光和激发光谱测量发现Mn离子可能占据替位 (Mn²⁺) _sub和间隙 (Mn²⁺) _int两种格位 .进一步的电子顺磁共振(EPR)实验证实了这一判断 ,并从EPR谱确认了(Mn²⁺) _sub,(Mn²⁺) _int和Mn团 3种格位态的存在 .观测到g因子和超精细结构(HFS)常数随纳米晶粒径的减小而增大 .这可能是由于量子限域效应下ZnS的sp³ 和Mn的3d⁵电子态杂化和表面态所引起的 .     

Bernstein算子的逼近

本文利用点态光滑模ωφλ2r(f,t)研究了Bernstein算子的r阶线性组合的点态逼近.当1-1/r≤λ≤1时,用ωφλ2r(f,t)给出了—个点态逼近等价定理.且用反例说明了当0≤λ<1-1/r 时,此结论不成立.但若限制0<αφλ2r(f,t)给出