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利用光发射谱和Langmuir探针对热阴极直流放电等离子体化学气相淀积(PCVD)金刚石薄膜的等离子体环境进行了原位诊断 ,根据探针和光谱诊断结果定量地计算了在放电电流密度变化过程中基态氢原子和基态CH基团数密度的变化 ,发现基态和激发态的原子氢和CH基团的数密度均因放电密度增加而提高 .电子密度、CH发射的相对强度均随放电电流密度的增加而线性增加 ,而不同的含碳活性粒子的产生与电子温度的升高有关 .将诊断结果与金刚石的生长相联系 ,表明激发态的原子氢的产生促进了金刚石的生长 ,等离子体环境中电子温度和密度的增加对金刚石生长速率提高起着重要的作用 . 相似文献
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在中国科学院上海光机所的六路激光装置和LF12激光装置上成功地进行了复合泵浦软X射线激光增益实验。利用自制的一维空间分辨掠入射光栅光谱仪和针孔透射光栅光谱仪研究了线聚焦激光辐照平板靶产生的线状等离子体中铝和硅的类锂离子的自发发射放大(ASE)性能。测量了不同长度的线状等离子体的沿轴向发射的类锂铝和硅离子谱线的时间积分强度,结果证实类锂A10+离子的5f-3d跃迁(波长105.7)和Si11+离子的5f-3d跃迁(波长88.9)、5d-3p跃迁(波长87.3)等谱线的强度随等离子体长度非线性增长,相应的增益系数分别为3.1±0.9,1.5±0.5和1.4±0.5cm-1,最大增益长度乘积约为2.5。本实验是首次观察到类锂Si11+离子的5f3-d和5d-3p跃迁的激光增益,X软射线激光波长已短于100。特别有意义的是,上述结果是在低的泵浦激光功率密度条件下取得的。研究表明,采用类锂复合机制,有可能在我们现有的激光驱动装置上将软X射线激光推进到“水窗”(43.8—23.3)波段。 相似文献
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利用脉冲激光淀积法生长了外延Pr1-xSrxMnO3薄膜(其中x=0.1,0.2,0.3,和0.4).测量了薄膜样品在零场中与外加磁场下电阻率随温度的变化.对X≥0.2的样品在磁场下观察到负磁电阻效应.在logρ-l/T的坐标中,零磁场下的数据在很宽的温区显现很好的线性关系,具有热激活载流于输运特征.由实验数据线性拟合得到在样品成分0.1≤ X≤0.3范围的热激活能约为0.1eV.从对掺杂锰氧化物的电子结构分析出发,对这一材料的绝缘-金属相变,输运性质和负磁电阻行为进行了讨论. 相似文献
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报道了一种新的适用于在绝缘衬底上生长金刚石薄膜的方法,利用在直流电压上叠加交流成分,作为微波等离子体的电场偏置,成功地在SiO2衬底上首次实现了>108cm-2的金刚石成核.实验结果表明,金刚石薄膜的成核密度与偏压中交流信号的频率和幅度以及直流信号的幅度存在密切的关系. 相似文献
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用扫描电子显微术(SEM)研究了微波等离子体CVD生长金刚石系统,金刚石在以C60蒸发膜为抛光Si衬底中间层上的成核行为,实验证实金刚石成核于C60蒸发膜表面,同时观察到成核分布的不均匀性即成核聚集现象,并对此进行了初步分析。金刚石在C60薄膜表面的成核表现出取向生长的特征。 相似文献
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本文采用新颖的“双靶对接”技术,利用强度~1.2×1013W/cm2,波长1.053μm,脉宽~1ns的两路激光线聚焦辐照平面厚锗双靶,观察到波长为19.6,23.2,23.6,24.7和28.6nm的5根类Ne锗3p-3s跃迁谱线的放大。波长为23.2和23.6nm的谱线,增益长度积GL的值均超过13。对X光激光发射的发散角、折射角及时间特性等,也进行了实验现察,为深入了解X光激光的产生和传播,提供了有意义的信息。 相似文献
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Захаров方程周期初值问题整体古典解的存在性唯一性 总被引:3,自引:0,他引:3
在激光和等离子体的相互作用中,若对双流体力学方程组(即电子、离子流体力学方程组)忽略离子部分的非线性项和色散性,即可得到: 相似文献
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张莉 《数学的实践与认识》2003,33(4):90-96
首次将无结构三角网格的有限体积方法和压强连接半隐式算法相结合 ,用于求解非平行壁管道中的热对流问题 .并由此分析了化学汽相淀积薄膜生长的均匀性问题 .计算结果对于分析一类管道中热和动量输运现象均有普遍指导意义 相似文献
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