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| 交变电场辅助的微波CVD金刚石成核研究 | |
| 引用本文： | 毛敏耀,金晓峰,王添平,解健芳,章熙康,谭淞生,王渭源,庄志诚.交变电场辅助的微波CVD金刚石成核研究[J].中国科学A辑,1995,38(5):556-560. |
| 作者姓名： | 毛敏耀 金晓峰 王添平 解健芳 章熙康 谭淞生 王渭源 庄志诚 |
| 作者单位： | 1 中国科学院上海冶金研究所 上海200050 2 李政道物理综合实验室和复旦大学表面物理实验室 上海200433 3 上海交通大学理化中心 上海200032 |
| 摘 要： | 报道了一种新的适用于在绝缘衬底上生长金刚石薄膜的方法,利用在直流电压上叠加交流成分,作为微波等离子体的电场偏置,成功地在SiO2衬底上首次实现了>108cm-2的金刚石成核.实验结果表明,金刚石薄膜的成核密度与偏压中交流信号的频率和幅度以及直流信号的幅度存在密切的关系. |
| 关 键 词： | 微波等离子体CVD 偏压 金刚石薄膜 成核预处理 成核密度 |
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