用于反应堆中子/γ 射线混合场测量的涂硼电离室性能

近年来,涂硼电离室已逐渐成为核反应堆周围大通量中子/γ射线混合场监测的辐射探测器之一. 研制了一种高灵敏度涂硼电离室,并给出了其内部结构.用fA级弱电流放大器测得: 当涂硼电离室的工作电压在700 V以下时,漏电流小于1.0 pA; 用Am-Be中子源辐照时测得涂硼电离室的电流曲线坪长为500 V, 坪斜为3.72×10^-4 V^-1;当涂硼电离室的工作电压为400 V时, 对应漏电流为0.4 pA.测试表明涂硼电离室中子信号电流与辐照源的相对位置有关, 将Am-Be中子源置于距石蜡慢化体底部8 cm时,测得中子信号电流最大值为2.0 pA. 用¹³⁷Cs和⁹⁰Sr辐照时测得涂硼电离室γ射线信号电流为 1.0---2.0 pA,但在γ射线场中坪特性不如中子场中坪特性明显. 电离室中子探测灵敏度达1.0×10^-15 Acm²s量级, γ射线探测灵敏度达9.0× 10^-22 Acm²s·eV^-1量级. 这种涂硼电离室漏电流小、灵 敏度高、坪特性好,可用于反应堆周围的中子/γ射线混合场测量.     

理想Ⅱ类超导体在Hc1相变曲线上的体积效应

本文以理想Ⅱ类超导磁化曲线方程为基础,应用典型热力学方法对理想Ⅱ类超导体在Hc1相变曲线上的体积效应进行讨论。经过热力学唯象理讨论,揭示了理想Ⅱ类超导体在Hc1相变曲线上的相变体积效应的二级相变特性。     

1m×1m漂移室特性在线测量

本文给出了用宇宙线在线测量漂移室性能的实验结果. 获得时间分辨率4.26ns, 空间分辨率132μm, 效率96%以上. 漂移室在线实验系统由五个1m×1m×0.09m可调电场漂移室, 闪烁计数器触发系统, 漂移室读出电子学系统, 以及TRS-80微型计算机四部分构成. 数据的实时采集, 分析处理等均由微型计算机在线或离线完成.     

网络拓扑学与关系式p= m n-1的证明

拓扑学是近代数学的一个重要分支。在物理学中也有广泛的应用.从某种意义上说,拓扑学可以通俗地称为“橡皮膜上的几何学”, 普通几何学认为很重要的角度、长度、面积……等概念,在拓扑学里并无地位.拓扑学 只关心图形在连续变形(如拉伸、压缩、弯 折)下保持不变的那些性质.在橡皮膜上画一 条直线。如果使膜连续变形,这条直线将变成 各种形状的(非闭合)曲线,但从拓扑学的角 度看来,_这些曲线与原来的直线是“相同”的. 应该注意。连续变形不包括剪断与粘合,因此一 条不闭合曲线与一条闭合曲线是拓扑不同的.初看起来,这样一门对角度、长度等等…     

XH-1装置电爆炸断路开关阻抗特性分析

 介绍了XH-1装置电爆炸断路开关的结构特征,给出典型的实验结果,对开关阻抗特性进行了初步分析,讨论了开关阻抗变换过程的物理机理,由实验数据得到了开关阻抗随时间变化曲线以及电阻倍增比R/R₀与比内能e的关系曲线。     

La_(1-x)Sr_xMnO_3/TiO_2(x=0.2,0.15,0.04)异质pn结的整流特性

采用磁控溅射法制备的La1-xSrxMnO3(LSMO)/TiO2异质pn结表现出很好的整流特性.室温电流电压特性曲线显示随着Sr掺杂的增加,扩散电压增大,这可能由于Sr掺杂的增加导致载流子浓度增大所致.电流电压变温特性曲线显示随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于随着测量温度的变化导致界面电子结构的变化所致.值得提出的,异质pn结电阻随温度变化曲线表现出单层LSMO的金属绝缘相变特性,并且在低测量温度时表现出随着测量温度的降低结电阻增大,这可能是由于宽带隙的TiO2的引入导致.     

HL—1装置密度极限破裂分析

HL-1装置上观测到大量的密度极限破裂放电。其主要特性是破裂前偏离几何中心的磁面位移很小,中心区总是观测到锯齿现象,破裂后,其电流中断时间大于20ms。本文详细分析了出现在电流上升段,坪段及下降段密度极限破裂的特征。其中一类是由于辐射功率超过加热功率所确定的村上极限,没有观测到先兆振荡;另一类是由于约束变坏所确定的赫吉尔极限,可观测到驰豫几毫秒的先兆振荡,这类放电破裂后多数能恢复。该装置运行的最大村上参数是0.35×10~(20)m~(-2).T~(-1)。     

1m×1m多丝正比室的结构和性能

本文描述一个1m×1m多丝正比室,其阳极和阴极平面总丝数为2500根;详细介绍了室的结构、制作工艺及性能.     

硅微条探测器的辐射损伤试验

测量了硅微条探测器在辐照前后的坪曲线、脉冲高度与偏置电压的关系，及辐照后的总漏电流和黑洞的大小.     

感光板乳剂特性的计算

制作感光板乳剂特性曲线,是光谱定量分析数据处理的一项基本工作。在光谱定量分析技术的发展中,建立了多种手工作图方法制作乳剂特性曲线;有一些工作者进行了数值变换方法的尝试,企图获得直线性良好的乳剂特性曲线。以前在这方面的工作大部分都是基于手工作图方法。电子计算机的普及应用使得用电子计算机代替人工处理乳剂特性曲线成为可能。复杂的曲线拟合问题用计算机可以很快完成。本文介绍的乳剂特性曲线计算方法以初步曲线法为基础。采用初步曲线法的原因是: 1.可以利用较少的观测值获得高精度的乳剂特性曲线。 2.计算规律性强,适于上机计算。     

3～5μm宽带超低色散平坦硫系光子晶体光纤

利用硫系光子晶体光纤色散可控特性,设计了一种宽带超低色散平坦硫系光子晶体光纤,采用多极法研究了孔间距和占空比等参量对色散曲线的影响.通过优化包层中不同层数空气孔的直径,获得内两层气孔半径为0.7μm,外两层气孔半径为0.8μm和孔间距为5μm的光子晶体光纤结构.模拟结果显示,该光纤在3~5μm波段可实现宽带色散平坦,且色散绝对值低于3.8ps·nm-1·km-1.     

北京谱仪中的μ计数器

描述了北京谱仪中μ子鉴别器的总体性能和安排,报道了μ计数器的气体放大特性、计数率坪特性、漂移时间、探测效率、电荷分配定位精度等一系列性能的测量结果.     

混频1/2+m腔微波电子枪束流动力学特性

为了使自由电子激光器的电子束注入器具有小的能散,小的横向发射度、高的亮度,本文提出在1/2+m腔的微波电子枪中采用混频腔技术,并用解析方法研究了混频加速的1/2+m腔方案的动力学特性,所导出的表达式说明此方案能改善束流的纵向和横向粒子动力学性能;为了对比,还借助于PARMELA程序对此方案进行了束流动力学模拟,结论与导出的解析表达式结果一致.     

钠分子1Πg里德堡态光谱研究

通过光学-光学双共振(OODR)光谱方法,研究了钠分子六个高激发1Πg态,对它们进行了振动和转动归属,获得了分子常数和势能曲线.根据里德堡轨道的nlλ特性,将1～101Πg态划分为实贯穿里德堡态和实非贯穿里z德堡态.     

北京谱仪μ管组合模型在线实验

本文给出了北京谱仪μ子鉴别器八管组合单元和电子学系统在线联调的实验结果.主要指标为:计数率坪长约250V,电荷分配标准偏差<3cm,气体放大特性和电荷分配比的线性良好,电子学系统台阶漂移为±1道.     

北京谱仪μ管组合模型在线实验

本文给出了北京谱仪μ子鉴别器八管组合单元和电子学系统在线联调的实验结果.主要指标为:计数率坪长约250V,电荷分配标准偏差<3cm,气体放大特性和电荷分配比的线性良好,电子学系统台阶漂移为±1道.     

1 μm波段高功率超辐射发光二极管

为提高1μm波段超辐射发光二极管的输出特性,对外延结构及J型波导结构参数进行研究,基于研究结果确定外延结构及波导结构参数并对电极窗口制备工艺及单层氧化铪薄膜成膜条件进行了优化。研究表明,缩小波导与限制层AlGaAs材料中Al组分差值利于改善器件光束特性。此外,增加刻蚀深度、脊宽及曲率半径均会使损耗系数减小以提高器件输出功率。基于仿真结果制备出非均匀阱宽大阱深的三量子阱结构器件,前腔面镀制反射率约为0.5%的单层氧化铪薄膜,后腔面蒸镀高反膜,腔长约2 mm,波导曲率半径为21.8mm,在500 mA连续电流注入下,实现了118.1 mW输出功率和32.5 nm光谱半宽。单层增透膜的设计抑制了器件激射并简化了工艺复杂度,避免了多层增透膜不同材料间的应力问题。     

利用Origin8.0作图分析PN结相关特性

利用Origin 8.0作出不同温度下PN结伏安特性曲线,通过曲线对PN结温度特性、伏安特性和死区电压进行分析,并得出结论:(1)若正向电流不变,则正向电压随着温度上升而线性下降;(2)随着温度的上升,PN结的伏安特性曲线向左移;(3)若正向电压不变,则正向电流随温度上升而急剧上升;(4)随着温度升高,PN结死区电压减小。     

HL—1装置新极向场线圈及其对伏秒数特性的改善

本文描述HL-1装置新极场线圈的设计研制、特点、磁场和铁芯磁化曲线。叙述了各种欧姆安匝分布的伏秒数特性、优化选择以及新线圈对提高等离子体参数的明显作用。     

La1－xSrxMnO3/TiO2 (x=0.2, 0.15, 0.04)异质pn结的整流特性

采用磁控溅射法制备的La_1-xSr_xMnO₃ (LSMO)/TiO₂异质pn结表现出很好的整流特性.室温电流电压特性曲线显示随着Sr掺杂的增加，扩散电压增大，这可能由于Sr掺杂的增加导致载流子浓度增大所致.电流电压变温特性曲线显示随着测量温度的降低，扩散电压增大，这可能由于随着测量温度的变化导致界面电子结构的变化所致.值得提出的，异质pn结电阻随温度变化曲线表现出单层LSMO的金属绝缘相变特性，并且在低测量温度时表现出随着测量温度的降低结电阻增大，这可能是由于宽带隙的TiO₂的引入导致. 关键词： 异质结 整流特性 庞磁阻