金属基上以YSZ为过渡层的YBCO薄膜的微观结构

采用透射电子显微术（ＴＥＭ），研究了用磁控溅射技术在柔性金属基体上制备的、钇稳定的ＺｒＯ２（ＹＳＺ）为过镀层的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ（ＹＢＣＯ）薄膜的横断面结构。所得ＹＢＣＯ膜的超导临界转变温度Ｔｃ为９１Ｋ，临界电流密度Ｊｃ＝２×１０３Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ，０Ｔ）。基体为Ｎｉ基合金（ＨａｓｔｅｌｏｙＣ）。ＹＳＺ层为致密、均匀的细晶组织，约１２μｍ厚，具有织构取向，并与基体紧密连接。ＹＢＣＯ层的厚度不均匀，约５００ｎｍ；ＹＢＣＯ／ＹＳＺ界面有时连接较差，在该界面上有杂质出现，杂质有可能引发裂纹。     

Ho替代Y的YBCO外延薄膜制备及超导电性

利用直流磁控溅射技术制备了Ｈｏ替代的ＹＢＣＯ超导薄膜，Ｘ射线技术（θ－２θ扫描：θ－θ扫描及—扫描）、ＳＥＭ和电子通道花样（ＥＣＰ）测试表明，所制备的掺杂薄膜具有高平面内外延性和平面外外延性。发现掺杂薄膜的临界电流密度Ｊｃ比ＹＢＣＯ薄膜的有不同程度的提高，掺杂量ｘ＝０４时有最大值。     

Y2BaCuO5相含量对大尺寸YBCO织构样品磁性的影响

用ＰＭＰ（粉末熔化法）方法制备出大尺寸织构ＹＢＣＤ样品，名义成分为磁测量结果表明，当ｘ＝１５时．在７７Ｋ下达到较好水平；通过观察样品的组织形貌说明颗粒细小及分布均匀的Ｙ２ｌｌ相能起到较好的钉扎作用。     

ICP—AES用于铋系超导体块材及薄膜的组分分析

本文研究了一个简便，快速的用ＩＣＰ－ＡＥＳＢｉ（Ｐｂ）ＳｒＣａＣｕＰｂＯ，Ｂｉ（Ｐｂ，Ｓｂ）Ｓｒ－ＣａＣｕＯ，Ｂｉ（Ｐｂ，Ｙ）ＳｒＣａＣｕＯ超导体块材及薄膜中Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｙ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕ含量的方法。样品溶解在５０％ＨＣｌ及５０％ＨＮＯ３的混合酸中，直接引入等离子体光谱中进行测定。对共存元素的相互干扰及基片成分的干扰进行了研究。分析了大量样品，给出了各组分的挥发情况及Ｐｂ的挥发量与烧结温度     

关于Bi系高T_c超导体的阳离子掺杂研究（Ⅰ）──Al－Pb，Mg－Pb和Mn－Pb二元掺杂后超导体的超导电性和结构

讨论了Ａｌ－Ｐｂ，Ｍｇ－Ｐｂ和Ｍｎ－Ｐｂ等二元阳离子掺杂对Ｂｉ系高Ｔ_ｃ超导相出现时间的影响。试验中发现，前人较少讨论的Ｍｇ~（３＋）或Ａｌ~（３＋）离子在高Ｔ_ｃ相形成时，进入到高Ｔ_ｃ超导体晶格的特定位置，它们在高Ｔ_ｃ超导相中起着各自不同的作用机制，从而影响了高Ｔ_ｃ超导相的结构和超导电性。结果表明，Ｍｇ－Ｐｂ，Ａｌ－Ｐｂ和Ｍｎ－Ｐｂ等二元阳离子的掺杂是加快高Ｔ_ｃ超导相形成和提高Ｂｉ系高Ｔ_ｃ超导相超导电性的有效途径，它们的掺杂有利于Ｂｉ系高Ｔ_ｃ相的形成。     

YBCO双外延结的X射线Φ扫描分析

用射频磁控溅射法在（１００）ＳｒＴｉｏ３单晶衬底上外延生长ＭｇＯ导引层，光刻刻蚀去一半后沉积生长ＣｅＯ２外延膜，再直流溅射外延生长ＹＢＣＯ超导膜，得到了４５°转向结。用Ｘ射线θ－２θ扫描和φ扫描研究了各外延膜的结构和取向。     

YBCO／CeO2／Si多层膜超导材料的分析电镜研究

在具有ＣｅＯ２隔离层的Ｓｉ基片上获得了较高质量的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＹＢＣＯ）高温超导薄膜。在零磁场下，７７Ｋ时其临界电流密度达到１×１０６Ａ／ｃｍ２。研究发现，ＹＢＣＯ的（００１）面平行于Ｓｉ基片的（１００）面，而ＣｅＯ２过渡层由许多约４０ｎｍ×１００ｎｍ的细小ＣｅＯ２晶粒组成，其取向呈散乱分布。尽管ＣｅＯ２和Ｓｉ之间的晶格错配很小（约０．４％），ＣｅＯ２却不能在Ｓｉ上外延生长，而ＹＢＣＯ却能在取向凌乱的ＣｅＯ２上形成［００１］择优取向。ＣｅＯ２和Ｓｉ的界面处有一层极薄的过度层。ＹＢＣＯ和ＣｅＯ２界面存在Ｙ２ＢａＣｕＯ５（２１１相）。在ＹＢＣＯ薄膜中观察到有与１２３相混生的２４８相。     

（C_5H_7S_2）_3〔Bi_2Cl_9〕的合成和晶体结构

标题化合物由ＢｉＣｌ３和乙酰丙酮在ＨＣＩ（气）／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶剂中通入Ｈ２Ｓ气体反应而得。晶体属四方晶系，Ｍｒ＝１１３０．７６，空间群Ｐ４１２１２。晶胞参数ａ＝ｂ＝８．８６７（２），ｃ＝４１．５１１（４）Ａ；Ｖ＝３２６４（１）Ａ３，Ｚ＝４，Ｄｃ＝２．３０ｇｃｍ（－３），μ（ＭｏＫα）＝１１８．６０７ｃｍ（－１），Ｆ（０００）＝２１０４．晶体结构由重原子法求得。最终偏离因子Ｒ＝０．０７２。晶体由分立的（Ｃ５Ｈ７Ｓ２）＋阳离子和［Ｂｉ２Ｃｌ９］３－阴离子组成。每个Ｂｉ原子和６个Ｃｌ原子形成畸变的八面体配位。２个［ＢｉＣｌ６］八面体共面构成具有２次轴对称的［Ｂｉ２Ｃｌ９］（３－）配阴离子。还讨论了阳离子种类对Ｂｉ配阴离子结构类型的影响。     

Zr（Y）O2衬底上大面积YBCO薄膜表面组织状态的研究

使用配备有ＥＤＳ和ＥＣＰ附件的ＳＥＭ、ＡＥＭ、和ＳＴＭ研究在７５０和８００℃的Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２衬底上磁控溅射沉积的大面积ＹＢＣＯ超导薄膜的表面组织。ＹＢＣＯ薄膜为ｃ轴取向单晶，但衬底温度为８００℃时，膜表面的突出组织多为ＣｕＯ颗粒，小坑较多，表面粗糙；衬底温度为７５０℃时，突出组织多为棒状和多边形１２３结构，很少小坑，表面较平整。     

Synthesis and Crystal Structure of Bis［Bis（Cyclopentylcyclopentadienyl）Methyl－Erbium］［（C_5H_9C_5H）_4）_2ErCH_3］_2

ＳｙｎｔｈｅｓｉｓａｎｄＣｒｙｓｔａｌＳｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆ　Ｂｉｓ［Ｂｉｓ（Ｃｙｃｌｏｐｅｎｔｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ）Ｍｅｔｈｙｌ－Ｅｒｂｉｕｍ］［（Ｃ_５Ｈ_９Ｃ_５Ｈ）_４）_２ＥｒＣＨ_３］_２ＪｉｎＪｉ－Ｚｈｕ；ＺｈｕａｎｇＸｉｕ－...     

含手性膦配体2-MBPA铂(Ⅱ)配合物的2DNMR

利用一维和二维ＮＭＲ技术,对含有手性膦配体的铂配合物ｃｉｓ－〔Ｐｔ（２－ＭＢＰＡＨ）２Ｃｌ２〕（１）,ｔｒａｎｓ－〔Ｐｔ（２－ＭＢＰＡＨ）２Ｃｌ２〕（２）,ｃｉｓ－〔Ｐｔ（２－ＭＢＰＡ）２〕（３）和ｃｉｓ－〔Ｐｔ（２－ＭＢＰＡ）（２－ＭＢＰＡＨ）Ｃｌ〕（４）进行１Ｈ和１３ＣＮＭＲ谱分析,区分了化合物（３）和（４）,归属了糖苷部分的１Ｈ和１３ＣＮＭＲ谱线,并根据磷和铂及磷与磷的偶合常数确定化合物（３）和（４）是顺式构型     

三羰基环戊二烯基钼负离子与1,3—二卤丙烷的反应

三羰基环戊二烯基钼负离子与１，３－二卤丙烷在一缩二乙二醇二甲醚介质中反应，生成环卡宾配合物ＣｐＭｏＸ（ＣＯ２）ＣＯ（ＣＨ２）２ＣＨ２（Ｘ＝Ｂｒ．Ｉ）硅桥连双环戊二烯基三羰基钼负离子与１，３－二卤丙烷顺利地进行类似反应，生成相应的硅桥连双（环卡宾钼配合物）－Ｅ（Ｃ５Ｈ１ＭｏＸ（ＣＯ）２ＣＯ（ＣＨ２）２ＣＨ２）２（Ｅ＝Ｍｅ２Ｓｉ，Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２，Ｍｅ２ＳｉＯＳｉＭｅ２），化合物硅氧硅桥联二茂二钼     

溶液－溶胶－凝胶（SSG）法制备高均匀性Bi系超导体原始粉末的SSG转变判据

溶液－溶胶－凝胶（ＳＳＧ）法制备高均匀性Ｂｉ系超导体原始粉末的ＳＳＧ转变判据毛传斌，周廉，杜泽华，吴晓祖（西北有色金属研究院超导材料研究所，宝鸡７２１０１４）１引言溶胶－凝胶法是指金属有机或无机化合物经过溶液、溶胶、凝胶而固化，再经热处理而成氧化物或...     

纳米晶（CeO2）1—x（BiO1.5）x固溶体的水热合成与离子输运性 …

在２４０℃水热体系中首次合成出系列纳米晶固溶体（ＣｅＯ２）１－ｘ（ＢｉＯ１．５）ｘ（ｘ＝０．０￣０．５０）。产物采用Ｘ射线衍射,扫描电子显微镜和Ｘ射线光电子能谱仪进行表征。Ｂｉ２Ｏ３在ＣｅＯ２中的固溶限约为５０％。所有固溶体结晶属立方萤石结构,粒度范围为１０￣１８ｎｍ。当Ｂｉ２Ｏ３掺杂量小于固溶限时,于８００℃烧结不会导致结构转变。而对于（ＣｅＯ２）０．５（ＢｉＯ１．５）０．５,于８００℃在空气中     

Synthesis and Crystal Structure of （Et4N）2[Pd2（mp）2（mpH）2]

ＳｙｎｔｈｅｓｉｓａｎｄＣｒｙｓｔａｌＳｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆ（Ｅｔ_４Ｎ）_２［Ｐｄ_２（ｍｐ）_２（ｍｐＨ）_２］ＳｈｉＪｉ－Ｃｈｅｎｇ；ＨｕａｎｇＸｉａｏ－Ｙｉｎｇ；ＷｅｎＴｉｎｇ－Ｂｉｎ；ＤｅｎｇＹｕ－Ｈｅｎｇ；ＣｈｅｎｇＣｈａｎｇ－Ｎｅｎｇ；Ｌｉ?..     

大尺寸熔融织构YBCO超导体的制备及磁浮性能

采用熔融织构生长工艺结合籽晶技术制备出大尺寸ＹＢＣＯ超导块格。微观结构观察表明，其结晶取向在一定程度上得了控制，而且晶畴尺寸比较大，测量了样品的磁浮性能，得到了超导样品和永久磁铁之间的作用力与距离的关系曲线。     

Synthesis and X－ray Structure of a Binuclear Nickel（Ⅱ） Complex of Nickel（Ⅱ） Perchlorate and 2，2＇－Bipyridyl with N，N＇－Bis（2－aminoethyl）oxamido Nickel（Ⅱ）

ＳｙｎｔｈｅｓｉｓａｎｄＸ－ｒａｙＳｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆａＢｉｎｕｃｌｅａｒＮｉｃｋｅｌ（Ⅱ）ＣｏｍｐｌｅｘｏｆＮｉｃｋｅｌ（Ⅱ）Ｐｅｒｃｈｌｏｒａｔｅａｎｄ２,２＇－ＢｉｐｙｒｉｄｙｌｗｉｔｈＮ,Ｎ＇－Ｂｉｓ（２－ａｍｉｎｏｅｔｈｙｌ）ｏｘａｍｉｄ...     

溶胶－凝胶法合成（Mg，Ca）O－SiO_2∶Eu~（3＋），Bi~（3＋）发

以Ｍｇ（ＮＯ３）２、Ｃａ（ＮＯ３）２、Ｅｕ（ＮＯ３）３、Ｂｉ（ＮＯ３）３、ＬｉＮＯ３和Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４为反应物，采用溶胶－凝胶法，在比较低的温度下，首次合成０．７０１ｍｏＩＭｇＯ－０．１７５ｍｏｌＣａＯ－１．２５ｍｏＩＳｉＯ２∶０．０６ｍｏｌＥｕ（３＋），０．００２ｍｏＩＢｉ（３＋）（加入Ｌｉ＋作为电荷补偿剂）发光体。得到了最佳合成条件。研究了由溶胶向凝胶转变和凝胶向发光晶体的转变过程。探讨了发光体在不同激发波长激发下的发光特性以及在激活剂、敏化剂不同掺杂量下的发光行为。讨论了在（Ｍｇ（ａ）Ｏ－ＳｉＯ２基质中Ｂｉ（３＋）对Ｅｕ（３＋）的能量传递和敏化作用。     

Magnetic Properties of Phenoxy－Bridged Binuclear Iron－Thiolato Complexes and Structure of （Et_4N）_2［Fe_2（o－OC_6H_4S）_2（o－OC_6H_4SH）_2］

ＭａｇｎｅｔｉｃＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＰｈｅｎｏｘｙ－ＢｒｉｄｇｅｄＢｉｎｕｃｌｅａｒＩｒｏｎ－ＴｈｉｏｌａｔｏＣｏｍｐｌｅｘｅｓａｎｄＳｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆ（Ｅｔ_４Ｎ）_２［Ｆｅ_２（ｏ－ＯＣ_６Ｈ_４Ｓ）_２（ｏ－ＯＣ_６Ｈ_４ＳＨ）_２］ＸＩＥＸｉ?..     

溶胶—凝胶合成（Mg,Ca）O—SiO2：Eu^3＋,Bi^3＋发光体及其发光行为

以Ｍｇ（ＮＯ３）２，Ｃａ（ＮＯ３）２，Ｅｕ（ＮＯ３）３，Ｂｉ（ＮＯ３）３和Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４为反应物，采用溶胶－凝胶法，在比较低的温度，首次合成０．７０１ｍｏｌＭｇＯ－０．１７５ｍｏｌＣａＯ－１．２５ｍｏｌＳｉＯ２：０．０６ｍｏｌＥｕ＾３＋，０．００２ｍｏｌＢｉ＾３＋（加入Ｌｉ＾＋作为电荷补偿剂）发光体，得到了最佳合成条件，研究了由溶胶向凝胶转变和凝胶向发光晶体的转变过程，探讨了发光体在不同激光