钙原子4p_(1/2,3/2)ng(J=3)自电离Rydberg光谱的研究

利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明当基底温度从200K变化到260K时,岛的形貌经历了一个从分散生长逐渐过渡到分形生长的过程,并且在较低温度(200K)下,随入射粒子剩余能量的增加,岛的形貌也经历了同样的变化过程.进一步研究证明,随着基底温度的升高或入射粒子剩余能量的增加,沉积粒子的扩散能力显著增强,从而使岛的形貌发生了改变.     

Pr_(0.75)Na_(0.25)Mn_(1-x)Fe_xO_3的制备及磁学和输运性质研究

采用溶胶凝胶法通过较低温度、较短的烧结时间制备了单相的多晶钙钛矿Pr0.75Na0.25Mn1-xFexO3(0≤x≤0.3),避免了Na元素的挥发及锰氧化物的析出,使Pr1-xNaxMnO3中Na的最大掺入量由文献报道的0.19提高到0.25,样品单相性得到大幅度提高.系列样品的磁化强度、电阻率随温度的变化关系表明2%的Fe掺杂便能大大减弱低温电荷有序;在x≤0.05时系列样品磁化强度随Fe含量的增加而增加,电阻率随Fe含量的增加而下降,然后二者随Fe含量进一步增加均朝相反的趋势变化.用几何效应(Fe3+的几何尺寸大小)和电子结构的影响两个方面的竞争解释这种现象.     

模耦合理论计算纳米粒子在聚合物熔体中的含时扩散系数与常规扩散常数 (cited: 2)

分析和计算了纳米粒子在聚合物熔体中的含时扩散系数与常规扩散常数. 采用广义朗之万方程描述扩散动力学,并通过模耦合理论计算摩擦记忆内核.为简单起见,只考虑了来自两体碰撞和溶剂密度涨落耦合作用两类微观因素对摩擦记忆内核的贡献. 采用聚合物参考作用点模型以及Percus-Yevick闭合条件计算了聚合物-纳米粒子复合溶液的平衡态结构信息函数;详尽分析了纳米粒子的尺寸与聚合物链的尺寸对扩散动力学的影响. 揭示了结构函数、摩擦记忆内核以及扩散系数等随着纳米粒子半径和聚合物链长的变化关系. 结果表明,对于小尺寸的纳米粒子或者短链的聚合物,短时间的非马尔可夫扩散 动力学特征比较显著,含时扩散系数需要更长的时间弛豫到常规扩散常数. 微观因素对扩散常数的贡献随着纳米粒子尺寸的增加而减小,却随着聚合物链长的增加而增大. 此外,模耦合理论得到的扩散常数与Stokes-Einstein关系的预测值进行比较,发现对于小尺寸的纳米粒子或者长链的聚合物,微观因素对扩散常数的的贡献占主导地位. 相反,当纳米粒子较大或者聚合物链长较短时,流体力学的贡献会发挥重要作用.     

在NaCl和HTAB共存条件下甲基纤维素溶液凝胶化行为

利用流变仪研究了甲基纤维素(MC)溶液在NaCl、十六烷基三甲基溴化铵(HTAB)以及两者共存下MC溶液的凝胶化行为,发现其凝胶化温度随着NaCl浓度的增加而下降,随着HTAB浓度的增加而上升;但是MC/NaCl的凝胶化温度保持不变,与HTAB浓度 无关,而MC/HTAB溶液的凝胶化温度则随着NaCl浓度的增加而下降．以上的实验结果表明,在NaCl存在下,HTAB将被诱导形成胶束,因此MC/NaCl的凝胶化温度保持不变;反之,当NaCl不存在时,HTAB将优先吸附到MC上而不会在溶液中形成胶束,尽管其浓度     

(Nd_(1-x)Er_x)_2Co_(15.5)V_(1.5)的结构转变与磁性

利用电弧熔炼制备了 (Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5(x=0— 1 0 )化合物样品 .通过x射线衍射分析和磁性测量研究了Er替代Nd2 Co1 5 5V1 5中的Nd时对化合物结构和磁性的影响 .研究结果表明 ,低Er含量 (x <0 4 ) ,化合物为Th2 Zn1 7型结构 ;高Er含量时 (x >0 5 ) ,化合物转变为Th2 Ni1 7结构 ;Er含量为x =0 4和 0 5时 ,两种结构共存 .两种结构的晶胞参数a ,c和晶胞体积V随着Er含量的增加都呈现递减的趋势 .随着Er含量的增加 ,(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的居里温度和饱和磁化强度都单调下降 .(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的室温各向异性由低Er含量时的易锥型转变为高Er含量时的易轴型 .x =0— 0 5的化合物在温度升高时发生自旋重取向转变 ,自旋重取向温度Tsr随Er含量的增加而减小     

水热合成NaGdF_4∶Yb~(3+),Er~(3+)及Na(Y,Gd)F_4∶Yb~(3+),Er~(3+)的尺寸控制及发光性能研究

采用水热法制备NaGdF4∶Yb3+,Er3+及Na(Y,Gd)F4∶Yb3+,Er3+,通过改变温度、时间、pH、柠檬酸三钠浓度比、氟源浓度比及掺杂Y3+浓度来调节颗粒的尺寸及研究其对发光强度的影响。通过XRD、FE-SEM、PL测试对样品进行表征分析。当溶液呈强酸性时,形成的是纯GdF3相;pH提高后,GdF3转变为β-NaGdF4相。柠檬酸三钠含量的增加会抑制颗粒尺寸的生长从而降低发光强度。氟源含量的增加会使颗粒沿(001)面生长,发光强度也增大。而随着掺杂Y3+含量的增加,颗粒尺寸增大,发光强度呈现先下降后升高的趋势。     

Preparation and Unimolecular-Micellization Behavior of Homopolymer of Surface-Active Monomer AMC14AB

采用水溶液均聚合方法,制备了阳离子型表面活性单体(2-丙烯酰胺基)乙基十四烷基二甲基溴化铵(AMC14AB)的均聚物,使用荧光探针法、表面张力测定及电导测定法,重点考察了均聚物P(AMC14AB)在水溶液中的胶束化行为与表面吸附现象. 在水溶液中,均聚物P(AMC14AB)呈现单分子链胶束的聚集形态,具有零临界胶束浓度,从开始加入P(AMC14AB)起,水溶液中随即产生单分子链胶束,不存在Krafft温度. P(AMC14AB)在溶液表面也发生表面吸附,使水的表面张力下降,即P(AMC14AB)也具有表面活性;随着浓度增大,表面吸附量增大,水的表面张力持续下降;当表面吸附达饱和时,表面张力～浓度曲线上出现突变点,该点定义为饱和的表面吸附浓度,而不应该再称为临界胶束浓度. P(AMC14AB)单分子链胶束溶液对疏水有机物(甲苯)的增溶情况,明显不同于普通小分子表面活性剂十六烷基溴化铵(CTAB)的多分子胶束溶液,甲苯增溶量～P(AMC14AB)浓度的关系曲线上无突变点,而且对甲苯的增溶能力高于CTAB的多分子胶束溶液.     

超薄膜生长的Monte Carlo模拟研究

利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明当基底温度从200K变化到260K时,岛的形貌经历了一个从分散生长逐渐过渡到分形生长的过程,并且在较低温度(200K)下,随入射粒子剩余能量的增加,岛的形貌也经历了同样的变化过程.进一步研究证明,随着基底温度的升高或入射粒子剩余能量的增加,沉积粒子的扩散能力显著增强,从而使岛的形貌发生了改变.     

Ni-Mn杂化对Mn_(50)Ni_(41-x)Sn_9Cu_x合金中马氏体相变温度和马氏体相磁性的影响

研究了Ni-Mn杂化对Mn_(50)Ni_(41-x)Sn_9Cu_x合金马氏体相变温度和马氏体相磁性的影响.研究表明:在Mn_(50)Ni_(41-x)Sn_9Cu_x(x=0,1,3,5)合金中,随着Cu含量增加,马氏体相变温度和居里温度均降低;自发交换偏置场也随着Cu含量的增加从1182 Oe(1 Oe=79.5775 A/m)降低到0 Oe.马氏体相变温度和马氏体相磁性的变化归因于掺杂Cu削弱了体系中Ni 3d eg与Mn 3d之间的杂化.     

宽带隙半导体TiO2纳米溶胶原位变温的X射线小角散射研究

对宽带隙半导体TiO₂纳米粒子水溶液,开展了原位变温SAXS研究.采用Shull-Roess方法,我们确定了TiO₂纳米粒子在水溶液中的回转半径的尺寸分布,M(R_g).结果表明,在常温25°C下,M(R_g)的极大峰位于2.3nm,对应于2.9nm的球形粒子直径,在80°C时增加到3.2nm,对应于8.2nm的球形粒子直径.这些结果有利于理解染料敏化TiO₂纳米太阳能电池的光-电子特性及其转换效率随温度的变化规律.     

56Fe13+离子引起GaP晶体的微结构损伤

利用X射线衍射（XRD）技术、傅里叶变换红外光谱（FTIR）和Raman光谱对经不同剂量的56Fe13+离子辐照的GaP晶体的微结构进行了表征。结果表明:随着辐照离子剂量的增加,GaP晶体中产生了局部的无序与缺陷。随着56Fe13+离子剂量的增加,Raman光谱展示出振动峰强度逐渐减弱而且一些逐渐消失,但其峰位几乎没有发生变化;XRD显示出GaP晶体的衍射峰的强度逐渐减小;FTIR主要表现为宽化及其强度增加。这表明重离子56Fe13+的辐照使得GaP晶体中的缺陷与无序性增加,导致晶体产生了局部的非晶化。The Misconstructural damage of GaP irradiated with 56Fe13+ to fluences ranging from 1×107 ions/cm2~1×1010 ions/cm2 were analyzed by X-ray diffraction (XRD) techniques, Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and Raman spectroscopy. The result shows that, with the increase of irradiation ion fluences, local disorder and defects were produced in GaP crystal. With the increase of ion fluence, Raman spectra reveal the intensity of scattering peaks gradually weakens and some scattering peaks gradually disappear, however no changes in the peak position were found. XRD measurement displays that the intensity of diffraction peaks gradually decreases with an increase in ions fluences. Result from FTIR spectra exhibits that the intensity of reflection peaks gradually increases and the FWHM of reflection peaks broadens. These phenomena indicate that, the irradiation of heavy-ion Fe produces defects and disorder in GaP crystal, leading to a local amorphization.     

NH4H2PO4和ND4D2PO4晶体微结构的拉曼光谱研究

本文利用偏振拉曼光谱和第一性原理, 对磷酸二氢铵(NH₄H₂PO₄, ADP)和不同氘含量磷酸二氢铵DADP晶体的晶格振动模式进行了研究. 实验测得了不同几何配置、200–4000 cm^-1范围的偏振拉曼光谱, 分析在不同氘含量条件下921 cm^-1和3000 cm^-1附近拉曼峰的变化. 在ADP晶体中, 基于基本结构单元NH₄⁺ 和H₂PO₄^-基团的振动模, 用第一性原理进行了数值模拟, 进一步明确拉曼峰与晶体中原子振动的对应关系; 通过洛伦兹拟合不同氘含量DADP晶体的拉曼光谱中2000–2600 cm^-1处各峰的变化讨论了DADP 晶体的氘化过程, 结果表明氘化顺序是先NH₄⁺ 基团后H₂PO₄^-基团, 研究结果为今后此类材料的生长和性能优化奠定了基础.     

(Lu,Y)2SiO5∶Ce3+与SrSO4∶Dy3+材料低温热释光及其测试仪器的研究

为了分析材料在低温下的陷阱能级,获得更多有关缺陷结构的信息,研制了一套由STM32微控制器为核心的低温热释光发光谱测量系统。设计了低温样品室,采用液氮冷却样品;STM32通过控制加热电流,实现样品以恒定速率升温,从而获得低温热释光发光曲线或三维热释光谱。温度测量范围为85~400 K,升温速率范围为0.1~10 K/s。设计了由STM32控制X射线及紫外光源的驱动电路,用于样品的激发。采用高灵敏度CCD实现对三维热释光谱的测量,采用单光子计数器获取二维热释光发光曲线。利用该系统测试了（Lu,Y）₂SiO₅:Ce³⁺（LYSO:Ce³⁺）单晶闪烁体与SrSO₄:Dy³⁺粉末样品的热释光谱及辐射发光光谱。观察到LYSO:Ce³⁺在108,200,380 K左右的热释光峰,发光波长位于390~450 nm之间,是明显的宽带峰。在低温下由于基质的自陷激子（STE）发射所形成的发射峰在166 K时发生猝灭。在309 K时,Ce³⁺发射峰展宽为单一发射峰;SrSO₄:Dy³⁺发光峰温度为178,385 K,发光波长由Dy³⁺离子的能级跃迁决定,在480,575,660,750 nm处呈现窄带发光峰。结果表明,系统人机交互界面友好,实验数据可靠,智能化程度高,操作简单。     

用于白光LED的高亮度蓝白色荧光粉Ca2SiO3Cl2：Eu2+的发光性质

采用固相法在较低温度下合成了Eu²⁺激活的Ca₂SiO₃Cl₂高亮度蓝白色发光材料,并对其发光性质进行了研究。其发射光谱由两个谱带组成,峰值分别位于420,498nm处,归结为Ca₂SiO₃Cl₂晶体中占据两种不同Ca²⁺格位的Eu²⁺离子的5d→4f跃迁发射。改变Eu²⁺浓度,可以使样品的发光在蓝白色和绿白色之间变化。当Eu²⁺浓度为0.005mol^-1时,样品呈现很亮的蓝白色发光。两个发射峰的激发光谱均分布在250~410nm的波长范围内,峰值分别位于333,369nm处。Ca₂SiO₃Cl₂:Eu²⁺可被InGaN管芯产生的近紫外辐射有效激发,是一种性能良好的白光LED用单一基质蓝白色荧光粉。     

Raman scattering and optical absorption in S2N2 and partially polymerized S2N2 films

Raman scattering and optical absorption measurements between 0.5 and 5.0 eV on crystalline films of S₂N₂ and partly polymerized S₂N₂ have been made for the first time. The Raman active molecular and librational phonons have been observed and assigned. The Raman spectra of partly polymerized S₂N₂ show the appearance of weak scattering at 635 cm⁻¹ and appreciable broadening of the librational phonon peaks. Optical absorption maxima occur at 4.0 and 4.7 eV in pure S₂N₂ at 14 K, while absorptions at 0.86, 1.1 and 4 eV evolve with increasing polymerization.     

Ba3WO6:Eu3+红色荧光粉的结构及其发光特性

以高温固相法成功合成了一系列Eu³⁺离子激活Ba₃WO₆红色荧光粉。分别采用X射线衍射（XRD）和荧光光谱（FL）对样品的晶体结构和发光性能进行了表征。结果表明,样品均具有立方晶系的双钙钛矿结构;Eu³⁺离子的激发谱由一个宽带（包括Eu³⁺-O^2-和W⁶⁺-O^2-电荷转移带）和若干个窄峰（4f-4f电子跃迁）组成,而跃迁⁵D₀→⁷F₁和⁵D₀→⁷F₂则构成了发射谱的主要部分。调整原材料中BaCO₃和WO₃的量的比,XRD的主衍射峰位发生红移至与标准谱完全吻合,发光强度有所提升并分析了原因。Eu³⁺离子的临界摩尔分数为0.05,临界距离（R_c）为1.263 4 nm。在314 nm或394 nm激发光下,样品发出红光（λ_max=596 nm）,色坐标为（0.618,0.342）,在LED照明、显示等领域具备一定潜力。     

微波低温制备Mg2Si0.4Sn0.6-yBiy热电材料的传输机理

德拜弛豫理论表明, 在频率为2.45 GHz的外加交变电磁场的作用下, 微波对极性分子的极化过程约为10^-10 s, 因此利用微波固相反应可以在短时低温条件下制备出纳米粉体材料. 本文以MgH₂代替Mg粉, 利用微波固相反应在低温下制备了Mg₂Si_0.4Sn_0.6-yBi_y (0 ≤y ≤q 0.03)固溶体, 并结合单带抛物线计算模型对其热电传输机理进行了分析. 研究结果表明: 利用该工艺可以有效抑制Mg的挥发和MgO 的生成, 在400 ℃保温15 min内即可完成MgH₂与Si粉和Sn粉的固相反应, 获得片层间距为100 nm的超细化学计量比产物; 杂质Bi的引入可以有效增加载流子浓度, 并引起晶格畸变, 在晶格畸变和样品特有的纳米片层结构的协同作用下, 声子得到有效散射, 样品具有最低的热导率1.36 W·m^-1·K^-1. 较低的有效掺杂率和复杂的能带结构具有降低能带态密度有效质量和减小载流子弛豫时间的双刃效应, 使得本征激发提前, 在600 K样品取得最大ZT值为0.66.     

溶胶-凝胶法合成Sr3MgSi2O8:Eu3+ 红色荧光粉及其发光性能

采用溶胶-凝胶法合成了Sr_3MgSi_2O_8∶Eu~(3+)红色荧光粉,并通过X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)以及荧光光谱(PL)、X射线光电子能谱(XPS)等分析方法,对不同烧结温度(950,1 050,1 150,1 250℃)热处理4 h后得到的粉体的物相、形貌及发光性能进行了表征分析。由XRD表征结果可知,制备出的样品为正交晶系的Sr_3MgSi_2O_8;由扫描电镜及比表面积的测试结果可知,经过1 150℃热处理得到的荧光粉具有最大比表面积,可达到90.213 1 m~2/g,且粒径大小均一;由红外光谱图可知:样品中含有Si—O—Si、Mg—O和Sr—O化学键;在394 nm的激发波长下,所有样品在614 nm和702 nm处出现了强发射峰,分别对应于Eu~(3+)的~5D_0→~7F_2和~5D_0→~7F_4跃迁,属红光发射。随着热处理温度的升高,样品所对应的发射峰强度呈现出先增大后减小的变化趋势,即出现温度猝灭效应;经1 150℃热处理合成的Sr_3MgSi_2O_8∶Eu~(3+)红色荧光粉的发光性能最好,即最佳的热处理温度为1 150℃。     

用同步辐射研究掺Tb3+氟化物K2GdF5的光谱和Gd3+-Tb3+能量传递

对比了不同激发波长下水热法合成的K2GdF5:Tb3+(摩尔分数0.5％)单晶材料的光致发光谱线;监测了5 D3→7F6和5 D4→7 F5的激发谱,给出了几组窄带吸收和3个宽带吸收;分析表明窄带发射为Gd3+的8 S7/2→6FJ、8S7/2→6GJ、8S7/2→6DJ、8S7/2→6IJ的跃迁,宽带发射为Gd3+的...     

Raman study of HgBa2Can−1CunO2n+2+δ (n=1,2,3,4 and 5) superconductors

Polarized micro-Raman scattering measurements have been performed on the five members of the HgBa₂Ca_n−1Cu_nO_2n+2+δ (n=1,2,3,4 and 5) high-T_c superconductor family using different laser frequencies. Local laser annealing measurements were carried out to investigate the variation of the Raman spectra with the excess oxygen content, δ. A systematic evolution of the spectra, which display mainly peaks near 590, 570, 540 and 470 cm⁻¹, with increasing number of CuO₂ layers has been observed; its origin has been shown to lie in the variation of the interstitial oxygen content. In addition to confirming that the 590 cm⁻¹ mode represents vibration of apical oxygens in the absence of neighboring excess oxygen, the 570 cm⁻¹ mode, which may be composed of some finer structures, has been assigned to the vibration of the apical oxygen modified by the presence of the neighboring excess oxygens. The 540 and 470 cm⁻¹ modes may represent the direct vibration of excess oxygens. The implication of possible different distribution sites of excess oxygens is discussed. All other observed lower-frequency modes are also assigned.