中性硅3s23P2 3P2,1D2→3s3p3 3D3o跃迁能量,超精细结构常数与同位素移动的MCDHF计算

本文使用多组态Dirac-Hartree-Fock方法计算了²⁹Si的3s²3p^{2 3}P₂,¹D₂→3s3p³D₃⁰跃迁能量和³P₂,³D₃⁰超精细结构A常数以及Si同位素²⁹Si,³⁰Si和³¹Si相对于²⁸Si在3s²3p^{2 3}P₂→3s3p^{3 3}D₃⁰跃迁的同位素移动.通过尝试双电子激发（SD）和三电子激发（SDT）,分别考虑VV相关,CV相关和CC相关产生各种不同的扩展组态波函数得到的计算结果和实验值的比较,推测了对于中性硅原子这两个组态,内壳层2p2s,1s电子活动到外壳层的概率较小,而3s3p壳层中的电子都比较活跃,但主要是在n=3,4的壳层内活动,活动到更高n壳层的概率则比较小.     

Nb XIII离子3d94s2, 3d94s4p, 3d94p2 组态能级结构与跃迁的理论研究

用准相对论Hartree-Fock方法对Nb XIII离子二电子激发组态3d⁹4s², 3d⁹4s4p, 3d⁹4p² 的能级结构做了全面系统的理论计算研究.在对已有研究结果分析的基础上, 运用最小二乘方法对径向积分参数进行了优化计算, 得到了与这些组态有关的电偶极允许跃迁的谱线波长和跃迁概率.计算结果与最新的实验值做了对比分析, 表明本文计算结果是准确的. 研究发现, 波长40.92 nm的谱线, 属于3d⁹4s(¹D)4p²F_7/2–3d⁹ (²D)4s^{2 2}D_5/2 的跃迁谱线, 而不属于3d⁹4s (¹D)4p⁴D_7/2–3d⁹(²D)4s^{2 2}D_5/2 的跃迁谱线, 即上谱项能级为²F_7/2, 而不是⁴D_7/2. 关键词： Nb XIII离子 二电子激发组态 谱线波长 跃迁概率     

Ga原子4s~24p及4s~25s态的超精细结构常数

基于相对论多组态Dirac-Fock（MCDF）方法的GRASP2K程序,通过系统的考虑电子关联效应和相对论效应,详细计算了⁷¹Ga原子的基态4s²4p²P_1/2、亚稳态4s²4p²P_3/2及激发态4s⁵s²S_1/2的超精细结构常数.结果表明原子实的极化效应对超精细结构常数起到了重要作用.     

高离化类铍离子2s21S0—2s2p3P1(Z=10—103)自旋禁戒光谱跃迁

利用全相对论性多组态Dirac-Fock平均能级(MCDF-AL)方法系统地计算了高离化类铍离子自 旋禁戒2s^{2 1}S₀—2s2p³P₁(Z= 10—103)跃迁的能级间隔和跃迁概率,计算中考虑了重要的核的有限体积效应,Breit修正 和QED修正,所得结果和最近的实验数据及理论计算值进行了比较,结果表明：高原子序数 的高荷电离子的自旋禁戒跃迁的跃迁概率和中性原子的电偶极E1的相当,在ICF和MC 关键词： 高离化态 跃迁概率     

高电离态Ti原子EUV光谱的实验研究

在中国原子能研究院HI-13串列加速器上用束-箔技术完成了80 MeV Ti离子和C箔相互作用产生的高电离态离子谱观测,与用激光等离子体技术的实验结果做了比较，大多数谱线与激光等离子体技术的实验结果有较好的符合，有3条谱线是未观测到的.这几条谱线为ⅩⅧ 13.406，ⅩⅧ 14.987，17.439nm, 属于2s2p^{2 4}P_3/2—2p^{3 2}D_3/2, 2s2p^{2 1}S₀—2sp^{3 1}P₁, 4p ¹P₀—5d ¹P₁跃迁. 关键词： 串列加速器 高电荷态原子 激发光谱     

ZBLAN玻璃中Pr3+掺杂离子3P0和1D2能级的发光特性和寿命

对ZBLAN氟锆酸盐玻璃中Pr³⁺掺杂离子³P₀和¹D₂能级的寿命和发光特性进行了较详细的光谱学研究。首先测量了两种掺杂浓度(质量分数分别为1×10^-3,5×10^-3)的Pr³⁺:ZBLAN玻璃的吸收光谱,然后运用时间分辨激光光谱技术测量了³P₀和¹D₂能级在激光单光子共振激发下的荧光发射谱和能级寿命。将不同荧光发射谱带的强度和文献报道的Judd Ofelt理论计算辐射跃迁几率数值做了比较分析,证明了文献中理论计算结果的可靠性。由于浓度猝灭效应,在相同的激发条件下,掺杂浓度为1×10^-3样品的荧光发射强度明显大于5×10^-3样品的荧光发射强度。但是从我们的测量结果看,掺杂浓度对³P₀和¹D₂ 的能级寿命值无显著影响。掺杂浓度为1×10^-3时,Pr³⁺离子³P₀和¹D₂能级的寿命值分别为46,322μ_s。     

SrAl12O19：Pr3+中4f2→4f2电偶极跃迁强度参量化

对SrAl₁₂O₁₉：Pr³⁺中4f²→4f²电偶极跃迁强度的参量化进行了研究.考虑明确的4f5d组态成分与4f²跃迁能级混杂对4f²组态内跃迁的影响.引入新的强度参数T_kq，参数值由³P₀能级的相关实验数据拟合.利用拟合的参数T₃₃和T₅₃计算¹S₀向下各能级发射的跃迁强度，计算值与实验及Judd-Ofelt理论的结果进行了比较. 关键词： 12O₁₉：Pr³⁺')" href="#">SrAl₁₂O₁₉：Pr³⁺ 宇称态混杂 4f5d组态 强度参数     

镱原子超精细诱导5d6s 3D1,3→6s2 1S0 E2跃迁及超精细常数的精确计算

在镱原子中,利用5d6s³D₁→6s²¹S₀跃迁探索宇称破缺效应已经得到了深入的研究.但是5d6s³D₁态与基态6s²¹S₀之间的M1跃迁和超精细诱导E2跃迁很大程度上影响了宇称破缺信号的探测.因此,很有必要精确计算5d6s³D₁态与基态6s²¹S₀之间的M1跃迁和超精细诱导E2跃迁的跃迁概率.本文利用多组态Dirac-Hartree-Fock理论精确计算了5d6s³D₁→6s²¹S₀ M1跃迁和超精细诱导5d6s³D_1,3→6s²¹S₀ E2跃...     

F3+和Ne4+离子的光电离截面的理论计算

利用R矩阵方法计算了F³⁺和Ne⁴⁺离子的基态2s²2p²(³P)和激发态2s²2p² (¹D,¹S),2s2p³ (⁵S^o)的分波光电离截面、总光电离截面,分析辨认出了这些离子在自光电离过 关键词： 3+离子和Ne⁴⁺离子')" href="#">F³⁺离子和Ne⁴⁺离子 光电离 自电离共振 R矩阵')" href="#">R矩阵     

RuXIV离子能级和振子强度的理论计算

利用组态相互作用理论和参数外推方法,计算RuXIV离子4s²4p,4s4p² 4s²4d和4p³组态的能级,以及4s²4p—4s4p²,4s²4p—4s²4d和4s4p²—4p³跃迁的谱线波长和振子强度。4s²4p和4s4p²组态的能级与已有实验 关键词：     

多参考组态相互作用方法研究BS+离子的势能曲线和光谱性质

利用量子化学从头计算方法MRCI+Q在AVQZ级别上对BS⁺离子进行了研究. 通过计算得到了与BS⁺离解极限B⁺（¹S_g）+S（³P_g）和B⁺（¹S_g）+S（¹D）对应的5个Λ-S态,确认了BS⁺离子的基态为X³∏电子态,而第一激发态¹∑⁺的激发能T_e仅仅为564.53 cm^-1. 首次纳入的旋轨耦合效应（SOC）使得BS⁺的5个Λ-S态分裂成为9个Ω态,原有的两个离解极限分裂为B⁺（¹S₀）+S（³P₂）,B⁺（¹S₀）+S（³P₁）,B⁺（¹S₀）+（³P₁）以及B⁺（¹S₀）+S（¹D₂）. 在考虑自旋轨道耦合效应之后,Ω态的基态为X2态. 通过势能曲线（PECs）可以发现所得到的Λ-S态和Ω态均为束缚态,利用LEVEL8.0程序拟合得到了对应电子态的光谱常数,这些结果可以为实验和理论方面进一步研究BS⁺的光谱性质提供准确的电子结构信息. 关键词： 势能曲线 光谱参数 多参考组态相互作用方法 Q)')" href="#">Davidson修正(+Q)     

一价铝离子能级结构的多通道量子亏损理论分析

利用多通道量子亏损理论(MQDT)对一价铝离子(AIII)的各受干扰序列:3sns ¹S₀,3snp ³P_0,1,2^O,¹P₁^O,3snd ¹D₂和3snf³F_2,3,4^O的能级结构进行理论分析。结果表明:前两个序列所受到的干扰较弱,后三个序列则受到了来自干扰态3p4s ¹P₁^O,3p^{2 1}D₂和3p3d³F_2,3,4^O的强烈干扰,而3snf ¹F₃^O序列则受到来自电离限上方干扰态的影响。利用获得的MQDT参数推算出3p3d ¹F₃^O干扰态位于电离限上方5613cm^-1处,这一结果与其他作者的预言相符合。 关键词：     

类铍离子磁四极M2 2s2 1S0—2s2p3P2 (Z=10—103)禁戒跃迁

利用全相对论多组态Dirac-Fock方法系统地计算了高离化类铍离子的磁四极M2 2s²¹S₀—2s2p³P₂ (Z=10—103)自旋禁戒跃迁的能级间隔、跃迁概率和振子强度，计算中考虑了重要核的有限体积效应，Breit修正和QED修正，所得结果和最近的实验数据以及理论值进行了比较，结果表明：高原子序数的高电荷离子(Z≥70)磁四极M2自旋禁戒跃迁几乎可以和中性原子的光学允许跃迁相比拟，不仅在天体等离子体中，在ICF和MCF高温激光等离子体中，磁四极自旋禁戒跃迁和其他自旋禁戒跃迁（磁偶极、电四极）一样不容忽视，在双电子复合、不透明度、自由程等理论计算中应该考虑其影响. 关键词： 磁四极M2 能级间隔 跃迁概率 振子强度     

Rh ⅩⅢ—Cd ⅩⅥ离子4s~24p~3—4s4p~4能级与跃迁的理论计算

用HFR (Hartree-Fock with relativistic corrections)方法对Rb Ⅴ—Cd ⅩⅥ离子4s~24p~3和4s4p~4组态能级结构做了全面系统的理论计算研究.通过分析能级结构参数的HFR理论计算值与基于实验能级拟合得到的计算值之比值随着原子序数Z_c变化的规律,运用广义拟合外推方法预言了这些离子能级结构参数.由此进一步计算了Rh ⅩⅢ,Pd ⅩⅣ, Ag ⅩⅤ和Cd ⅩⅥ离子4s~24p~3 (~4S_(3/2),~2P_(1/2,3/2),~2D_(3/2,5/2))和4s4p~4 (~4P_(1/2,3/2,5/2),~2P_(1/2,3/2),~2D_(3/2,5/2),~2_(S_(1/2)))组态能级以及电偶极跃迁波长与振子强度.研究表明,对于4s~24p~3组态,单组态近似可以得到较满意的结果;而对于4s4p~4组态,只有在考虑了4s~24p~24d的组态相互作用效应时,计算结果的准确性才能明显得到提高.同时,本文还运用全相对论grasp2K-DEV程序包计算了Rh ⅩⅢ—Cd ⅩⅥ离子组态能级.对于Rh ⅩⅢ离子4s~24p~3 (~2P_(1/2)), Pd ⅩⅣ离子4S~24p~3(~4S_(3/2),~2P_(1/2,3/2),~2D_(3/2,5/2))和4s4p~4(~2P_(1/2,3/2),~2D_(3/2,5/2,)~2S_(1/2)),能级均无实验值;对于Ag ⅩⅤ和Cd ⅩⅥ离子,截至目前还没实验能级数据,没有实验能级值的所有数据均仅来自本文的计算数值.本文计算结果与已有实验值吻合得很好.     

Al Ⅱ1P10序列能级结构的多通道量子亏损理论分析

本文利用多通道量子亏损理论(MQDT),分析了Al Ⅱ受干扰序列¹P₁⁰的能级结构。分析表明,主序列3snp ¹P₁⁰受到了来自双激发态3p4s ¹P₁⁰的强烈干扰。这种相互作用使3p4s¹P₁⁰分布到整个3snp¹P₁⁰之中,而不再对应于一条单独的谱线。利用拟合能级实验数据所得的MQDT参数,计算了序列3snp¹P₁⁰中n≤50的能级。对于已测得的能级,计算结果与实验值符合得很好。 关键词：     

近紫外激发具有颜色可调的Er3+/Eu3+共掺BiOCl荧光粉

本文采用固相法在500℃合成了Er³⁺/Eu³⁺共掺BiOCl 荧光粉, 并通过XRD, SEM, 吸收, 激发和发射光谱研究了其结构、形貌和发光特性. XRD 和SEM结果表明在500℃下即可成功合成纯四方相片层结构的Er³⁺/Eu³⁺共掺BiOCl荧光粉. 吸收光谱表明掺杂Er³⁺/Eu³⁺离子使BiOCl形成杂质能级; 激发光谱显示该荧光粉具有来自于基质BiOCl价带(VB)到导带(CB)跃迁的优异宽带近紫外激发特性. 在380 nm近紫外光激发下, 同时获得了Er³⁺离子和Eu³⁺离子的特征发射峰, 其中发光中心位于410 nm (²H_9/2→⁴I_15/2), 525 nm (²H_11/2→⁴I_15/2), 554 nm (⁴S_3/2→⁴I_15/2), 673 nm (⁴F_9/2→⁴I_15/2)的发射峰来自于Er³⁺离子的跃迁, 而581 nm(⁵D₀→⁷F₀), 594 nm (⁵D₀→⁷F₁), 622 nm (⁵D₀→⁷F₂), 653 nm (⁵D₀→⁷F₃), 699 nm (⁵D₀→⁷F₄)的发射峰则来自于Eu³⁺离子的跃迁. 值得注意的是, 与传统Er³⁺/Eu³⁺掺杂的材料不同, 该荧光粉还具有独特高效的紫光(Er³⁺)和长波红光(Eu³⁺)发射特性, 分析表明这与BiOCl的结构有关; 并且通过改变掺杂浓度, 实现了发光颜色由黄绿光→黄光→橙红光的调节. 研究结果表明Er³⁺/Eu³⁺共掺BiOCl荧光粉有望成为一种潜在的近紫外激发白光LED荧光粉.     

钇镓石榴石中Tb3+到Ce3+的无辐射能量传递特征

在Y₃Ga₅O₁₂石榴石中,室温下采用紫外激光选择激发光谱研究了能量从Tb³⁺的⁵D₃和⁵D₄能级无辐射传递给Ce³⁺的²D_3/2能级。实验结果符合Frster-IH直接无辐射传递理论。⁵D₃(Tb³⁺)→²D_3/2(Ce³⁺)能量传递是电偶-偶极子相互作用机理,其平均临界传递距离为R₀=16.3?,而⁵D₄(Tb³⁺)→²D_3/2能量传递是起主导作用的电偶-偶极子相互作用,其平均临界传递距离为11.2?。在⁵D₄的传递过程中,电偶-四极子相互作用也应予以考虑。 关键词：     

真空紫外区Ar的高次离化光谱的研究

本文报道了波长在2000—194?真空紫外区域内Ar的高次离化光谱工作。观察到相当数量的新谱线,并归属了其中64条,还找到六个新能级,即:ArIV 3s²3p²(³P)3d²F_5/2,7/2, ArIV 3s²3p²(¹D)3d²S_1/2, ArV3s²3p3d关键词：     

Zn2准分子的形成及其发射特性

通过光学抽运Zn(4s¹S₀—4p³P₁)共振线,在充有惰性气体的Zn蒸气中观察到两个连续的发射谱带。实验辨认它们可能归属于Zn₂准分子³∑_u⁺态,这与理论预言一致。研究谱带的时间与温度特性,以及惰性气体对谱带发射的影响。给出分子形成速率的上限和猝灭速率。结果表明,惰性气体分子在Zn₂准分子的形成及衰变中起了主要作用。 关键词：     

ZnS:Ho3+的辐射跃迁和无辐射过程

本工作研究了Ho³⁺离子在宽禁带半导体ZnS中的辐射跃迁和无辐射过程。用发射谱线的积分光强和激发态寿命获得ZnS:Ho³⁺的强度参数Ω_λ,同时计算了九个激发态的辐射跃迁几率和能级寿命。另外,通过在不同温度下测定Ho³⁺离子⁵G₆,³K₈,⁵F₂,⁵F₃和⁵S₂(⁵F₄)能级的发射光强和寿命的方法,研究了这几个激发态间的无辐射过程,其中⁵G₆,³K₈,⁵F₂和⁵F₃这四个能级是处于热平衡状态,而⁵F₃与⁵S₂(⁵F₄)能级间存在五个声子((1/n)ω_Lo=351cm^-1)参与的多声子弛豫过程。 关键词：