V_3X系d带相对移动量的配位场方法的计算

本文用配位场方法计算在D_(2d)晶场作用下,V_3X(X=Si,Ga,Ge,Sb,Sn)超导化合物中d电子各态的附加势能,给出A-15超导化合物d带相对移动模型中的特征量——d子带相对移动量△E_⊥——与晶格常数的解析关系及其数值结果。并用于磁化率的计算。     

单层Nb2SiTe4基化合物的带隙异常变化

传统硫族化合物中阳离子相同时,随着阴离子原子序数的增加,价带顶逐渐升高,带隙呈减小趋势.在A₂BX₄基(A=V,Nb,Ta;B=Si,Ge,Sn;X=S,Se,Te)化合物中,观察到随着阴离子原子序数增加,其带隙呈现反常增大的现象.为了探究其带隙异常变化的原因,基于第一性原理计算,对A₂BX₄基化合物的电子结构展开系统地研究,包括能带结构、带边相对位置、轨道间耦合作用以及能带宽度等影响.研究发现,Nb2SiX4基化合物中Nb原子4d轨道能量明显高于阴离子p轨道,其价带顶和导带底主要由Nb原子4d轨道相互作用组成,其带宽主要影响带隙大小.Nb₂SiX₄基化合物的带隙大小通过Nb—Nb和Nb—X键共同作用于Nb原子4d轨道的宽度来控制.当阴离子序数增加时,Nb—Nb键长增加,其相互作用减弱,由Nb原子4d轨道主导的能带变宽,带隙减小;另一方面,Nb—X键长增加又使Nb原子4d带宽变窄,带隙增加,并且Nb—X键长增长占主导,所以带隙最终呈现异常增加的趋势.     

A-15超导化合物的d带相对移动模型

本文考虑了A₃B型A-15结构晶体场的特点,根据对势模型,求出A原子各d电子子能级间相对移动量△E_⊥,进而在LCAO方法基础上,提出了改进的RCA能带模型。并据此得到V₃B系化合物超导临界温度对△E_⊥的关系,理论曲线与实验数据大致相符。 关键词：     

A-15型V_3B系超导化合物正常态顺磁磁化率

本文根据文献[1]提出的d带相对移动模型,计算了A-15型V_3B系化合物的顺磁磁化率及其随温度变化的趋势,计算结果与实验数据大体相符。     

梯形化合物NaV2O4F电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法, 通过自旋极化的广义梯度近似(GGA)电子结构计算对梯形化合物NaV₂O₄F进行了研究. 考虑了四种假想的自旋有序态,计算结果表明该化合物的磁基态具有二维反铁磁(AFM)结构, 即沿梯阶和梯腿方向都表现为AFM作用. 能带结构显示NaV₂O₄F为绝缘体材料, 带隙约为1.0eV. 方锥体中的晶体场劈裂使得VO₄F方锥体中的 V^{4+ 关键词： 2O₄F')" href="#">NaV₂O₄F 梯形化合物 第一性原理计算 电子结构}     

取向Pr2Fe14B与Nd2Fe14B多晶磁化曲线的 计算

基于单离子晶场模型,提出了计算稀土-Fe(Co)金属间化合物取向多晶样品磁化曲线的方法.用此方法计算了取向Pr₂Fe₁₄B和Nd₂Fe₁₄ B多晶的高场磁化曲线,计算中使用了拟合化合物单晶磁化曲线得到的交换场与晶场参数.计 算曲线与实验曲线相符合. 关键词： 磁化曲线 晶场 2Fe₁₄B')" href="#">R₂Fe₁₄B     

四种姜黄素类似物核磁共振谱的理论研究

在B3LYP/6-31G(d, p)水平下优化了四种姜黄素类似物的几何构型,并通过振动分析验证了其构型稳定性。在B3LYP/6-311G(d, p)水平下计算了该类化合物的核磁共振谱,研究结果表明：四种化合物主体结构共平面性较好,为一较大共轭体系。由于羟基及甲氧基的引入,使Compound-B/C/D中C₃,C₄以及Compound-A/D中C₅均具有较大δ值,Compound-A中C₄和C₆的δ值相对较小,C₃的δ值相对较大。而在羰基与碳碳双键所形成的共轭羰基化合物中,羰基C₁₃的δ值(183 ppm)相对于乙醛中的δ值(201ppm)有所减小,C_{11, 15}(α碳)的δ值(122 ppm)相对减小,而C_{9, 17}(β碳)的δ值(145 ppm)相对增大。最后,通过线性回归方法,利用相关系数值r研究了1H NMR δ值的实验和理论计算值的相关性,结果表明相关性较好,实验值和理论值基本吻合。     

NiSi2化合物的电子结构

采用自洽LMTO方法,计算了NiSi₂化合物的电子结构。所得结果与ARUPS光电子谱结果以及LAPW等计算结果符合得相当好。在NiSi₂化合物中Ni3p芯能级移动是与镍原子的电子组态变化有关;镍的3d电子减少导致对镍的3p电子屏蔽作用减弱。计算结果表明离子性对化学键贡献很小。 关键词：     

A-15型V3B系超导化合物正常态顺磁磁化率

本文根据文献[1]提出的d带相对移动模型,计算了A-15型V₃B系化合物的顺磁磁化率及其随温度变化的趋势,计算结果与实验数据大体相符。     

AgI(Cr2O3)复合离子导体的光谱研究

本文研究了AgI(Cr₂O₃)复合离子导体的红外吸收光谱,近紫外、可见反射光谱。发现复合离子导体的两种谱图均与纯AgI,Cr₂O₃的不同。红外吸收光谱在882—889cm^-1处有一新吸收峰。电子谱中,AgI从430nm开始向长波方向表现的光离解特性消失。本来Cr₂O₃由配位场效应而引起的d—d吸收跃迁以410nm,530nm为中心的反射谱带,现在410nm处的谱带消失。530nm处的谱带稍有红移,且随加入Cr₂O₃量的增多而强度减弱。代之以整个紫外、可见区的较强吸收。对此,结合透射电子显微镜的分析,用双声子耦合和介质的变形极化以及配位场理论对AgI(Cr₂O₃)复合离子导体的声子谱和电子谱进行了解析。 关键词：     

应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性

采用LMTO能带方法,对两种不同应变状态下(自由形变和以InP为衬底),应变层超晶格(InAs)₁(InP)₁(001)和与应变层超晶格的分子层相对应的应变体材料,以及无应变的体材料进行了第一原理计算,并采用冻结势方法求出了两种超晶格各分子层的平均键能。结果表明,能存在应变的情况下,异质界面两边的平均键能非常一致,且这种一致性受应变状态的影响很小,因而可以把它用来作为确定应变层超晶格价带边不连续值(△E_v)的普遍适用的参考能级。研究了应变对 关键词：     

无定形靶中离子注入的R,Rp,△Rp的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解:R=2/a[E^1/2-A₁(arctg(2E^1/2-f)/△^1/2+arctg f/△^1/2)+B₁ln((E^1/2-f)²)/(E-fE^1/2+d) ·d/f²],其中A₁,B₁,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=R/(R_p)(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系 η=F(μ)[A₂(μ)+(B₂(μ))/(ε^1/2+C)],和ω=R_p/△R_p(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A₃(μ)ε^1/21/2+B₃(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A₂(μ),B₂(μ), B₃(μ)和A₃(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对η等关系式的物理意义作了讨论。上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO₂等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。     

四角或三角畸变立方晶场中(3d)1过渡金属离子的劈裂因子

对四角或三角畸变立方晶场中的(3d)¹离子,在已有的静电晶场理论的基础上,采用“集团模型”,进一步引入Γ_∥, Γ_⊥及K_∥, K_⊥,R_∥, R_⊥,并考虑E_g混入T_2g,导出适用于四角或三角畸变立方晶场各种可能情况的g_∥, g_⊥公式。讨论了g_∥, g 关键词：     

无扩散相变中界面动力学的唯象理论及其应用

固态相变中相界面或畴界面的平均运动速度V与有效相变驱动力△G＇(相变驱动力△G与相界面运动阻力△G_R之差)之间的关系可表示为V=φ(△G—△G_R)。当有单向变化的外场(场强为ξ,变化速率为ξ)作用于相变系统并能诱导相界面运动时,就会产生母相/新相间的转变。在相变过程中同时叠加一个交变应力时,则可计算得界面动力学关系V=φ(△G—△G_R)与相变过程内耗Q^-1、相关的模量亏损(△M/M)、相变速率dF/dξ、相变应变ε₀间的关系为 [d lnφ(△G-△G_R)/d(△G-△G_R)]= Q^-1ω/n²M(dF/dξ)ξ = (△M/M)ω/nMε₀(dF/dξ)ξ, 以及 (△M/M)/Q^-1=ε₀/n。此处ω为交变应力的圆频率,M为与振动模式有关的弹性模量,n为应力与界面运动的耦合因子。因此,界面动力学关系式的通解为 V = ∑(±n)/(α≠-1) A_α exp{[(△G-△G_R)/△G_α^*]^{α+ 1}/(α+ 1)} +∑(m)/(β₀) A_β[(△G-△G_R)/△G_β^*]^β 此处n,m为正整数。上式中的各项参数可由实验数据确定。此外,(△M/M)/Q^-1的等式还可用于判别相变过程的模量亏损中有无声子模软化的贡献。 关键词：     

七种离子注入砷化镓的射程统计参数计算

采用逐级校正法数值求解LSS方程,计算了Be⁺,N⁺,Ne⁺,Mg⁺,Si⁺,Ar⁺,Cr⁺共七种离子注入到砷化镓靶中的射程统计参数R_p,△R_p,R_⊥提出了计算R_p,△R_p,R_⊥时简单的初值计算公式,既可避免能量零点发散,并有足够的计算精度。所提出的β积分表式,可大大节省机器计算时间。所使用的数值方法和计算程序也适用于其它离子注入到其它靶材料的计算。 关键词：     

铜(Ⅱ)四配位卤素络离子的电子结构与吸收光谱

本文给出了在络离子CuX₄^--(X=Cl,Br)中的配位体与中心离子的晶场能级。在考虑晶场效应之后,利用改进了的Wolfsberg-Helmholz分子轨道法,计算了该络离子的基态与一些激发态的能量。计算结果与所观察到的配位场跃迁带及电子迁移带的一些特性基本相符。     

Diffusion in thermotropic liquid crystals

Diffusion coefficients in mesophases of thermotropic liquid crystals have been measured to a considerable extent only during the last twelve years. Some theories on diffusion in mesophases have been developed too. Measurements in nematic, smectic A, smectic B, and smectic C mesophases have been carried out by mass transport techniques, detected by radio-tracers or optically, by NMR spin-echo techniques, and by quasi-elastic neutron scattering. The diffusion is anisotropic in most of the cases. In nematics self-diffusion parallel to the molecular director (D₆) is somewhat faster than perpendicular (D_⊥). Both diffusion coefficients show about the same activation energy. Impurity diffusion (small molecules dissolved in mesophases) demonstrates the same behaviour with less anisotropy. In smectics A and C the diffusion coefficients D₆ and D_⊥ can be nearly equal. The anisotropy is now shown in their respective activation energies with E₆>E_⊥. This effect is more pronounced in impurity than in self-diffusion. In addition impurity diffusion shows a strong anisotropy of the diffusion coefficients (D_⊥?D₆). In smectics B the activation energies E₆ and E_⊥ of self-diffusion seem again to be equal and the diffusion coefficients show a small anisotropy (D_⊥≥D₆).     

在相干重整化中的非线性漂移波能量守恒

通过对〈j_⊥·E_⊥〉的直接微扰展开证明了在六级近似以内相干重整化理论满足非线性漂移波的能量守恒。 关键词：     

Bi-2223银夹板厚膜的载流特性与应变的关系

测量了Bi_1.8Pb_0.4Sr₂Ca₂Cu₃O_y银夹板厚膜的应力与应变、应变和临界电流密度关系,及其在不同应变下的J_c(H)特性.结果表明,在应力-应变曲线上存在两个应变转变,分别对应于Bi_1.8Pb_0.4Sr₂Ca₂Cu₃O_{y关键词：}