绿色陶瓷厚膜电致发光器件研究

报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ：Ｅｒ,Ｃ１作为发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ：Ｅｒ,Ｃ１）／透明电极（ＺｎＯ：Ａ１）。制备的器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,测量了器件的电致发光（ＥＬ）光谱和亮度－电压曲线,研究了发光机理和效率－电压等特性。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的红色ZnSvSm,Cl电致发光器件

报道采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳｖＳｍ , Ｃｌ作为发光层的红色薄膜电致发光器件。测量了器件的电致发光光谱和亮度电压曲线, 研究了发光机理和效率电压等特性。制备的器件在市电频率驱动下１６ Ｖ启亮, 最大亮度为１８．４ ｃｄ／ｍ ２, 最大效率为０．０６ ｌｍ ／Ｗ。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的红色ZnS:Sm,Cl电致发光器件

报道采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ：Ｓｍ,Ｃｌ作为发光层的红色薄膜电致发光器件。测量了器件的电致发光光谱和亮度电压曲线,研究了发光机理和效率电压等特性。制备的器件在电驱动下１６Ｖ启亮,最大亮度为１８．４ｃｄ／ｍ＾２,最大效率为０．０６１ｍ／Ｗ。     

陶瓷厚膜电致发光器件的电致发光特性研究

研制了以四元系组分ＰＭＮ－ＰＴ－ＰＦＮ－ＰＣＷ陶瓷厚膜为绝缘层的无Ｙ２Ｏ３介质层和有Ｙ２Ｏ３介质层两种结构的电致发光器件,并对陶瓷厚膜的制备民厚膜厚度等对陶瓷厚膜电致发光器件电致发光特性的影响进行了深入的研究。     

聚合物基片对柔性有机发光器件性能的影响

以聚合物基片柔性ITO膜为透明电极，制备了ITO／TPD／Alq3／Al结构柔性有机发光器件，并与在相同条件下制备的玻璃基片相同结构器件作了比较。研究了不同基片对有机材料及器件性能的影响，指出选择不易吸湿、耐温高、热胀系数小的聚合物材料，提高柔性ITO膜的附着力和导电性，结合柔性ITO膜的具体特性。优化有机层的蒸镀条件，是提高柔性有机发光器件发光亮度和稳定性的重要途径。     

ZnS:Mn交流薄膜电致发光的存贮效应

ZnS:Mn交流薄膜电致发光(ACTEL)中存在固有存贮效应和很长的使用寿命大大大推动了对这种器件的研究。 我们最近进行了ZnS:Mn薄膜存贮器件的场致发光实验,所用的薄膜结构是～5000厚的ZnS:Mn两边分别夹以～2500厚的非晶BaTiO_3绝缘层,再用InSnOx和Al电极完成装置。图1是我们在ZnS:Mn/a—BaTiO_3ACTEL器件上观察到的亮度—电压特性曲线。 我们观察到在这种器件的电致发光中包含两种成分,一种是空间均匀的发光,即本底发光;另一种是来自直经小于～1微米的定域亮区之发光。在存贮器件的正常工作电压范围内光辐射主要来自定域亮区[图2(a)]。当外加方波电压振幅增加时,这     

红色ZnS：Sm,Cl陶瓷厚膜电致发光器件

９４年国际电致发光讨论会上，报导了一种新型的显示器［１］，引起了研究者广泛的兴趣．这类显示器的创新表现在采用丝网印刷的几十个微米量级的高介电常数的陶瓷厚膜来替代无机薄膜电致发光器件中的薄膜绝缘层．因为陶瓷厚膜的制备方法比较简单，采用丝网印刷技术，具有...     

BePP_2沉积速率以及厚度对蓝光OLED性能的影响

实验采用真空热蒸镀方法,在高准确度膜厚控制仪的监控下,制备了结构为ITO/2T-NATA(25nm)/NPB(30nm)/BePP2(X nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.6nm)/Al(80nm)的蓝光器件,并对其发光层(BePP2)薄膜的沉积速率以及厚度对器件的亮度、发光效率影响进行了分析和实验研究.结果表明:当束源炉孔径为Φ1.5mm,束源炉温度在120℃~150℃区域,BePP2的蒸镀速率比较平滑,斜率变化小,易于膜厚精准控制,且薄膜较致密满足器件需要;BePP2在最佳沉积速率为0.02nm/s(蒸发温度为135℃),且发光层厚度为35nm时,可获得启亮电压为5.34V、发光亮度为9 100cd/m2、发光效率达4.4cd/A的较理想蓝光器件.     

金属氟化物对聚合物发光二极管发光性能的提高

在以聚合物发光材料MEH-PPV为发光层的聚合物发光二极管(PLEDs)的金属阴极与聚合物发光层之间插入一层绝缘的金属氟化物,发光器件的发光性能有所提高,而且绝缘层的厚度会影响器件性能提高的最终效果。特别是具有LiF／Al的双层电极的发光器件,其发光特性与工作性能优良,但稳定性较差的Ba(Ca)／Al电极结构器件的发光特性具有可比性。初步分析表明绝缘层的插入造成了发光聚合物层与金属电极界面的能带发生弯曲,降低了发光器件中少数载流子电子的注入势垒,提高了发光器件中少数载流子电子的注入效率。从而最终导致了发光器件的开启电压、发光强度、外量子效率及电流效率等发光性能指标的显著提高。     

硅基双势垒金属-绝缘层-金属-绝缘层-半导体隧道发光结

讨论了硅基双势垒金属－绝缘层－金属－绝缘层－半导体（MIMIS）隧道发光结的结构、制备方法及发光特性。所制备的样品最大发光亮度达到1．9cd/m^2、光谱的峰值波长移到了蓝绿光区，表明双势垒MIMIS隧道发光结的性能优于单势垒金属－绝缘层－半导体（MIS）隧道发光结。利用量子力学的共振隧穿效应对它作了较好的解释。     

陶瓷基片薄膜电致发光器件

本文报道了一种新颖的陶瓷基片薄膜电致发光器件(CSTFEL),使用高介电常数的陶瓷片作器件的基片,同时又作为器件中的绝缘层,陶瓷片表面无需抛光处理,直接制作发光器件,工艺简单,用市电50Hz,220V驱动,亮度大于30cd/m2,寿命大于10000小时.     

Effects of ZnS:Mn/AlN multilayer structure on luminescent properties of nanostructured thin-film EL device

Effects of ZnS:Mn/AlN multilayer structure on luminescent properties of nanostructured (NS) thin-film electroluminescent (TFEL) device of which emission layer is a multilayer composed with ZnS:Mn layers and 0.7-nm-thick AlN interlayers were studied. The bandgap widening and the increased PL efficiency of Mn²⁺ 3d-3d transitions with a decrease in the ZnS:Mn single-layer thickness down to 5 nm were observed, which is ascribed to quantum confinement effects. Meanwhile, the multilayer with 2-nm-thick ZnS:Mn single-layers shows a drop of PL efficiency, indicating the presence of defective region just on AlN. The tendency of the luminous efficiency of the NS-TFEL device against the ZnS:Mn single-layer thickness is similar to the tendency found in the PL efficiency, indicating the importance of the ZnS:Mn/AlN interface for the device performance.     

SrS:Ce3+薄膜蓝色交流电致发光及其特性的研究

本文采用了SnO2/Y2O3/ZnS/SrS:Ce3+/ZnS/Y2O3/Al这种多层结构制备了SrS:Ce3+薄膜器件,并得到了较亮的蓝色交流电致发光。在5KHz正弦交流电压的激发下,该器件的最大亮度为100cd/m2左右。讨论了衬底温度与薄膜结晶完整性的关系,认为衬底温度在300—400℃之间有利于获得良好的结晶状态。本文还对SrS:Ce3+薄膜的光谱特性进行了讨论,比较了CeF3和CeCl3分别掺杂时,SrS薄膜的发光特性发现CeCl3掺杂较CeF3掺杂好。同时还看到,SrS:Ce3+薄膜的ACEL亮度和效率较ZnS:Ce3+薄膜要高,认为可能的原因是SrS基质提供了一种适合Ce3+激发的环境。     

变色的ZnS：Mn/SrS：Ce/ZnS：Mn薄膜电致发光的研究

利用ZnS:Mn/SrS:Ce/ZnS:Mn多层结构,得到了一种可变颜色的薄膜电致发光器件。研究了这一器件的发射光谱随电压和频率的变化,并讨论了随电压的增加,发射光谱中蓝带和黄带的不同增长的原因,以及在不同电压下,发射光谱中蓝带和黄带随频率变化的不同趋势的原因。观察到随驱动频率的增加,发射光谱出现黄-蓝色位移。     

ZnS∶Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布

采用高频溅射的方法制备了高亮度的ＺｎＳ∶Ｔｂ薄膜电致发光器件．测量了发射强度比Ｉ（５Ｄ３－７Ｆ６）／Ｉ（５Ｄ４－７Ｆ４）随激发电压的变化关系、弛豫时间及发光的量子效率，计算了碰撞截面，分析ＺｎＳ∶Ｔｂ的过热电子的分布，并与ＺｎＳ∶Ｍｎ进行了比较．指出了ＺｎＳ∶Ｔｂ效率与ＺｎＳ∶Ｍｎ效率差异的可能原因．     

ZnS:Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布

采用高频溅射的方法制备了高亮度的ZnS:Tb薄膜电致发光器件.测量了发射强度比I(5D3-7F6)/I(5D4-7F4)随激发电压的变化关系、弛豫时间及发光的量子效率,计算了碰撞截面,分析ZnS:Tb的过热电子的分布,并与ZnS:Mn进行了比较.指出了ZnS:Tb效率与ZnS:Mn效率差异的可能原因.     

基于InP/ZnS核壳结构量子点的色转换层设计及制作

提出了采用环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料制备匹配蓝光Micro-LED阵列的量子点色转换层以实现Micro-LED阵列器件全彩化的技术方案。通过采用倒置式量子点色转换层方案,实现了InP/ZnS量子点材料和Micro-LED阵列的非直接接触,从而可以缓解LED中热量聚集导致的量子点材料发光主波长偏移、半峰宽展宽以及发光效率衰减等问题。量子点色转换层中内嵌PDMS聚合物柔性膜层,可以消除咖啡环效应,同时,色转换层中内嵌飞秒激光图案化处理的500 nm长波通滤光膜层,可以抑制蓝光从非蓝色像素单元出射。最后,实验制备了像素单元中心间距90μm的16×16 InP/ZnS量子点色转换层。该设计可以实现基于蓝光Micro-LED阵列的全彩色Micro-LED显示器件的制备,并且该制备方法可以降低全彩色Micro-LED阵列显示器件的制备成本。