无定形靶中离子注入的R,Rp,△Rp的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解:R=2/a[E^1/2-A₁(arctg(2E^1/2-f)/△^1/2+arctg f/△^1/2)+B₁ln((E^1/2-f)²)/(E-fE^1/2+d) ·d/f²],其中A₁,B₁,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=R/(R_p)(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系 η=F(μ)[A₂(μ)+(B₂(μ))/(ε^1/2+C)],和ω=R_p/△R_p(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A₃(μ)ε^1/21/2+B₃(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A₂(μ),B₂(μ), B₃(μ)和A₃(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对η等关系式的物理意义作了讨论。上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO₂等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。     

正偏离Bragg定律的二元化合物靶中离子射程参数研究

研究了正偏离Bragg定律,即计算S_e(E)值高于实测S_e(E)的二元系化合物靶的离子射程特性。文中应用“regular”观点引入了“双原子模型”,在二元化合物靶的射程计算中,不仅考虑相同“原子对”对离子的阻止本领S₁₁(E),S₂₂(E),而且考虑不同“原子对”对离子的阻止本领S₁₂(E),S₂₁(E)。文中还应用Berthelot关系,使S₁₂(E)=S₂₁(E)=(S₁₁(E)·S₂₂(E))^1/2,则二元系靶的阻止本领及总的射程为NS(E)=1/2[(N₁S₁₁(E))^1/2+(N₂S₂₂(E)^1/2)]², R=4/a[x-A₁(arctg(2x+f)/△^1/2-arctg(f/△^1/2))-B₁(ln(x+g)²/g²·e/(x²+fx+e)) -b/2 ln(x²+fx+e/e)。这里X=E^1/2,E为离子注入能量,所有其它常数是与离子和靶的质量、原子序数有关的常数。结合文献[1]提出的R与R_p,R_p与△R_p的关系式,可计算得正偏离系统的投影射程R_p及其偏差量△R_p。并对各关系式的物理意义作了阐明。 关键词：     

CaWO_4中三价钕离子四角晶场分裂的计算

钨酸钙晶格具有空间群I4_1/a对称性,点群对称性为S_4。每个钙离子被八个氧离子包围,氧离子成畸变的四面体分布包围W离子。这样,在钨酸钙晶体中,Nd离子四角格位的晶场可写为 V=A_2~0V_2+A_4~0V_4+A_4~4V_4~4+A_6~0V_6~0+A_6~4V_6~4或 V=B_0~2U_0~2+B_0~4U_0~4+B_4~4(U_4~4+U_(-4)~4)+B_4~6(U_4~6+U_(-4)~6)。在第一个表达式中,V_q~k是单电子函数之和,此单电子函数是球谐函数r~k倍。在晶场分裂计算中将A_k~q〈r~k〉作为参量。在第二个表达式中,U_q~k是张量算符,此时的参量是B_q~k。这两组参量间的关系容易导出,列于表1中。     

超导临界温度严格公式的探讨

近来Allen和Dynes对Eliashberg方程重新进行了数值分析,并提出了一个新的T_c公式。他们先就Einstein谱的情形,在一级和二级近似导出了T_c的一个渐近公式。在二级近似下,T_c=0.180λ~(1/2)ω_E,当λ>10,μ*=0时,其中λ是电-声子耦合常数,μ*是库仑赝势。然后把ω_E换成〈ω~2〉~(1/2),     

非晶态超导体的Tc,2△0／kBTc和声子谱参量

分析研究了非过渡金属非晶态超导体的超导参量 T_c、2△_0 和声子谱参量λ、<ω>、<ω~2>与霍耳系数 R_H 之间,以及 T_c 与声子谱参量ω_0 和<ω>/ω_c 之间的关系,发现,在 R_H=-3.5—-4.0×10~(-11)m~3/AS 范围内同时存在着上述超导和声子谱参量的最大值;具有高ω_0 的材料对获得高 T_c 非晶态超导体有利;非晶态超导体的 T_c 与点阵无序度(<ω>/ω_0)近似地成线性关系.在上述结果的基础上,分别提出了一个非晶态超导体的 T_c 公式T_c=Aλ<ω>~(1/2)/(<ω>/ω_0+(1+λ)/20)和一个2△_r/k_BT_c 公式2△_0/k_BT_c=4.95[1-T_c<ω>_(1/2)/A(1/λω_0+1/20<ω>+1/20<ω>)]按照所提出的公式,第一次指出了,非过渡金属非晶态超导体既可以是一个2△_0/k_BT_c 比BCS 理值大得多的典型的强耦合超导体,也可以是一个 2△_0/k_BT_c 比 BCS 理值还要小得多的甚弱耦合超导体.当然,也可以是一个 2△_0/k_BT_c 值与 BCS 理论基本一致的弱耦合超导体.解释了结晶态弱耦合超导体的2△_0/k_BT_c 测量值偏离于 BCS 理论的原.     

化合物和合金中离子投影射程分布矩的计算(Ⅱ) 轻离子(Z_1≤10)的射程分布矩

本文根据离子在固体材料中电子阻止截面的实验资料,给出了低能Li~+,Be~+,B~+,C~+,N~+,O~+,F~+,Ne~+等离子在固体中电子阻止截面S_e的经验公式。这些经验公式既能够很好地反映电子阻止本领的Z_1和Z_2振荡、又能正确地给出S_e随离子能量E的变化关系。用这种以实验为基础的S_e经验公式和符合于WHB势的核散射函数,计数了从H~+到Ne~+十种轻离子在非晶Al_2O_3,SiO_2,20/25/Nb不锈钢,LiNbO_3和UO_2等材料中的投影射程分布的一次至三次矩。将计算值与近几年的实验测量及其他人的计算结果进行了比较,在低能端,我们计算的平均投影射程R_p与实验符合得更好。     

非晶锂离子导体B_2O_3-Li_2O—LiCl一Al_2O_3中VO~(2+)的电子自旋共振

两种非晶锂离子导体B_2O_3-0.7Li_2O-0.7LiCl-xAl_2O_3-0.1V_2O_5(x=0.05和0.15)的电子自旋共振谱研究表明:(i)ESR线型是高斯型,证实V_2O_5添加量适当;(ii)超精细结构来源于VO~(2+)络离子,具有四角对称性,属C_(4v)群。越精细耦合张量的平行分量平均值A_∥=0.0175cm~(-1),垂直分量A_⊥=0.0063cm~(-1)。由g_∥(g_⊥)求出其基态~2B_(2g)与第一激发态~2E_g的能级间距△_1=2.46×10~4cm~(-1),基态与第二激发态~2B_(1g)的能级间距△_2=3.03×10~4cm~(-1);(iii)变温实验证实:Al_2O_3组分较少(x=0.05)的非晶ESR强度比x=0.15的非晶高3倍至2倍,而Al_2O_3组分越多则ESR强度随温升下降越小。     

描述蠕变过程中内耗的四参量模型

实验表明:蠕变过程中的内耗兼有Maxwell二参量模型的性质和滞弹性三参量模型的性质。本文提出一个用以描述蠕变过程中内耗的四参量模型。由此模型推导出的内耗表达式为Q^-1=1/(ωτ₁)+△(ωτ₂)/(1+ω²τ₂²),式中ω为测量圆频率,τ₁和τ₂分别为粘弹性内耗和滞弹性内耗的弛豫时间,△为弛豫强度。这个内耗表达式可以满意地说明蠕 关键词：     

叶栅正交和局部正交贴体网格的生成方法及其应用

一、二维叶栅正交O型网格的系列保角变换法 1.基本变换过程 变换公式和过程见图1。 在由Ω向ω的变换中,为求待定复常数a、b、c,先令ω(z=±∞)=±1,并定义Ω~+=[g(+∞)]~(1/k),Ω~-=[g(—∞)]~(1/k),由变换ω=(a—bΩ/c)/(1—Ω/c)得b=(—2c+Ω~-+Ω~+)/(Ω~+—Ω~-);a=1—(1—b)Ω~+/c;若r_(max)、r_(min)分别表示边界的最大、最小极径,则求常数c的迭代式为     

换能器间距对SAW器件特性的影响

如以如H_i(ω)(i=1,2)表示输入输出换能器(含匹配电路)的频率特性,R_i(ω)(i=1,2)表示二者对声表面波的反射系数,T(ω)表示声表面波传播路径的频率特性,则声表面波器件的主信号响应、三次行程信号(TTE)响应以及考虑了TTE影响之后器件的总响应分别为: H_d(ω)=H_1(ω)H_2(ω)T(ω) (1) TTE(ω)=H_1(ω)H_2(ω)T~3(ω)R_1(ω)R_2(ω) (2) H(ω)=H_d(ω)+TTE(ω)=H_d(ω)[1+T~2(ω)R_1(ω)R_2(ω)(3) 设/R_i(ω)/=r_i(ω),arg{R_i(ω)}=φ_i(ω)。二者与外电路有关。在良好匹配下,r_i(ω_0)=1/2(通常小于此值),在调谐情况下运用,φ_i(ω_0)=π。通常r_i(ω)≤r_i(ω_0),且随着频偏的增大而减小的速度大于H_i(ω)。如以两换能器间的间距为x,则一般情况下T(ω)=Texp[jωx/v](v为基片中声表面波的速度)。T<1,且随x的增大而降低。但一般器件x为几十个波长,故T总是接近于1而变化不大。如令 θ(ω)=2ωx/v+φ_1(ω)+φ_2(ω) (4)     

BF~X(X=-1,0,+1)分子离子基态的结构与势能函数研究

本文利用CCSD 方法,分别选用6-311++g(3df,3pd)、6-311++g(2df,2pd)和6-311++g(df,pd)基组对BF分子和BF~+、BF~-离子基态进行了几何优化和频率计算,并进行了单点能扫描计算.用最小二乘法拟合得到了BF~X(X=-1,0,+1)分子离子基态的Murrell-Sorbie势能函数.与实验及理论结果比较表明,本文对BF分子和BF~+离子基态光谱常数(B_e,α_e,ω_e,ω_ex_e)的计算结果达到了很高的精度.文章还首次给出BF~-离子基态的光谱常数(B_e,α_e,ω_e,ω_ex_e)和力常数(f_2,f_3,f_4),这将为BF~-离子基态的后期研究提供重要参考.研究表明:BF~X(X=-1,0,+1)分子离子基态的势能曲线均具有对应于稳定平衡结构的极小点,说明BF~X(X=-1,0,+1)分子离子基态是稳定存在的.     

PdH、YH体系的结构与氢化反应的平衡压力

用相对论有效原子实势(RECP/SDD)和密度泛函(B3LYP)方法对PdH、YH体系的结构进行了优化,同时用Murrell-Sorbie函数导出PdH、YH分子的势能函数和光谱常数;得到PdH分子的基态为X2∑+,RPdH=0.154 1 nm,离解能De=2.511 eV,谐振频率ωe=2 019.458 9 cm-1;YH分子的基态为X1∑+,RYH=0.191 9 nm,离解能De=4.308 eV,谐振频率ωe=1 497.531 2 cm-1;并得到一键长为0.200 3nm,De=3.488 eV,ωe=1 309.318 2 cm-1的YH分子激发态.并根据以分子总能量中的振动能Ev代替固态能量,以电子和振动熵SEv代替固态熵的近似方法,计算了不同温度下Pd、Y与H2、D2、T2反应的一氢化物热力学函数△Hθ、△Gθ、△Sθ及氢化反应平衡压力,导出了与温度的依赖关系,结果表明:PdH(S)的生成焓为32.05kJ·md-1,与实验值37.30kJ·mol-1接近,YH(S)的生成焓为70.21 kJ·mol-1.     

评论:“边界振动的微腔中的二能级原子”

<正>在曲照军等的文章中[1]作者声称他们能够解决腔场影响原子问题.在此我们显示出既然他们用于得到相互作用表象的哈密顿的变换不完备所以他们没有解决该问题.我们知道此相互作用的哈密顿量可表示为(h=1)H=ωa■a+ωmb■b+ω0/2σz+g1(a■σ_+σ+a)+g2a■a(b■+b),(1)这里a和a■是单模量子化场的产生与湮灭算符,而b和b■为量子谐振子的产生与湮灭算符,g1是单模辐射场与原子的乡耦合系数,g2是单模辐射场与振动边界的耦合常数.曲照军等人把哈密顿量(1)分解成自由和相互作用两个哈密顿量H=H0+HI.这里     

高能正负电子对的湮没与超窄共振粒子的作用

本文给出了R=σ(e~ e~-→强子)/σ(e~ e~-→μ~ μ~-)随能量上涨的一个解释。研究了新发现ψ粒子所具有作用的性质,指出其强度f~2/4π～10~(-5)—10~(-6)。求得峰值截面σ=12π/m_ψ~2Γ(ψ→e~ e~-)/Γ~(tot),指出ψ的真正宽度比目前实验上限小一个量级。讨论了ψ的视宽度△E、平均峰值截面σ_0和质量M_ψ的关系,得到了σ_0△EM_ψ~4=常数,和实验相符。     

拍波激光加速器中的频率匹配

本文从广义协变的运动方程和麦克斯韦方程出发,导出了电子等离子体波各量的解析表达式。指出△ω=2ω_p的等离子体波是完全简谐的。完全共振的条件由△ω=2ω_(p0)[1+(e²(A₂⁽⁽¹⁾²⁾+(A₂^((2)2))/(2m²c⁴)+(3e²A₂⁽¹⁾A₂⁽²⁾)/(m²c⁴)]^-1/2 给出。 关键词：     

Mo-SiO2-C3H6催化反应体系的ESR动态表征

文章考察了Mo-SiO₂催化剂体系在丙烯歧化反应过程中的动态ESR波谱,发现在催化歧化反应过程中有两种Mo⁵⁺顺磁中心,一种为扰动八面体配位,g_||=1.89,g_⊥=1.94;另一种为扰动四棱锥配位,g_||=1.86,g_⊥=1.95。测得同位素^95,97Mo⁵⁺的各向异性超精细耦合常数A_||=90.3×10^-4cm^-1,A_⊥=44.8×10^-4cm^-1;观测到反应产生的积炭信号,g≈2.0O₂;氧阴离子自由基信号g₁=2.018,g₂=2.011,g₃=2.005。用LCAO-MO理论对上述Mo⁵⁺的ESR波谱进行计算,求得分子轨道系数,发现并总结出△g_||/△g_⊥与△g成直线关系,并建议用△g_||/△g_⊥=4(△E(B₂→E))/(△E(B₂→B₁)(β₁/ε)²之比值作为衡量C_4v扰动程度的尺度。     

NFX(X=-1,0,+1)分子离子基态的结构与势能函数

用密度泛函理论的B3LYP方法,分别以6-311++g(df,3pd),6-311g(3d,3p)和6-311++g(3df,3pd)为基函数对NF分子、NF⁺和NF^-离子基态进行几何优化和频率计算,并进行单点能扫描计算.用最小二乘法拟合得到NF^X(X=-1,0,+1)分子离子基态的Murrell-Sorbie势能函数.利用得到的解析势能函数计算出的NF分子和NF⁺离子基态光谱常数(B_e,α_e,ω_e,ω_eχ_e)与实验值符合很好.首次得到NF^-离子基态的光谱常数(B_e,α_e,ω_e,ω_eχ_e)和力常数(f₂,f₃,f₄),为NF-离子基态的后期研究提供理论参考.     

低温氧化物热敏材料电导公式的研究

本文提出了多晶多相A_2、A_3型低温氧化物热敏材料的电导模型,给出了其电导公式。σ=C_0T~(-1)+∑C_ie~(-B_i/T),进一步得到热敏电阻的电阻公式:R~(-1)=A_1e~((-B)_1/T)+A_2e~((-B_2/T))+A_3e~((-B)_3/T)。由三个温度点的电阻值可定出A、B值,初步计算,公式与实验间的偏差不大于3.6×10~(-3)     

BP+基态和激发态的势能曲线和光谱性质的研究

本文利用量子化学中的多参考组态相互作用方法(MRCI), 在aug-cc-pVQZ级别计算了在环境科学中具有重要作用的离子BP⁺. 得到了对应三个离解极限B⁺(¹S_g)+P(⁴S_u), B⁺(¹S_g)+P(²D_u)以及B⁺(¹S_g)+P(²P_u)的6个Λ-S态势能曲线. 在计算中还考虑了Davidson修正(+Q)和标量相对论效应, 用以提高计算精度. 通过分析Λ-S态的电子结构, 确认了电子态的多组态特性. 计算中首次纳入了旋轨耦合效应, 获得了由BP⁺离子的6个Λ-S态分裂出的10个Ω 态的势能曲线. 计算得到的势能曲线表明相同对称性的Ω 态的势能曲线存在着明显的避免交叉. 在得到的Λ-S态和Ω 态的势能曲线的基础上, 运用LEVEL8.0程序通过求解核径向的Schrödinger 方程, 得到了相应的Λ-S态和Ω 态的光谱常数T_e, R_e, ω_e, ω_eχ_e, B_e和D_e, 其中基态X⁴∑^-的光谱常数与已有的理论值符合的非常好, 文中其他电子态的光谱常数均为首次报道. 关键词： 多参考组态相互作用方法(MRCI) 势能曲线 光谱常数 旋轨耦合效应     

R2Fe14B(R=Ce,Pr,Gd)磁晶各向异性常数K1,K2随温度的变化

本文在1.5—300K温度范围内测量了R₂Fe₁₄B(R=Ce,Pr,Gd)各向异性常数K₁,K₂和各向异性场H_A随温度的变化。同时用单离子模型计算了Pr³⁺离子对Pr₂Fe₁₄B磁晶各向异性的贡献,得到与实验值半定量符合的结果。 关键词：