ICCD系统中对像增强器制冷降噪效果的分析

在ICCD摄像机上加装一个半导体制冷器,对像增强器进行实时降温处理,以降低系统时空域噪声。为了评价半导体制冷器对ICCD系统噪声的影响,运用三维噪声模型对制冷前后系统的时空域噪声和信噪比进行了分析,发现半导体制冷器能够有效地降低像管的噪声。     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN223 2006032458一种基于强迫性选择MRC测量的新方法=A novel meth-od based on forced-choice for MRC measurement[刊,中]/李升才(北京特种车辆研究所.北京(100072)) ,金伟其…∥光学技术.—2006 ,32(2) .—230-233在分析微光ICCD成像系统工作原理的基础上,研制了新型微光ICCD成像系统MRC特性测试仪。以该系统为实验装置,以Weibull心理测量方程为理论基础设计了一种选择性靶标。基于选择性靶标,提出了一种基于强迫性选择MRC测量的新方法,利用该方法对微光ICCD成像系统进行了实际测量。该方法对建立微光ICCD成像系统MRC理论…     

新型热驱动半导体制冷器性能的优化分析

提出一种新型的热驱动半导体制冷器模型 ,以制冷系数和制冷率为目标函数分析其性能特性。计算在不同情况下热驱动半导体制冷器的最大制冷系数和制冷率。进而优化工作电流的最佳范围 ,从而确定热驱动半导体制冷器的内部结构参数。所得结果可为新型的热驱动半导体制冷器的优化设计和最佳运行提供有价值的理论指导 ,可促进热驱动半导体制冷器的开发和在不同高新科技领域中的应用。     

红外CCD探测器半导体制冷组件的研制

红外CCD成像器件在高温环境下工作,暗电流噪声大大增加,严重影响探测灵敏度。对此,使用半导体制冷和真空封装技术设计了探测器制冷组件,使CCD探测器稳定工作在合适温度,以相对较小的体积和功耗显著地提高红外器件的探测灵敏度。本文对探测器制冷组件整体结构、半导体制冷器选型、冷端耦合结构和热端散热结构进行了研究,最终在高温65℃环境下工作时,CCD探测器制冷温度达到-27℃,组件重量0.8kg。     

一种三级半导体制冷器失效分析研究

研究了一种用于冷却探测芯片的小型三级半导体制冷器的装配、调试失效因素,分析了工作状态下制冷器冷、热端装配结构与方式对制冷器制冷性能的影响,得出半导体制冷器的制冷性能随装配方式的影响规律,并提出了防止失效的方法,为该三级半导体制冷器的装配工艺设计提供了依据。     

反斯托克斯荧光制冷的研究进展与综述

反斯托克斯荧光制冷 (Anti StokesFluorescentCooling)也被称为激光制冷 (LaserCooling)。自 1 995年以来 ,该项研究取得了飞速的发展。目前 ,人们利用激光制冷的方法已经得到了比家用冰箱冷冻室还低的温度 ,并能够利用半导体量子阱材料得到低于液氮温区的降温。由于这项技术具有全光性 ,它的制冷器具有体积小、重量轻、无电磁辐射、无振动、无噪声等特点 ,因此也就具有了非常诱人的应用前景和符合军事、空间、集成光学、微电子、医学等领域的特殊要求 ,而被国外研究者所重视。做为一项基本技术 ,激光制冷研究的突破必然会导致许多对温度有特殊要求的高技术实用化 ,推动那些领域向前发展。本文详细地介绍了反斯托克斯荧光制冷研究的历史和最新进展 ,详细地介绍了该项研究中的方法和理论。着重介绍了激光制冷的热力学限制、发光过程的热力学理论 ,探讨激光制冷产生的机制和制冷理论。最后 ,对激光制冷器的发展前景和设计依据进行了讨论 ,尝试性地探讨了线圈型制冷器、用于芯片的制冷器和单分子 光子泵型制冷器的应用考虑。     

基于半导体制冷技术的LED前照灯散热器设计与优化

针对大功率LED汽车前照灯的结构、性能要求,提出了基于热电制冷效应的散热方案,并对不同类型散热系统散热性能进行了试验研究。结果表明:半导体制冷器对外部风扇风速或冷却液流速的敏感性分别高于风冷和液冷散热装置,模型一(风冷+热电制冷)和模型二(液冷+热电制冷)的制冷片最佳工作电流分别为3.0 A和5.0 A。当环境温度在极限范围(60~65℃)时,计算得到芯片的结温为55.5℃,光通量为1 458.8 lm。所设计的基于热电制冷散热系统可以满足使用要求。     

光电子技术与器件 光能转换与器件

TK511．3 2005010490 太阳能冷管的研究及其进展=Research of solar cooling tube and its advancement[刊,中]／刘震炎(上海交通大学机械与动力工程学院.上海(200030)),徐海峰…∥太阳能学报．-2004,25(1)．28-32 太阳能冷管以沸石分子筛-水为工质对,在一根玻璃管内完成吸附式制冷循环,一根冷管即为一个制冷单元, 成功地解决了太阳能吸附式制冷技术难以转化为成果的     

光电子技术与器件 光电成像与器件

TN386.5 2007054617基于CDS技术的CCD噪声信号处理=CCD noise signal processing based on CDS[刊,中]/张林(合肥学院电子系.安徽,合肥(230022)) ,宋寅…//半导体光电.? 2007 ,28(2) .? 265-267 ,272针对CCD输出噪声特点,建立噪声传输函数及其分析模型,利用相关双采样(CDS)技术对CCD输出信号中的复位噪声进行了理论分析和相关测试。结果表明,只要选择合适的采样时间,可以最大限度地抑制复位噪声。图5参10(杨妹清)TN386.5 2007054618基于PCI及DDR的光纤接口CCD图像采集卡设计=De-sign of fiber interface card for gathering …     

光电子技术与器件 光探测与器件

O434．22 2005032089 GaN基紫外光探测器研究进展=Research progress in GaN-based semiconductor UV detectors[刊,中]／徐立国 (北京工业大学电子信息与控制工程学院．北京(100022)),谢 雪松…∥半导体光电．-2004,25(6)．-411-416 介绍了不同类型的GaN基半导体光电探测器的结构 和性能,回顾了其发展历史,并且综述了GaN基紫外光电 探测器的研究新进展。图3参25(严寒) O434．22 2005032090 6H-SiC pn结紫外光探测器的模拟与分析=Simulation and analysis of 6H-SiC pn junction ultraviolet photodetector [刊,中]／周拥华(西安电子科技大学微电子研究所．陕西,     

光电子技术与器件 光显示与显示器件

TN873．3 2005053742 无源OLED显示屏亮度均匀性研究=Brightness uniformi- ty of passive matrix OLED[刊,中]／陈文彬(电子科技大学 光电信息学院．四川,成都(610054)),成建波∥半导体光 电．-2005,26(3)．-205-207,211 利用无源矩阵驱动原理,计算了有机发光二极管 (OLED)器件中阴极和阳极电阻上的电压降。结果表明, 恒压驱动条件下,电阻上的压降将产生严重的亮度不均匀 性,分析表明辅助电极可以改善亮度非均匀性。采用恒流 驱动及高效率的OLED可以进一步提高亮度均匀性,降低 功耗。计算及分析结果与实验现象一致。图6表1参7 (于晓光)     

激光器件 半导体激光器

TN248．4 2005053327 用于光通信系统的可调谐半导体激光器=Tunable senli- conductor lasers for optical communication systems[刊, 中]／高劭宏(华中科技大学光电子工程系．湖北,武汉 (480074)),黄德修…∥半导体光电．-2005,26(1)．-1-4,9 概述了用于光通信系统中的可调谐半导体激光器的 研究进展。图10参15(严寒)     

天基望远镜探测器组件热电制冷系统设计与试验

天基空间望远镜探测器必须采用主动制冷方式以满足其噪声抑制需求.为此,采用热电制冷为核心技术,开展了探测器热电制冷器封装设计、热电制冷器热排散系统设计、热电制冷控制系统设计,并从抑制寄生漏热、降低热电制冷器热排散路径热阻两方面进行了优化,以减小热电制冷器输入功率及辐射散热面积.根据帕尔帖效应、焦耳效应、傅里叶效应,获得了净制冷量、热端散热热阻、热端边界温度等环境特性参数与热电制冷器输入电流、电压、功率等工作特性参数间的关系,并分析了制冷热负荷、热端散热热阻与热电制冷器输入功率间的敏感度.研制了望远镜鉴定产品,并开展了真空热平衡试验.试验结果表明系统设计合理有效,能够将探测器制冷至-75℃温度水平,稳定度可达到±0.2℃.基于环境条件及热电制冷器工作参数等试验数据,对比并修正了热分析模型.研究结果可为类似空间望远镜热电制冷系统的研制提供参考和借鉴.     

辐射与发光 发光与发光器件

IN312．8 2005031617 850 nm超辐射发光二极管=Superluminescent diodes at 850 nm[刊,中]／廖柯(重庆光电所．重庆(400060)),刘刚 明…∥半导体光电．-2004,25(4)．-257-261 设计并制作了一种用于中低精度光纤陀螺系统的850 nm超辐射发光二极管,对器件的波导模式进行了分析,给 出了主要技术参数的设计和测试结果。实验结果表明,器     

纤维光学 光纤器件

TN253 2005053635 增益可控的小型化掺铒光纤放大器的研制=Development of gain controllable miniature Er-doped fiber amplifier[刊, 中]／魏敦楷(复旦大学通信工程系．上海(200433)),沈俊 …∥半导体光电．-2005,26(1)．-22-25,29 介绍了一种利用980 nm泵浦源、两段式光路结构设 计和实现的增益可控的小型化掺铒光纤放大器(EDFA)的 方法。首先应用谱求解的方法对EDFA的理论模型进行 了研究,基于该模型对两段式EDFA进行优化,优化设计 后的EDFA的增益比单段式结构提高了1．9 dB,反向自发 辐射噪声也得到了抑制。给出了小型化EDFA系统设计 框图和主要温控电路结构,对EDFA系统的泵浦源工作状 态、增益及光信噪比等参数进行了测量,得到了与理论建 模相符合的结果。图9参7(严寒)     

光电子技术与器件

光探测与器件 TL816．5∥TN366 2004021294 电子轰击型PSD器件的研究与应用=Study and application of a electron bombing PSD device[刊,中]／富丽晨(长春理工大学光电子技术研究所．吉林,长春(130022)),李野…∥红外技术．—2003,25(2)．—51-53,59 介绍了新型半导体光电位敏器件(PSD)的独特优点,同时根据极微弱光探测的应用需求,提出了电子轰击型新概念器件EBPSD,研究了它的制作原理,并对已制出的器件进行了半导体增益测试。其结果表明,入射电子能量2 keV时增益大于10~2；5keV时增益可达10~3,证实了这种器件的优越性。还将(EBPSD)器件和微通道板相结合,充分利用微通道板的高增益特性,提出了电子增益高达10~8的MCP-PSD管设计方案,并制出了样管,指出这种器件可用于低于10~(-7)lx极微弱光图像的光子计数探测。图3参4(严寒)     

微光ICCD电视摄像技术的发展与性能评价

利用微光像增强器的图像增强功能,将微光像增强管耦合到电荷耦合器件(CCD)上即构成微光图像增强CCD(简称ICCD)。它具有两个重要的特性:一是通过选择适当的像管输入窗及光电阴极,使ICCD光谱响应范围由可见光扩展到X射线、紫外、近红外区域,从而使该器件能适用于各种用途;二是使ICCD的灵敏度达到10-4lx以下,实现了ICCD摄像器件在黎明或黄昏的照度下(102lx)在1/4月光下(10-2lx)、在星光下(10-4lx)都能有效的工作。微光ICCD电视摄像系统可应用在天文、医疗、火控、制导、飞机紫外预警等方面。重点阐述了微光ICCD电视摄像技术的发展与性能评价。     

光电子技术与器件 其他

TN29 2005053773 一种具有监视功能的两级反射式光隔离器=Two-stage reflection-type optical isolator with monitoring capability [刊,中]／孙爱晶(西安邮电学院通信工程系．陕西,西安 (710061)),田燕宁…∥半导体光电．-2005,26(3)．- 196-198     

光电子技术与器件 光调制与器件

TN761 2006065275一种新型谐振腔增强型光调制器结构的研究=A novel resonant cavity enhanced optical modulator structure[刊,中]/周震(北京邮电大学电子工程学院．北京(100876)),马建新…//半导体光电．—2006．27(3)．—250-253提出了一种新型谐振腔增强型(RCE)光调制器结构,它由一个对称型谐振腔增强型光调制器和一个高反镜构成。利用传输矩阵法对该器件的插入损耗及临界吸收厚度进行了模拟分析,并同传统谐振腔增强型光调制器的相关性能进行了比较。分析结果表明,这种结构解决了传统谐振腔增强型光调制器的临界吸收厚度与插入损耗之间相互制约的矛盾,可同时获得低临界吸收厚度和低插入损耗。图5参11(严寒)     

BZ系列半导体制冷器

1834年法国钟表技师珀尔帖(Peltier)发现,当直流电通过互相连接的两个不同导体时,在接头处除了焦耳热外还要吸收(或放出)热量.这种现象被称为珀尔帖效应. 由于金属的珀尔帖效应是很微弱的,所以当时及以后很长时间内并没有引起人们的重视.随着半导体技术的研究应用,人们发现对某些半导体材料来说,这种现象尤为显著,有了实际应用的价值.自五十年代出现第一个半导体制冷器件以来,它得到世界各国的广泛注意与应用.BZ系列半导体制冷器就是利用珀尔帖效应来制冷的半导体器件. 一、原 理 以化铋(Bi2Te3)为基的固溶体合金是目前性能较好的半导体制…