模拟法描绘静电场实验的讨论与改进

本文对大学物理学实验中大都采纳的静电场描述的实验方法进行了讨论，对实验中等电势线及电力线的描绘原则进行了分析，并针对实验中经常出现的电场偏移的处理方法提出了一定的改进意见，本文还对静电场描绘实验中电极形状的选择提出了一些建议。     

介质空腔内电场的计算

提出了有电介质存在时计算电场的一种新的等价方法，使介质腔内部的静电场能更简便地求解。     

共轴均匀带电薄圆盘间的相互作用力

本文利用静电场的高斯定律和环路定律巧妙地求出了均匀带电圆盘在空间任一点所产生的电场 ,进而计算出了共轴均匀带电薄圆盘之间的相互作用力     

磁场和磁场力的相对性

静止的带电体只激发静电场，对电荷的作用只有静电场力；运动的带电体既激发电场，又激发磁场，对电荷的作用既有电场力又有磁场力．所以，磁场是电场的相对论效应．本文通过两个具体例子，说明了这一观点．     

关于模拟法描会聚点电场的讨论

本文论证了“ＱＥ－２”型静电场描迹中模拟聚焦电场的电极在设计上有误的观点。     

静电场与涡旋电场无限大平面的电通量

讨论了静电场和涡旋电场在无限大平面上的电通量。提出了关于涡旋电场无限大平面电通量等于零的假设。     

浅谈电磁学中的3种电场

在普通物理学的电磁学理论层面上对电场的描述可以是3种电场, 分别是静电场、 稳恒电场和涡旋电 场, 它们既具有电场的共性, 又有各自的特征. 讨论了3种电场的本质属性、 基本特征及其相互联系, 以利于电磁学 的教与学     

利用电通量建立静电场电力线方程

利用高斯定理,我们建立了几种电荷分布具有一定对称性的静电场电力线方程,并模拟了电场分布。     

弱场搜寻态分子静电导引的理论与实验研究

我们知道当极性冷分子与非均匀静电场的相互作用势大于零时，弱场搜寻态分子将被排斥到低电场区域，从而实现冷分子的静电导引。本文提出了一种采用平行载荷导线和接地平板来实现冷分子静电导引的新方案，并详细计算了平行载荷导线在空间产生的静电场分布及其与载荷导线参数的关系，发现在电场阱中心附近的电场梯度越大，相应的Stark势能越大，分子感受到的偶极梯度力也越大。实验结果表明，这种方案可以实现弱场搜寻态溴甲烷超声分子束平动温度为几K的静电导引，通过改变导线和平板的空间位置及其电压，可以获得较高的导引效率。研究表明该方案不仅可用于弱场搜寻态冷分子的静电导引，     

模拟法测静电场实验探讨

本文对模拟法测静电场进行了较详细的探讨，并指出任一点电力线密度与该点场强大小成正比。     

静电场描绘仪的改进

本文主要介绍一种改进后的静电场描绘仪,利用它能精确、快捷地描绘出同轴电缆的静电场分布。     

一种新型模拟静电场描绘仪

本文介绍了一种新型模拟静电场描绘仪 ,利用它能精确地描绘出几种模拟静电场。     

三种柱面形静电场问题的探讨

运用复变函数、保角变换等理论，把分离圆柱面形、偏心圆柱面形和偏轴椭圆柱面形变换成横截面为平行板，并计算出它们的电容、电势和电场强度等静电场问题．     

一类二维时变磁场激发涡旋电场的静电场类比计算

通过二维涡旋电场与二维静电场分布的比较，求解椭圆柱区域磁场随时间变化所激励的涡旋电场的场强转变为求解电场的势，从而使问题简化。     

静电场中电场强度的数值意义

“近场强远场弱”是静电场的普遍特点,宏观带电体的静电场是点电荷电场叠加的结果.本文以静电场中两个实际的电场强度问题为例,用相对数值比较了电荷分布对电场强度的贡献,阐述电场强度“近场强远场弱”的数值意义.     

均匀带电细圆环电场的级数解

根据点电荷场强公式和电场叠加原理,导出了均匀带电细圆环电场的级数表达式,进而讨论了均匀带电细圆环平面内、中心轴线上和远区的电场.     

变化磁场产生涡旋电场的一般形式

本文中引入矢量电势以给出变化磁场产生涡旋电场的一般表达式以及二维情形中的形式．并用来对熟知的圆柱形磁场分布作了计算和讨论     

涡旋电场中导体上的电势

在似稳条件下，处于涡旋电场中导电体上的电势差是导电体内无旋电场的线积分，不是合电场的线积分     

均匀带电圆环片的空间静电场分布

利用1/︱r-r′︱的柱函数展开式及贝塞尔函数的性质,计算出均匀带电圆环片在空间产生的电势及场强,并对结果进行讨论;指出当所研究的问题具有轴对称性时,利用柱函数展开式能更方便地分析其形成的空间静电场,其求法对柱体、螺线管等形成的电磁场同样适用.     

匀变电场激发感生磁场的另一种计算

通过求解微分方程，得到圆形平行板电容器间匀变电场激发的感生磁场，所得结果与积分法完全相同．