共查询到20条相似文献,搜索用时 343 毫秒
1.
关于静电场中任一等位面上电场强度的数值与等位面曲率的关系,已有若干学者进行了深入的讨论,得出了有益的结论[1,2].但所得的关系是否可以用来计算电场强度,使之显含相应的等位面曲率[3],却是值得探讨的.本文对此提出一点看法. 一、电场沿电力线变率的微分方程 文献[2]引用高斯通量定理导出了静电场中等位面的曲率与场强沿电力线方向变率之间的关系,在此我们从静电场中贮能的概念重新导出此式. 在静电场中任取一电力线管构成侧面,以等位面构成其上下底的微分体积元,其中电场可等效于一平板电容器,如图1所示.一方面可将其中所贮的电能表示为… 相似文献
2.
3.
4.
第一章 静电场1.1电场强度和静电基本规律: 了解静电基本现象,掌握电场强度概念和静电基本规律:库仑定律和场强叠加原理,并能用之计算已知电荷分布的场强(ξ1和ξ2). ξ1思考题1,习题4,8;ξ2思考题2,习题5,6,12,13,16.1.2高斯定理: 掌握电通量概念;准确理解和掌握高斯定理;并能根据高斯定理计算电荷对称分布时的场强(ξ3). ξ3思考题3,5,7,9;习题3,5,6,8,12.1.3静电场的环路定理: 理解静电场力的功与路径无关;掌握静电场的环路定理和电位概念,并能正确地用场强积分和电位叠加两种方法计算带电系统的电位分布;正确理解电位梯度概念,并能用… 相似文献
5.
在静电场中引入电位和电场强度后,通过等电位线图和场强分布图可以具体的描述静电场这种抽象的物质场。传统的静电场模拟实验直观地展现出了静电场的分布从而形象地描述了静电场,由于这种方法属于类比模拟,所以存在一定的缺陷(比如不直接,不能描述立体规律等等)。随着计算机技术的发展,利用计算机技术来模拟静电场等物质场逐渐成为趋势。通过借鉴大量资料简要地介绍了如何利用计算机模拟静电场,如何利用MATLAB软件模拟静电场的问题。 相似文献
6.
为了分析窄带电磁脉冲源近、远场辐照大型建筑物内部空间电磁场分布特点,采用时域有限差分方法,对比分析平面波、球面波场源正面斜入射多层多单元建筑物的计算结果,并较为全面地分析了各房间各水平面中心电场强度幅值、各层各水平面电场强度最大值分布情况。建筑物各层相对应高度面上场强分布近似,在电磁波传播方向上窗户房间内部区域场强较强,两种波场源入射结果基本一致;在其余区域场强较弱,特别是在较大空间内的区域,球面波场源入射下场强相对更弱。其中通过与待模拟建筑物外形相紧凑性匹配的球面波场源构建,模拟仿真了窄带球面电磁波在真空空间的辐射传播,计算结果验证所构建球面波近场源准确可行。 相似文献
7.
1 引言 工科物理中,求静电场场强通常有三种方法:场强叠加原理;高斯定理;利用场强与电势梯度关系.对电荷分布具有对称性特点的静电场,高斯定理是解决这类问题的首选.但是,其中有很多问题用叠加原理也不复杂.现举两个例子. 相似文献
8.
9.
在学习大学物理的静电场章节时,由于场比较抽象,所以对几种带电体激发的场,其电场强度公式的适用条件大都比较模糊,文中就静电场中的几个电场强度公式的适用条件及其所对应的物理模型进行了讨论. 相似文献
10.
11.
Jiang Linhan 《物理与工程》1998,(3)
从点电荷的场强公式出发,根据狭义相对论中场强张量的变换,推导出了静电场和稳恒电流磁场的诸定律,使学生对电场和磁场的统一性有了更为深刻的认识. 相似文献
12.
一类二维时变磁场激发涡旋电场的静电场类比计算 总被引:1,自引:1,他引:0
通过二维涡旋电场与二维静电场分布的比较,求解椭圆柱区域磁场随时间变化所激励的涡旋电场的场强转变为求解电场的势,从而使问题简化。 相似文献
13.
14.
15.
16.
V. K. Belyaev 《Technical Physics》2005,50(6):673-679
The free charge steady-state distribution over the insulator surface that arises in a strong electric field in a vacuum can
be found by solving the boundary-value problem for the electrostatic field strength if the angle between the field vector
and vacuum-insulator interface is given. A general solution to this boundary-value problem is derived for the case of an in-plane
field and rectilinear interfaces. Laws of charge and field formation that follow from the solution obtained are considered.
Formulas for the electric field strength and charge density in terms of elementary functions are obtained for a number of
particular cases. Power-type expressions for the electric field and a critical angle between the electrode and insulator surface
that describe the field behavior and charge distribution near the vacuum-insulator-electrode contact are derived. 相似文献
17.
利用1/︱r-r′︱的柱函数展开式及贝塞尔函数的性质,计算出均匀带电圆环片在空间产生的电势及场强,并对结果进行讨论;指出当所研究的问题具有轴对称性时,利用柱函数展开式能更方便地分析其形成的空间静电场,其求法对柱体、螺线管等形成的电磁场同样适用. 相似文献
18.
根据点电荷场强公式和电场叠加原理,导出了均匀带电细圆环电场的级数表达式,进而讨论了均匀带电细圆环平面内、中心轴线上和远区的电场. 相似文献
19.
将导体壳放入外电场中,导体会在表面产生感应电荷,并达到静电平衡状态,导体壳腔内的电场处处为零,这就是静电屏蔽效应.然而,如果外电场极强,或者导体内部的自由电荷太少,以至于感应电场不能完全抵消外电场,则静电屏蔽效应将失效,这就是静电屏蔽的上限问题.本文从静电屏蔽的原理出发,将导体壳简化为一对平行金属平板的模型,定量的讨论了这一问题.通过计算我们发现,由于金属内存在大量的自由电子,在非极端问题中,宏观的导体装置都远远不会遇到静电屏蔽的上限问题. 相似文献