Cu表面弛豫和自扩散机制的修正嵌入原子法模拟

利用角度修正的嵌入原子方法研究了Cu（100），（110），（111）和（311）等8个面的弛豫，得到了与实验符合较好的结果．然后研究了Cu（100）面上的自扩散机制，得到了与实验和局域密度近似计算相符合的结论．还计算了（110）和（111）面的扩散势垒     

Cu表面驰豫和自扩散机制的修正嵌入原子法模拟

利用角度修正的嵌入原子方法研究了Ｃｕ（１００），（１１０），（１１１）和（３１１）等８个面的驰豫，得到了与实验符合较好的结果，然后研究了Ｃｕ（１００）面上的自扩散机制，得到了与实验和局域密度近似计算相符合的结论，还计算了＊（１１０）和（１１１）面的扩散势垒。     

二元羧酸取代的三核钼原子簇化合物的红外光谱与结构

本文考察了新合成的两个二元羧酸取代的三核钼衍生物Ｍｏ３Ｓ４（ＤＴＰ）３（ｐｈｔｈａｌａｔｅ）（Ｐｙ）（Ａ）（ＤＴＰ＝ｄｉｅｔｈｙｌ ｄｉｔｈｉｏｐｈｏｓｐｈａｔｅ,「Ｓ２Ｐ（ＯＥｔ）２」＾－）和Ｍｏ３Ｓ４（ＤＴＰ）３（ｍａｌｏｎａｔｅ）（Ｐｙ）（Ｂ）的红外吸收光谱,对Ｍｏ－Ｓ键及配体的主要吸收峰进行了归属和讨论,并与化合物Ｍｏ３Ｓ４（ＤＴＰ）４（Ｐｙ）（Ｃ）的谱图进行了比较。结果表明,通过对这类复     

PEG-Na2SO4-PAR体系中Pd(Ⅱ)、U(Ⅵ)、Mo(Ⅵ)的萃取分离

本文研究了在聚乙二醇－２０００（ＰＥＧ）－硫酸钠（Ｎａ２ＳＯ４）－４－（２－吡啶偶氮）－间苯二酚（ＰＡＲ）体系中,Ｐｄ（Ⅱ）、Ｕ（Ⅵ）、Ｌａ（Ⅲ）、Ｍｏ（Ⅵ）的萃取行为。实验结果表明,在ｐＨ４．５￣７．５溶液中,Ｐｄ（Ⅱ）、Ｕ（Ⅵ）、可被ＰＥＧ相几乎完全萃取,Ｌａ（Ⅲ）部分被萃取,而Ｍｏ（Ⅵ）则不被蔺取,从而实现了Ｍｏ（Ⅵ）与Ｐｄ（Ⅱ）、Ｕ（Ⅵ）混合离子间的定量分离,并初步探讨了ＰＥＧ相的萃取机理     

激光烧蚀叠氮化钠产生的团簇离子及其分布

用飞行时间质谱研究了激光烧蚀叠氮化钠固体产生的正负团簇离子的组成及其分布，产生的团簇系列包括：（Ｎａ（ＮａＮ３）ｎ）＾＋，（Ｎａ３（ＮａＮ３）ｎ）＾＋，（Ｎａ４Ｎ（ＮａＮ３）ｎ）＾＋，（Ｎａ５（ＮａＮ３）ｎ）＾＋，（ＮａＮ３）ｎ）＾＋，（Ｎａｎ）＾＋，（Ｎ３（ＮａＮ３）ｎ）＾－，（Ｎａ（ＮａＮ３）ｎ）＾－，（ＮａＮ３）ｎ）＾－，（Ｎ（ＮａＮ３）ｎ）＾－，提出正负团簇离子形成的可能机理，分析了影响因     

直接激光气化产生水溶剂化的氧化镁团簇

用飞行时间质谱仪探测了直接激光气化碱式碳酸镁样品产生的质谱，结果表明：氧化镁团簇与同时产生的水分子发生了原位溶剂化反应并产生了各种尺寸的溶剂化氧化团簇离子，这些团簇离子包括：（Ｍｇ（Ｈ２Ｏ）ｍ）＾＋（ｍ＝０，１，２，３），（Ｍｇ（ＭｇＯ）Ｈ２Ｏ）ｍ（ｍ＝１，２，３，４）（Ｈ（ＭｇＯ）（Ｈ２Ｏ）ｍ）＾＋（ｍ＝０，１，２，３，４，５，６），（Ｈ（ＭｇＯ）２（Ｈ２Ｏ）ｍ）＾＋（ｍ＝０，１，２，３，４，５     

简立方格子上界面的自旋S（1）反铁Ising模型研究

本依据献［１］用自旋Ｓ（１）Ｉｓｉｎｇ模型研究了具有近邻（Ｊ１）和次近邻（ＲＪ１）相互作用的简立方格子的（１００）、（１１０）和（１１１０界面性质。在体内为反铁磁相互作用下，分析了界面的基态，并用Ｍ－Ｃ方法计算了界面的低温性质，给出了ＳＣ格子的三类Ｔ－Ｒ界相图，由此讨论了二类界面相变（宏观刻面和粗化）及其在氯化钠晶体界面上的应用。     

（FeCp2）0．65FNi（C3S7）2]的合成及表征

合成了一种新型的导电配位型化合物（FeCp2）0．65FNi（C3S7）2].通过元素分析（EA），电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP—AES），核磁共振（^1HNMR），紫外光谱（UV）对该化合物进行了表征。     

二（2-乙基己基）磷酸对钼（VI）的萃取

裂变Mo（VI）的提取可分为两大步骤：Mo（VI）的粗分离和Mo（VI）的纯化。Mo（VI）的粗分离方法有很多。文中采用了二（2-乙基己基）磷酸（D2EHPA）溶剂萃取法，研究了D2EHPA在硝酸体系中对钼（VI）的萃取行为。     

简立方格子上界面的自旋S（1）反铁磁Ising模型研究

本文依据文献［１］用自旋Ｓ（１）Ｉｓｉｎｇ模型研究了具有近邻（Ｊ１）和次近邻（ＲＪ１）相互作用的简立方格子的（１００）、（１１０）和（１１１）界面性质．在体内为反铁磁相互作用下，分析了界面的基态，并用Ｍ－Ｃ方法计算了界面的低温性质，给出了ＳＣ格子的三类Ｔ－Ｒ界面相图，由此讨论了二类界面相变（宏观刻面和粗化）及其在氯化钠晶体界面上的应用．     

掺杂聚合物蓝光发光二极管

报道了用有机染料ＴＰＢ（１，ｌ，４，４－四苯基丁二烯）分散到ＰＶＫ（聚乙烯基咔唑）中的掺杂聚合物作有源层制作的蓝光发光二极管及其发光特性。聚合物发光层用旋转涂敷的方法制备，用透明导电材料ＩＴＯ（铟锡氧化物）、金属Ａｌ作为正负电极。器件正向偏压为１３Ｖ时，可以看到蓝光发射，峰值波长为４５５ｎｍ，注入电流为５０ｍＡ／ｃｍ２时，亮度为４４ｃｄ／ｍ２。     

White electroluminescence of n-ZnO：Al/p-diamond heterostructure devices

An n-ZnO：A1/p-boron-doped diamond heterostructure electroluminescent device is produced, and a rectifying be- havior can be observed. The electroluminescence spectrum at room temperature exhibits two visible bands centred at 450 nm-485 nm （blue emission） and 570 nm-640 nm （yellow emission）. Light emission with a luminance of 15 cd/m2 is observed from the electroluminescent device at a forward applied voltage of 85 V, which is distinguished from white light by the naked eye.     

高亮度掺杂红色有机电致发光器件的制备与光电性能研究

采用真空热蒸镀的方法,在高精度膜厚控制仪监控下,实现了有机薄膜功能材料的精确蒸镀,其中发光层采用主体材料与掺杂材料在一个真空腔体同时共同蒸发,制备了一种高亮度多层结构的红色有机电致发光(OLED)器件:ITO-CuPc(20 nm)--αNPD(60 nm)-Alq3(40 nm)∶Rubrene(10%)∶DCJTB(1%)-Alq3(20 nm)-LiF(10 nm)-Al(100 nm)。研究发现:驱动在电压为5~52 V变化时,其亮度基本满足线性增加关系,随之饱和;随着驱动电压的变化,其电致发光光谱有蓝移的现象,发射峰从638 nm变到632 nm,同时色坐标CIEx,y值也发生相应的变化;器件的流明效率在驱动电压较低时(V=5 V),达到最大值ηLmax=0.497 lm.W-1,随着驱动电压的增加,流明效率有降低的趋势。     

发光层掺杂对红光OLED性能影响研究

制备高效率、高亮度的红光有机发光二极管是显示器实现全彩色的关键,对高性能的红光有机发光二极管器件研究具有十分重要的意义.本文主要研究了掺杂剂(DCJTB)浓度对红光有机发光二极管性能影响.实验采用真空热蒸镀的方法,选取结构为ITO／2-TNATA(20 nm)/NPB(30 nm)/AlQ(50 nm):(X%)DCJTB／AlQ(30 nm)／LiF(0.8 nm)／Al(100 nm)的红光器件,在高准确度膜厚控制仪的监控下,实现了有机薄膜功能材料的精确蒸镀.研究表明:红光掺杂剂掺杂浓度为(2.5~3.0)%时,在12 V电压下,可以得到发光亮度最高达到8 900 cd/m²,发光效率大于2.8 cd/A,且发光光谱波长为610~618 nm较为理想的红光有机发光二极管器件.     

富硅a-SiOxNy：H薄膜的电致发光特性

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积方法制备富硅氮氧化硅(a-SiO_0.35N_0.59:H)薄膜,以这层薄膜作为有源层构建发光二极管。实验结果表明器件在室温下可观测到强的电致红光发射,发光峰在715 nm附近,与其光致发光峰位一致。电致发光谱测量还表明器件开启电压为8 V,器件的电致发光强度随注入电流的增大呈线性递增关系。电流-电压特性分析表明器件的载流子输运机制以Pool-Frenkel(P-F)发射模型为主。结合发光有源层的微结构分析,初步认为电致红光发射来自于电子和空穴通过有源层的带尾态的辐射复合。     

Absorption and emission of thin solid films of octaethylporphin

Absorption and emission spectra at room temperature and emission spectra atliquid nitrogen temperature are reported for thin solid films of free base octaethylporphin. The room temperature visible absorption spectrum resembles that of the solution, except all four peaks show a red shift of ≈ 12 nm and all except the farthest red are broadened. The Soret band in the near UV is greatly broadened in the film, and its peak absorbance is substantially reduced. The room-temperature emission of the films is quite similar to that of solution fluorescence, except for a red-shift of ≈ 10 nm. But at low temperature two new peaks appear at 657 and 672 nm. Their intensity as a function of temperature can be explained by a simple exciton trapping model.     

PCDTBT作为发光层的有机电致发光器件研究

使用PCDTBT作为发光层材料,制备了发光波长为705 nm的红色有机电致发光器件,其结构为ITO/PEDOT:PSS/PCDTBT/BCP/LiF/Al.器件启亮电压为2 V,在9 V时器件达到最高亮度,为29000 cd/m2,最大电流效率为3.5 cd/A.还研究了不同退火温度对器件发光性能的影响.实验结果表明,退火温度为50?C时器件的性能最佳,其原因是此时既有利于溶剂挥发,又保持了分子结构的稳定性,而高温退火降低了PCDTBT的π-π堆积的有序性,从而使得器件性能下降.     

条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析

采用0.35μm双栅标准CMOS工艺最新设计和制备了叉指型SiLED发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成Sipn结LED。观察了SiLED发光显微图形及实际器件的版图,并在对器件进行了正、反向I-V特性测试、光功率及光谱特性的测量。SiLED的正向偏置时开启电压为0.9V,反向偏置时在15V左右可观察到发光。器件在室温下反向偏置时,10V,100mA电流下所得输出光功率为12.6nW,发光峰值在758nm处。     

有机吡啶盐的电致发光

有机盐是一种离子化合物,其分子间依靠比范德瓦尔斯力大得多的离子键结合,这有利于器件稳定性的提高。主要研究一种以新型有机吡啶盐ASPT(trans-4-[P-(N-ethyl-N-(hydroxylethyl)-amino)styryl]-N-methylpyridinium tetraphenyl-borate)作发光层的有机电致发光特性。实验发现有机盐ASPT是一种性能较好的红光发射材料。利用ASPT作发光层的单层电致发光器件,可获得稳定的红色电致发光。通过对外场界面势垒影响分析,我们讨论了这种单层器件的发光机理。为了探索ASPT中载流子传输与复合过程,并提高器件性能,设计了ASPT/Alq₃双层和TPD/ASPT/Alq₃三层结构的器件,进一步研究了它们的光电特性。实验结果表明,利用双层器件可获得亮度较高的红色发光。而在三层器件中,由于不同功能层的载流子传输特性的差别,激发复合区域受到驱动电压的显著影响,因此电致发光光谱随电压的变化而变化。通过对光谱结构、能级位置的分析,讨论了相关的发光机理。     

Zn1-x Mo1-ySiyO4∶Eu3+x红色荧光粉的合成及发光性能研究

通过固相法合成LED用Zn1-xMo1-ySiyO4∶Eu3+x红色荧光粉(0.05≤x≤0.30, 0≤y≤0.09), 讨论了助熔剂、温度等合成条件对Zn1-xMo1-ySiyO4∶Eu3+x荧光粉发光性质的影响。 当烧结温度为800 ℃时, 可以生成ZnMoO4纯相目标产物。 由于荧光粉的结晶度和粒径随烧结温度的升高而增大, 所以随着烧结温度的升高, 样品的发光强度有所提高; 当助熔剂Na2CO3的用量约为4%时的样品发射光的强度比未使用助熔剂时明显增强, 说明在此体系中, 当Eu3+取代Zn2+时, Na2CO3充当助熔剂的同时, Na+起到了电荷补偿作用。 荧光光谱实验显示Zn1-xMo1-ySiyO4∶Eu3+x能够被393和464 nm的紫外光激发, 在616 nm处发出强烈的红色荧光。 当Eu3+掺杂量约为20% mol时, Zn1-xMo0.97Si0.03O4∶Eu3+x荧光粉在616 nm处的发光强度达到最大。 在引入Si4+离子后能显著增强Zn1-xMoO4∶Eu3+x的发光强度, 组成为Zn0.80Mo0.97Si0.03O4∶Eu3+0.20样品（激发峰值为393 nm）的荧光强度要比Y2O2S∶Eu3+0.05荧光粉的发光强度强2倍。 所以这种荧光物质能够更好地适用于白光LED。