Cr^21＋电子碰撞激发截面和速率系数

在Ｃｏｕｌｏｍｂ－Ｂｏｒｎ交换似和Ｚ标度类氢模型下，计算了“水窗”波段Ｃｒ＾２１＋离子精细结构能级的电子碰撞激发截面和速率系数。计算过程中对有效核电荷的计算作了修改，使其更有效地反映碰撞过程中电子的关联和相对论效应。     

类锂钛离子电子碰撞激发截面和速率系数

在Ｚ标度类氢模型下，用Ｃｏｕｌｏｍｂ－Ｂｏｒｎ交换近似计算了‘水窗’波段类锂钛离子精细结构能级的电子碰撞激发截面和速率系数。为了更好地考虑碰撞过程中电子的关联效应和相对论效应，在计算过程中对有效核电荷的计算作了修改。     

周期量级超短激光脉冲作用下导带电子的光吸收与碰撞电离

激光照射下光学材料的损伤过程中，导带电子的加热和碰撞电离是非常重要的过程，影响着导带电子的产生、晶格能量的沉积和破坏.分析了Drude模型的局限性，从经典力学出发求解了周期量级激光场中导带电子的运动方程，计算了导带电子的光吸收和碰撞电离，分析了激光强度、载波相位等对碰撞电离的影响. 关键词： 周期量级超短激光脉冲 导带电子 碰撞电离     

短脉冲激光辐照下SiO2损伤微观机理简化模型

 从电子密度速率方程出发，建立短脉冲激光辐照下SiO₂材料中导带电子增长简化模型，计算了SiO₂中光致电离速率和电子雪崩速率，得到SiO₂激光损伤阈值与脉冲宽度的关系，计算分析了光致电离和碰撞电离两种电离机制在导带电子累积过程中的不同作用。结果表明：脉冲较长，碰撞电离几乎能提供全部的导带电子，激光损伤阈值与脉宽的0.5次方成正比；脉冲较短时，导带电子主要由碰撞电离产生，光致电离提供碰撞电离的初始电子，激光损伤阈值随着脉宽的减小，先增加后减小。     

磁场对直流辉光放电阻极鞘层中电子输运过程的影响

采用Ｍｏｎｔ－Ｃａｒｌｏ模拟方法研究了磁场对直流辉放电阴极鞘层中电子输运过程的影响，磁场垂直于阴极鞘层中电场的方向，模型中，电子与中性粒的碰撞过程有三种。电子的自由飞行步长由电子与中性粒子的碰撞频率来决定，计算了电子的密度分布，电子与中性粒的非弹性碰撞速率，以及电子能量和电子通量分布等，结果表明，横向磁场能在一定程度上改变直流放电中电子的输运过程，磁场中电子与中性粒子的非性弹碰撞速率被增强，这一结     

O5+离子与H原子碰撞时电子俘获概率的计算

利用原子轨道作基函数展开系统波函数，附加电子转移因子修正O５＋离子和H原子相互作用时的边界条件，计算了初始通道的势能.在得出的理论值与实验值符合很好的情况下，验证了计算参数的可靠性.在碰撞参数b=80a.u.,碰撞速度v=2200a.u.的条件下，利用心核近似方法完成了O５＋离子和H原子碰撞过程中8个Σ状态的随时间变化电子俘获概率的理论计算. 关键词： O５＋离子 H原子 碰撞 电子俘获     

电子束泵浦氩中高能电子分布的理论计算

 改进了文献中报导的Boltzmann基本方程。与Boltzmann基本方程相比，改进后的Boltzmann方程更全面地描述了电子与基态氩原子碰撞的物理过程，并能计算出整个能量区间的电子分布。利用Boltzmann基本方程和改进的Boltzmann方程，对电子束泵浦氩中能量大于氩原子第一激发态能量(11.56eV)的高能电子分布函数进行了理论计算。计算中，选取了电子碰撞氩的微分电离截面和激发截面的解析表达式。对计算所得的稳态电子分布函数以及达到稳态分布所需的特征时间进行了分析和讨论。     

Ca原子4s2-4s4p电子碰撞激发特性

基于全相对论扭曲波（RDW）电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了Ca原子基态3p64s2 1S0到激发态3p64s4p 3P0,1,2 1P1精细结构能级的碰撞截面,总结了在不同入射电子能量下碰撞截面的变化规律。目前计算中,细致考虑了电子关联效应和Breit相互作用,计算结果与已有的理论计算进行比较,对实验值的相对误差较小。     

中低能速度能区离子与H,He原子碰撞中的经典电子俘获截面

Bohr-Lindhard模型被用来描述中低能速度能区离子—原子碰撞中的经典电子俘获过程。根据离子与原子的作用时间与碰撞参数的关系,建立俘获几率对碰撞参数的依赖性,碰撞参数范围被限定在俘获半径之内。在该模型的框架内,人们试图通过电子的空间分布函数来研究所有碰撞参数的贡献,但存在较为复杂的数值计算。基于Bohr-Lindhard模型,本工作提出通过简单的指数衰减函数来描述电子俘获几率对碰撞参数的依赖性,计算了Aq+(q = 2~6)-H碰撞中的单电子俘获截面和Aq+(q = 3~6)-He碰撞中的双电子俘获截面,计算结果与已有实验数据符合很好,很好地描述了低能和中能区的电子俘获截面随能量和电荷态的变化,该工作还可计算其他不同电荷态离子与He和H靶的电子俘获截面。     

中低能速度能区离子与H,He原子碰撞中的经典电子俘获截面（英文）

Bohr-Lindhard模型被用来描述中低能速度能区离子—原子碰撞中的经典电子俘获过程。根据离子与原子的作用时间与碰撞参数的关系,建立俘获几率对碰撞参数的依赖性,碰撞参数范围被限定在俘获半径之内。在该模型的框架内,人们试图通过电子的空间分布函数来研究所有碰撞参数的贡献,但存在较为复杂的数值计算。基于Bohr-Lindhard模型,本工作提出通过简单的指数衰减函数来描述电子俘获几率对碰撞参数的依赖性,计算了A~(q+)(q=2～6)-H碰撞中的单电子俘获截面和A~(q+)(q=3～6)-He碰撞中的双电子俘获截面,计算结果与已有实验数据符合很好,很好地描述了低能和中能区的电子俘获截面随能量和电荷态的变化,该工作还可计算其他不同电荷态离子与He和H靶的电子俘获截面。     

近程碰撞对He+离子诱发背向电子发射贡献比例的计算

用Monte Carlo方法模拟了高速He+离子入射到C，Cu和Al固体表面所诱发的电子发射.用这个程序计算了背向的电子发射产额，并且同时计算了近程碰撞对总的背向电子发射产额的贡献比例，对C，Cu和Al其值分别是05，055和0.42.对在近程碰撞中产生的高能δ电子（E＞10O eV）对背向电子发射行为的影响也进行了详尽地讨论，只有那些能量为几百个eV的δ电子对产额的贡献比例较大.对于C靶，δ电子对电子阻止本领最大值附近的二次电子发射行为会产生影响.计算所得到的电子发射产额与实验结果符合得很好. 关键词： 二次电子发射 Monte Carlo模拟 近程碰撞 δ电子     

Ca原子4s~2-4s4p电子碰撞激发特性

基于全相对论扭曲波电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了Ca原子基态3p~64s~(21)S_0到激发态3p~64s4p~3P_(0,1,2)~1P_1精细结构能级的碰撞截面,总结了在不同入射电子能量下碰撞截面的变化规律.目前计算中,细致考虑了电子关联效应和Breit相互作用,计算结果与已有的理论计算进行比较,对实验值的相对误差较小.     

混合模拟方法模拟电子在固体表面的背散射

将电子输运的直接模拟方法和压缩历史方法相结合,建立能量为50 eV~1 GeV范围的电子在介质中输运的混合模拟蒙特卡罗方法.通过调整散射角参数和损失能量参数控制单次碰撞发生的次数,输运过程中单次碰撞采用直接模拟,在两次直接碰撞之间使用压缩历史方法模拟发生的多次小碰撞过程.利用该方法模拟电子在固体表面的背散射过程,探讨不同计算参数对计算效率和结果的影响,计算不同能量电子在固体表面的背散射系数和出射电子能量分布,计算结果与实验数据符合较好.     

金等离子体平均离化度随电子温度变化关系的研究

用Cowan的原子结构从头算程序和自旋轨道劈裂阵模型计算各阶电离的金离子能级和跃迁， 在碰撞辐射模型下求解能级布居数方程，计算给定等离子体密度和电子温度下等离子体中离子的分布，给出了平均离化度随电子温度的变化关系.发现稀薄的金等离子体中，在一定的电子温度范围内电子温度的升高平均电离度反而下降的反常现象.讨论了电离势对平均离化度的影响. 关键词： 金等离子体 碰撞辐射模型 布居数 平均电离度     

Li+低能(e,2e)反应角分布

利用修正的BBK理论，考虑入射道的库仑相互作用及出射电子的交换对称性，在共面-等能分享-垂直角度碰撞几何中，分别计算了能量为79.6，105.6，227.6和375.6eV的入射电子碰撞Li⁺(1s²)(e，2ｅ)反应三重微分截面(TDCS).结果表明：在接近阈能的碰撞中，两出射电子连线平行于入射电子方向时，TDCS最大；两出射电子连线垂直于入射电子方向时，TDCS最小；入射电子能量达5倍的电离阈能时，主要为单次双体碰撞，而且入射道库仑场对决定低能碰撞的TDCS起着重要作用. 关键词：     

含温有界原子模型下电子与离子碰撞激发和电离截面的理论研究

采用扭曲波玻恩交换近似方法，在自由原子模型下计算了电子与离子碰撞激发、电离截面，计算值与实验一致；在含温有界平均原子模型下，系统研究了不同温度、密度等离子体中离子的电子碰撞直接电离截面，发现由于温度、密度效应导致离子的能级漂移，引起等离子体中离子的碰撞电离截面比自由原子情形发生较大变化. 关键词： 平均原子模型 扭曲波波恩交换近似 电离截面     

P—He碰撞中1s—ns电子俘获截面计算

本文进一步发展了由我们提出的一种新的方法来计算离子－原子，离子－离子碰撞中１ｓ－ｎｓ电子俘获截面。在该方法中，我们用联合原子模型描述初态电子的导曲波函数及用氢原子模型的描述末态电子的波函数，在小几率及峰点近似条件下，其散射振幅为一简单的解析形式。在１０－２００ｋｅＶ能量范围，我们用此方法计算了Ｐ＋Ｈｅ碰撞中电子俘获到４ｓ态的截面。计算结果与实验结果在３０－２００ｋｅＶ能量很好地一致。特别是我们的结     

金等离子体M带谱3d→4f和3d→5f电子离子碰撞激发强度

电子离子碰撞激发强度在超组态碰撞辐射模型中真实模拟非局域热动平衡金激光等离子体M带谱跃迁中离子的平均电离度、电荷态分布和能级布居数等离子的电离态特性是必不可少的.基于全相对论扭曲波电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了高离化态金离子(Au51+、Au50+、Au49+)精细结构能级3d→4f和3d→5f的碰撞强度,计算中详细考虑了电子关联效应和Breit相互作用对碰撞强度的影响.计算结果与可获得的其它理论及实验结果进行了比较,取得了好的一致性.     

离子与原子碰撞中多电子转移的经典描述

讨论了几各地独立电子模型（ＩＥＭ）描述离子与原子碰撞中电子转移的经典模型，即Ｂｏｈｒ－Ｌｉｎｄｈａｒｄｔ模型，过垒模型ＯＢＭ和分子库仑垒模型ＭＣＢＭ。较详细阐述了描述碰撞过程的经典物理图象，着重讨论了ＭＣＢＭ描述的多电子转移过程，分析了几各模型的特点和适用性，最后在考虑了入射离子量子数亏损和出射过程电子束缚能移动的修正后，给出了修正后的ＭＣＢＭ的计算结果，并与Ｎｉｅｈａｕｓ的计算结果玫实验结果进行     

磁场对直流辉光放电阴极鞘层中电子输运过程的影响

采用MonteCarlo模拟方法研究了磁场对直流辉光放电阴极鞘层中电子输运过程的影响.磁场垂直于阴极鞘层中电场的方问.模型中,电子与中性粒子的碰撞过程有三种(弹性碰撞;激发碰撞和电离碰撞).电子的自由飞行步长由电子与中性粒子的碰撞频率来决定.计算了电子的密度分布,电子与中性粒子的非弹性碰撞速率,以及电子能量和电子通量分布等.结果表明,横向磁场能在一定程度上改变直流放电中电子的输运过程.磁场中电子与中性粒于的非弹性碰撞速率被增强,这一结果与实验结果符合较好.